Microsemi 1N5525

Microsemi 1N5525 (ныне принадлежит Microchip Technology) — это прецизионный (точный) кремниевый стабилитрон (диод Зенера) с напряжением стабилизации около 5.1 Вольта.

Он относится к серии 1N5518 - 1N5546 (серия «B»), которая славится чрезвычайно низким температурным коэффициентом напряжения (ТКН) и высокой стабильностью. Эти диоды разработаны для использования в эталонных источниках напряжения, где требуется высокая точность.

Технические характеристики (Datasheet)

Ниже приведены номинальные значения согласно оригинальной спецификации Microsemi.

Электрические параметры (при T = 25°C):

• Номинальное напряжение стабилизации (Vz): 5.1 В (реальный разброс зависит от суффикса).
• Диапазон напряжения (Tolerance):
  • 1N5525 (без суффикса): ±5% (4.845 – 5.355 В)
  • 1N5525A: ±2% (4.998 – 5.202 В)
  • 1N5525B: ±1% (5.049 – 5.151 В)
• Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 500 мВт (0.5 Вт) при температуре до 50°C (с понижением при повышении температуры).
• Максимальный прямой ток (IF): 200 мА.
• Рабочий ток тестирования (IZT): 5 мА (тестовый ток, при котором измеряются параметры).
• Максимальное динамическое сопротивление (ZZT): Не более 12 Ом (при токе тестирования 5 мА).
• Температурный коэффициент напряжения (ТКН/TC): +0.005 %/°C (50 ppm/°C) — ключевая характеристика. Это очень низкий показатель, достигаемый специальным легированием.
• Максимальное напряжение шума (ЭД): Обычно указывается для этой серии как низкое (около 20 мкВ) на частоте 10 Гц - 10 кГц (зависит от конкретной партии).
• Диапазон рабочих температур (Tj): -65°C до +175°C (температура перехода).
• Корпус: DO-35 (DO-204AH) — стеклянный герметичный цилиндрический корпус с гибкими выводами (аксиальный монтаж).

Предельные характеристики:

• Напряжение пробоя (максимальное обратное для данной мощности): стандартное Vz.
• Импульсный ток (не повторяющийся, 1 мс): до 2 А.

Парт-номера и совместимость (Cross-Reference)

Официальные обозначения Microsemi (по суффиксам точности):

• 1N5525 (5% / без суффикса)
• 1N5525A (2%)
• 1N5525B (опционально, точный 1%)
• 1N5525UR — версия в корпусе SOD-80 (мини-МЭЛФ, бескорпусная для поверхностного монтажа SMD).

Аналоги / Совместимые модели (Cross-Reference):

Самая распространённая замена (даже чертеж корпуса совпадает) — это диоды американской спецификации 1N46 и серии 1N52 промышленного класса.

1. Лучший, доступный аналог:

   • 1N5231B и 1N5231 (это очень часто встречающийся стабилитрон на 5.1 В, низкая мощность 500 мВт, DO-35). У него спецификация точности (B — 5%), но сам параметр по напряжению и корпусу идеален.

2. Аналог по токосъему и назначению (прецизионные):

   • Серия 1N5518B...1N5546B — собирательный заводской аналог для всей серии (у других производителей).
   • 1N829A, 1N825A — высокоточные температурно-компенсированные стабилитроны с близким напряжением (в других корпусах, обычно 6.2В, но серия 5525 ставится как дешевая альтернатива с шумом похуже).

3. Импортные числовые аналоги (старые стандарты Германии и США):

   • Военная серия 1N752A (также 5.1В, но электроника старее, сопротивление выше).
   • 1N757; и BZX55C5V1 (европейская сборка с рисками выгорания, но по напряжению полностью совпадает.

Важно: Замена возможна только на диоды, соответствующие по напряжению стабилизации K 5.1В и тепловым режимам (не более 0.5Вт). Если в схеме критично точное опорное напряжение (например, в ЦАП или эталонном источнике), важно взять версию более ТОЧНУЮ с разбросом ±5% и дополнительно подобрать по току, промерив реальное напряжение, так как жесткого военного «1N4620» здесь первым попавшимся CCBY заменить не стоит — имеет значение температурный коэффициент.