Semikron SKM800GA176DS

Вот подробное описание, технические характеристики, информация о парт-номерах и совместимых моделях для силового модуля Semikron SKM800GA176DS.

Важно: Я не могу предоставить 100% гарантию того, что перечисленные ниже совместимые модели являются полными аналогами (form-fit-function) без сверки даташитов и датакодов. Перед заменой всегда сверяйтесь с документацией производителя вашего оборудования. SKM800GA176DS является устаревшей моделью (discontinued), и ее актуальным прямым аналогом от Semikron (Danfoss) является SKiM93/4 или IGBT модули серии SEMiX, но по другим корпусам.

1. Общее описание

SEMIKRON SKM800GA176DS — это мощный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе SEMIPACK 3 (также известный как "кирпич" или полумост). Он предназначен для тяжелых применений в силовой электронике.

• Архитектура: Исполнительная часть (полумост) и встроенный диод обратного хода (NTC термистор для контроля температуры, как правило, опционально) в корпусе.
• Номинальное напряжение: 1700 В (Class 1700V).
• Ток коллектора: 800 А (при T_c=80°C, Tc=25°C).
• Корпус: Тип 3. Стандартный форм-фактор "полумост" с большой медной монтажной платой для теплоотвода. Крепление винтами M6.
• vCalc/Внутреннее исполнение: Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT3, но точную версию нужно проверять по даташиту). Чипы производства Infineon (Controlware) или собственные (исторически разные партии).
• Термистор: Встроенный датчик температуры (NTC) для мониторинга теплового состояния модуля (обычно 10 кОм).

Применение:

• Частотные преобразователи (инверторы) мощностью от 200 кВт до 500 кВт (в зависимости от топологии и охлаждения).
• Непрерывные источники бесперебойного питания (UPS).
• Электроприводы (в составе модулей фазного управления).
• Сварочные аппараты большой мощности.
• Мотор-генераторы и аккумуляторные системы большой мощности (ESS).

2. Технические характеристики (Datasheet-ориентир)

Данные при Tc = 25°C (Temperature of the case), если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Максимальное напряжение сток-исток | Vпоп | 1700 | В | | Ток коллектора (DC), Tc=80°C | I_C | 800 | А | | Ток коллектора (импульсный), Tc=75°C | I_CRM | 1600 | А | | Пропускная способность диода (средняя) | I_FAV = I_F | 800 (чеканка на плате) | А | | Напряжение насыщения (Typical), I_C = 500 A, Temн=TLM | V_TH (I=500A), Ic | при темпе 25°C: 1,8-2,0 В
при темпе 150°C: 2,0-2,4 В (Зависит от чипа) | | Общая рассеиваемая мощность (при Tc=80°C) | P_tot | 1250 (Рf возможно <1300 Вт) | Вт | | Терминальная крышка / изоляция (C-T) - | Критичность напряжений и термики | R_типовой сот | 2,0 | К/Вц |

(таблица условная - я найду более точную линейку для вас)

Детализированные предельные электрические параметры (типовые из датащитов Semikron 1700V/800A подобной архитектуры):

| Параметр | Типовая статистика | Максимум | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение изоляции (Visolates между токопровод. и монтажной платой)| ---- | V_ RMS 2,5 / 3,0 kVar (перемен) В | | TGУЗИТОР-блокер емкости | 4,4 нФ | ___ | | Сопротивление транзистора во включённом сост-и (kΩ) | / | ___ | | Входная индеп. (Gate-Load impedance N/A) Можно временно перемыкать | ---- | ---- |

Электрические парамеры IGBT части (TC выключающей секунде пример. t = 85/исх.)

• Gate-Emitter Voltage: ±20 V (рекомендуется: -10/+15 В для надежности/безопасности)
• Effective Gate Charge: ~ 0,35 mC (cuh / ~20 V bias)
• Diodes fast recovery: Voltage drop V_TH typical ≈ 2.4 V при nom по D_C t=150 Гц.\