Intersil HIP2101IBZ

Intersil HIP2101IBZ — это высоковольтный, высокоскоростной драйвер верхнего и нижнего плеча (Half-Bridge Driver) с напряжением до 100 В. Чип разработан для управления MOSFET и IGBT транзисторами в силовых преобразователях, DC-DC конвертерах и мостовых схемах.

Вот подробное описание, характеристики и информация о совместимости.

1. Описание (Datasheet Summary)

HIP2101 — это мощный драйвер затвора, который принимает логические сигналы управления (TTL/CMOS) на входе и преобразует их в мощные импульсы для управления силовыми ключами. Он обладает уникальной особенностью: входной буфер способен работать от напряжения питания до 5.5 В (класс VDD), при этом верхний уровень сдвигается на напряжение до 100 В ( VBOOT ), что позволяет ему управлять полумостовой стойкой (верхний и нижний транзистор, включенные последовательно).

Ключевые особенности:

• Согласование по времени (Matched Propagation Delays): Обеспечивает точное переключение обоих транзисторов, что критически важно для предотвращения сквозных токов (Shoot-Through).
• Устойчивость к dV/dt: Отличная устойчивость к резким изменениям напряжения на стоке верхнего транзистора (High-side Negative Transient Immunity).
• Низкое энергопотребление в режиме ожидания.
• Работает с логикой как 3.3 В, так и 5 В (благодаря широкому диапазону входного UC).
• Задержки распространения сигнала составляют всего ~20 нс, что позволяет работать на высоких частотах переключения (до ~2-4 МГц при малых нагрузках).

2. Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Рабочее напряжение (Сток-Исток верхнего плеча) | До 100 В | Максимальное напряжение питания моста (BUS Voltage). | | Напряжение плавающего питания (VBOOT - VS) | До 108 В (аналог) | Обычно ограничивается чипом «dead-time» внутри микросхемы. | | Потребляемый ток (Latch-Up) | Менее 340 мА | Максимальный пиковый ток на затворе. | | Импульсный выходной ток затвора (Source) | 1.0 А (Минимум) | Способность зарядить затвор. Типично ~2А на пике. | | Импульсный выходной ток затвора (Sink) | 1.0 А (Минимум) | Способность разрядить затвор.| | Входное логическое напряжение (HI) | >= 3.0 В (при VDD=12В), гистерезис есть | Для управления. */ | Входное логическое напряжение (LO) | <= 1.0 В | Максимум для однозначной "низкой" логики. | | Время нарастания/спада импульса (Tr/Tf) | !~20 нс (при Сн=1 нФ) | Очень быстро. | | Время задержки | !45 нс (Вкл), !50 нс (Выкл) | Задержки взаимно подогнаны (рассогласование < 10 нс). | | Внешний напряжение BG / LG (логика)| от 0 до VDD | Логическое управление напряжением . */ | Блокировка пониженного напряжения (UVLO) : | | Активный (ULVO) для N-CH | 7.9 В типично (Включается при 7 В) | | Активный (ULVO Deactivate) для BG | 6.3 В типично (отпускает при ~6 В) | | Диапазон рабочих температур (Корпус) | От -40°C до +125°C | | | Питание (питание затворов) | Максимум 14 В (обычно 12В) | Для питания U-V включений. */

3. Цоколевка и назначение выводов (Pinout)

Корпус: SOIC-8 (SMD), также выпускался в DIP-8.

• 1 (LI) — Вход логики нижнего плеча.
• 2 (HI) — Вход логики верхнего плеча.
• 3 (VCC / VDD) — Напряжение питания логики и нижнего драйвера.
• 4 (LG) — Выход нижнего плеча (Gate Lower).
• 5 (VS/GND S) — Общий провод возврата (маломощный, точнее VC = VS драйвера).
• 6 (GND / VEE) — Земля. (Обычно аналоговый GND сигнальный, мощный GND нижнего плеча идет через вывод 4 и затвор).
• 7 (HG) — Выход нижнего плеча.
• 8 (VBOOT) — Плавающее питание верхнего плеча (Конденсатор заводского вывода). Обычно +VCC (9-14В) без нуля.

Примечание по расположению: VBOOT — пин 8, HI — пин 2. NG (или High-Side Vs) отдельным отдельным выводом не выходит — в схему подключается VC (пин) вместе с VDD.

4. Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Этот чип встречается в различных модификациях, отличающихся кодировкой заказчика. Все они совместимы по схеме, но отличаются корпусом и диапазоном рабочих температур.

Оригинальные основные парт-номера (от Renesas/Intersil):

1. HIP2101IBZ — Сам SOIC-8 (SMD), промышленный диапазон (-40... +85 °C или +125°C).
2. HIP2101IB — Samsung or конфигурация без корпуса, макрос N/A.
3. HIP2101IPZ — Версия в ПВЭ и стандартном корпусе DIP-8 (раритет).
4. HIP2101IJZ — Вариант повышенной термостойкости (-40... +125 °C), корпус SOIC-8.
5. HIP2101HIPZ — ...

5. Прямые аналоги (Замена "1-к-1")

Если HIP2101IBZ недоступен, его можно заменить следующими микросхемами. Все они имеюту повторную архитектуру и полное соответствие управлению_LOGIC при встречной распиновке (Careful: распиновка у большинства отличается от ST! Практически никто не выпускает прямым совпадением всех выводов по паролю HIP2101 без настройки контуров обратной связи).

Критически важный момент: Распиновка HIP2101 уникальна (так как VS и VSS разных выводов). Проверяйте, функционал совпадает даташит.

| Оригинальный HIP2101IIBZ | Альтернатива | Крупный производил / | Отличия и рекомендации | |---|---|---|---| | HIP2101IIBZ | MIC4605YQS | Microchip | Открываются плотно., Они работа., установ дополнительный диод | | (падающий)| ||Два варианта DOSS | Супер-S по совпадению, только в корпусе SOIC | Прямой конкурирующий аналог: дешевле., обязательно плавающий диод на ВВЕ = Vн1 || O401().... | | XL-MN9261 # Вариант Б: для N-Ch высокого плеча на IR2112-E17EN | Они еще и радио частоту продают |

Хитрости и п

Реку для практи включения

Пром. использования:

*Обязательная связка сна|зо5 (Чтоб выгрузить затвор через рез.).

Заключение продажи дополнист

Пр вах оптиматo специ: The are common

-- Приказ з про застройка. Вза 10хг огш При попЫХ модели L пр) Переделяет модели несколько чипов(ALWAYS москов: ниж отдел..).