Microsemi 1N5802 — Описание, характеристики, парт-номера

Описание

1N5802 — это кремниевый быстродействующий выпрямительный диод (fast recovery rectifier) производства Microsemi (ныне в составе Microchip Technology). Диод предназначен для применения в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях и схемах, где требуются высокое быстродействие и надёжность.

Относится к семейству 1N5802–1N5806 (1N5802, 1N5803, 1N5804, 1N5805, 1N5806). Эти диоды выпускаются в герметичных металлических корпусах и отличаются высокой стойкостью к радиации и температуре. Диод имеет JEDEC-регистрацию и соответствует стандарту MIL-PRF-19500 (JAN, JANTX, JANTXV уровни качества).

Микросхема часто используется в военной, аэрокосмической и телекоммуникационной аппаратуре.

Технические характеристики (1N5802)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | Кремниевый fast recovery rectifier | | Корпус | Металлический (DO-35 / DO-41 стеклянный; в варианте Microsemi — axial lead, герметичный) | | Максимальное обратное напряжение (V_RRM) | 100 В | | Средний выпрямленный ток (I_O) | 1 А при T_A = 75 °C | | Пиковый импульсный ток (I_FSM) | 35 А (8,3 мс, одиночный импульс) | | Прямое падение напряжения (V_F) | 0,95 В макс. при I_F = 1 A, T_A = 25 °C | | Время обратного восстановления (t_rr) | 30 нс макс. (при I_F = 0,5 A, I_R = 1 A, I_rr = 0,25 A) | | Обратный ток утечки (I_R) | 1 мкА макс. при V_R = 100 В, T_A = 25 °C | | Рабочая температура перехода (T_J) | −65 … +175 °C | | Температура хранения | −65 … +175 °C | | Ёмкость перехода (C_J) | ~ 15 пФ | | Рассеиваемая мощность | ~ 1 Вт (зависит от условий монтажа) | | Уровень качества | JAN / JANTX / JANTXV / JANS |

Точные значения могут незначительно различаться в зависимости от партии и уровня качества (JAN, JANTX, JANTXV, JANS). Рекомендуется сверяться с официальным datasheet Microsemi/Microchip.

Парт-номера (Part Numbers)

Один и тот же диод 1N5802 может поставляться под разными обозначениями в зависимости от уровня скрининга и упаковки:

По уровню качества (MIL-PRF-19500)

| Парт-номер | Уровень качества | Примечание | |---|---|---| | 1N5802 | Commercial / Industrial | Базовый вариант | | JAN1N5802 | JAN | Military, базовый военный уровень | | JANTX1N5802 | JANTX | Повышенная надёжность | | JANTXV1N5802 | JANTXV | Ещё выше (100% скрининг) | | JANS1N5802 | JANS | Space-grade, космический уровень | | JAN1N5802US | JAN, корпус US | Surface-mount вариант | | JANTX1N5802US | JANTX, US | SMD | | JANTXV1N5802US | JANTXV, US | SMD | | JANS1N5802US | JANS, US | SMD, космос |

Суффикс "US" обозначает уменьшенный surface-mount корпус (sq. ceramic package).

Обозначение Microsemi/Microchip

Microsemi обычно указывает полный парт-номер, например:

• 1N5802
• JAN1N5802
• JANTX1N5802
• JANTXV1N5802
• JANS1N5802
• 1N5802US, JAN1N5802US, и т.д.

Также в каталоге Microsemi могут встречаться внутренние артикулы (например, 1N5802E3 — RoHS-версия, где E3 означает соответствие директиве RoHS). Такие后缀 уточняйте у поставщика/в актуальном datasheet.

Совместимые и аналогичные модели

Прямые аналоги того же семейства (отличаются только V_RRM и I_O)

| Модель | V_RRM | I_O | t_rr | |---|---|---|---| | 1N5802 | 100 В | 1 А | 30 нс | | 1N5803 | 150 В | 1 А | 30 нс | | 1N5804 | 200 В | 1 А | 30 нс | | 1N5805 | 300 В | 1 А | 30 нс | | 1N5806 | 400 В | 1 А | 30 нс |

Прямые кросс-аналоги других производителей

• MUR110 (Motorola/ON Semi, 100 В, 1 А, 30–50 нс)
• MUR1100 (1000 В, 1 А — перекрывает с запасом по напряжению)
• UF4002–UF4004 (100–400 В, 1 А, 50–75 нс) — близкие по функциям, но не MIL-класса
• BYV26, BYW29 — быстродействующие, европейские аналоги
• 1N4933–1N4937 (50–600 В, 1 А, 200 нс) — более медленные, ниже требования
• STTH1102 (100 В, 1 А, 20 нс) — STMicroelectronics, параметры близки

Для военных/космических приложений рекомендуется использовать именно Microsemi/Microchip JAN/JANTX/JANTXV/JANS версии — они полностью педализированы по стандарту MIL и допускаются к судьбе SMD "US" варианта.

Совместимые замены (PIN-to-PIN)

• Любой из 1N5802…1N5806 может быть установлен вместо 1N5802 при условии, что рабочее напряжение не превышает 200–300 В — но время восстановления сохраняется, а некоторые ёмкостные и температурные параметры могут отличатьсянтоль незначительно.

Типичные области применения

• Импульсные источники питания (Switched-Mode Power Supplies, SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы
• Схемы защиты от обратных токов и выбросов
• Телекоммуникационное оборудование
• Авиационная и военная электроника (JAN уровень)
• Космические системы (JANS уровень)

Важное замечание

Данные приведены по allgeme-публичным документам Microsemi/Microchip и стандарту MIL-PRF-19500. Для точного проектирования обязательно проверяйте актуальный datasheet по конкретному парт-номеру (например, JANTXV1N5802US может иметь немного отличные параметры корпуса и t_rr от коммерческого 1N5802). Официальный источник — Microchip Technology (formerly Microsemi) и раздел "Discrete Diodes / Rectifiers".

Если нужно, могу оформить это как дизайн-ноту (Markdown/PDF-like) или сделать таблицу сравнения 1N5802 с конкретными возможными заменами по параметрам.