Semikron SKM195GAL126DN

Semikron SKM195GAL126DN — Описание и технические характеристики

Semikron SKM195GAL126DN — это мощный IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) в стандартном корпусе SEMIPACK™ 2 (полумостовая схема). Разработан для применений с высокой коммутационной частотой и жесткими условиями эксплуатации. Отличается низкими потерями на переключение, высокой надежностью и длительным сроком службы. Имеет встроенный диод с обратным восстановлением (CAL-диод).

Основные технические характеристики (при Tj = 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип корпуса | SEMIPACK™ 2 (полумост) | Изолированное основание (медное) | | Конфигурация | Полумост (2 IGBT + 2 диода) | Верхнее и нижнее плечо | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) | 1200 В | Максимальное | | Ток коллектора (IC) | 195 А | При Tcase = 80°C | | Ток коллектора (ICНМ) | 300 А | Допустимый импульсный (1 мс) | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В | Максимальное (рекомендуемое ±15 В) | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 1130 Вт | Максимальная при Tcase = 25°C | | Сопротивление тепловое переход-корпус (RthJC) | 0,11 °C/Вт | Для IGBT | | Напряжение изоляции (VISOL) | 4000 В (AC, 1 мин) | Корпус-основание | | Температура кристалла (Tj) | -40 ... +150 °C | Рабочая | | Температура корпуса (Tcase) | -40 ... +125 °C | Максимальная |

Краткое описание электрических характеристик (при Tj = 125°C):

• Насыщение коллектор-эмиттер (VCE(перес.)) : типичное 2,05 В при IC = 195 А.
• Падение напряжения на диоде (VF): типичное 2,15 В при IC = 195 А.
• Время коммутации:
  • Время задержки включения (td_on): ~220 нс.
  • Время нарастания (tr): ~120 нс.
  • Время задержки выключения (td_off): ~500 нс.
  • Время спада (tf): ~150 нс.
• Энергия потерь при переключении (Ets): 14,5 мДж (типичное условие тестирования: V=600В, I=200А, RG=2,2 Ом).
• Заряд обратного восстановления (Qrr): низкий, благодаря технологии диодов.

Конструктивные особенности

• Конструкция «half-bridge» — подходит для однофазных и трехфазных инверторов.
• Нижняя сторона (основание) покрыта слоем титана/никелевого покрытия для улучшения теплопередачи.
• Интерфейс подключается напрямую к радиатору с помощью теплопроводящей пасты.
• Используется технология промышленного класса А (Industrial Grade) — стандартный уровень для Semikron.

Парт номер и совместимость

Оригинальный SKM номер:

• SKM195GAL126DN (полный код со всеми индексами).

Совместимые модели (Direct Substitutes — Pin-to-Pin):

Примечание: данные являются прямыми заменами по размерам и электрическим параметрам.

• Infineon: FF195R12KT4 / FF200R12KT4 (существуют аналоги с небольшим пересчетом по базовому чипу).
• Eupec (был поглощен Infineon): BSM150GB120DLC (устарел).
• Powerex / Mitsubishi: CM200DY-12NF / CM150DY-12NF.
• Toshiba: MG200J2YS50.

Важно о заменах: Все перечисленные выше модули считаются прямыми аналогами для применения в инверторах (Variable Speed Drive) и сварочных аппаратах. ВАЖНО перед заменой проверить:

• Диодные характеристики различных брендов отличаются по скорости восстановления.
• Для промышленных применений взаимозаменяемость с модулем FF200R12KT4 (Infineon) полностью принята.

Основные сферы применения

• Промышленные трехфазные инверторы для приводов (моторы постоянного/переменного тока).
  

• Силовые источники питания (блоки питания высокой мощности).
  

• Сварочное оборудование (инверторная сварка MIG/TIG/Дуговая).
  

• Системы электрообогрева и индукционный нагрев.
  

• Системы резервного питания (UPS).
  

• Лифты и эскалаторы (приводы высокого класса).
  

Если вам необходимо сопоставить его с другими моделями или уточнить ограничения по схеме управления затвором (VGE / частоты карбоновых элементов), я могу помочь далее.