Intersil RF1S30N06LESM — Описание и характеристики

Описание

RF1S30N06LESM — это мощный N-канальный MOSFET (полевой транзистор) производства компании Intersil (ныне подразделение Renesas Electronics), выполненный по технологии MegaFET. Транзистор предназначен для коммутации больших токов при низком напряжении управления и отличается ультранизким сопротивлением открытого канала.

Компонент широко применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, схемах защиты, драйверах двигателей и силовой коммутационной электронике. Корпус типа SMD (D²PAK / TO-263) обеспечивает хороший отвод тепла при монтаже на печатную плату.

Приставка "L" в маркировке указывает на logic-level управление — транзистор полностью открывается при напряжении затвор-исток VGS = 5 В, что делает его совместимым с логическими схемами и микроконтроллерами (например, 5 В).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-канальный MOSFET (обогащённый) | | Технология | MegaFET | | Корпус | D²PAK (TO-263AB), SMD | | Напряжение сток-исток V(DSS) | 60 В | | Ток стока I(D) (непрерывный) | 30 А (при Tc = 25 °C) | | Ток импульсный I(DM) | ~120 А | | Сопротивление открытого канала R(DS(on)) | ≤ 0.047 Ом (при VGS = 5 В, ID = 15 А) | | Пороговое напряжение V(GS(th)) | 1.0 – 2.0 В | | Максимальное V(GS) | ±10 В (logic-level версия) | | Крутизна g(fs) | ~10 См | | Заряд затвора Q(g) | ~20 нКл (тип.) | | Ёмкость входная C(iss) | ~800 пФ | | Ёмкость выходная C(oss) | ~250 пФ | | Ёмкость проходная C(rss) | ~80 пФ | | Время включения / выключения | ~20 нс / ~40 нс | | Рассеиваемая мощность P(D) | 75 Вт (Tc = 25 °C) | | Рабочая температура кристалла | −55 … +175 °C | | Максимальное тепловое сопротивление R(thJC) | ~2 °C/Вт |

Области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Понижающие/повышающие DC-DC преобразователи
• Драйверы реле, соленоидов, двигателей
• Схемы защиты от переполюсовки и токовых перегрузок
• Силовые ключи с логическим управлением

Парт-номера и аналоги

Основной парт-номер

• RF1S30N06LESM (Intersil / Renesas)
• RF1S30N06LESM9A — вариант упаковки в ленте и катушке (tape & reel)
• RF1S30N06LE — базовая версия без суффикса корпуса

Близкие и совместимые аналоги (60 В, N-канал, TO-263, logic-level)

| Производитель | Парт-номер | Примечание | |---|---|---| | Intersil / Renesas | RF1S30N06LESM | Оригинал | | Vishay / Siliconix | SUP60N06-18 | Прямой аналог по параметрам | | Vishay | SUM110N06-3m4L | Более мощный, но совместим | | Infineon | IRLZ44N / IRLZ44NS | 55 В, 47 А, логический уровень | | Infineon | IRL3103S | 30 В, логический, полностью совместим по драйву | | Fairchild / ON Semi | FQB55N06L / FQP55N06L | 60 В, близкие параметры | | STMicroelectronics | STB60NF06L | 60 В, N-канал | | Toshiba | TK60E06K3 | Совместимый ключ 60 В |

При замене обязательно проверяйте: R(DS(on)) при VGS = 5 В, Q(g), C(oss) и тепловое сопротивление — они влияют на потери и нагрев.

Совместимые модели (устройства, где применяется RF1S30N06LESM)

Прямые «совместимые модели» среди готовой техники публично не стандартизированы, однако по назначению кристалла он заменяет или используется в схемах:

• перечисленных выше MOSFET в корпусе D²PAK / TO-220 / TO-247;
• силовых модулях Renesas/Intersil серий RF1S, RFP, IRFZ, IRLZ;
• интегральных драйверах HIP, ISL (пин-совместимость по логике 5 В);
• многих SMPS-контроллерах с внешним ключом на TO-263.

⚠️ Важно. Точные совместимые модели бытовой/промышленной техники зависят от конкретного проекта. Перед заменой смотрите datasheet соответствующего устройства и проверяйте:

1. Ток и напряжение ключа;
2. Драйв затвора (5 В или 10 В);
3. Теплоотвод и размер площадки D²PAK;
4. Сопротивление R(DS(on)) в рабочей точке.

Резюме

RF1S30N06LESM — классический логико-уровневый N-канальный MOSFET 60 В / 30 А с R(DS(on)) ≈ 47 мОм при 5 В, в корпусе D²PAK, предназначенный для силовой коммутации с управлением от 5-вольтовой логики. На сегодня снят с производства Intersil, заменяется современными аналогами Infineon, Vishay, ON Semi (см таблицу выше).

Если вам необходимо, могу дополнительно:

• подобрать точный современный аналог (pin-to-pin) из доступных на складах;
• рассчитать потери мощности и нагрев для вашего конкретного применения;
• сравнить с конкретным MOSFET, который у вас уже есть в схеме.