Microsemi 1N5809

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для диода Microsemi 1N5809.

Описание

Microsemi 1N5809 — это мощный выпрямительный диод Шоттки с барьером металл-полупроводник. Он предназначен для использования в схемах, где критически важны высокая эффективность и малое падение напряжения в прямом направлении.

Ключевые особенности и применение:

• Низкое прямое падение напряжения (Vf): Обычно около 0.55В при номинальном токе. Это значительно меньше, чем у стандартных p-n выпрямительных диодов (0.7-1.1В), что приводит к меньшим потерям мощности и нагреву.
• Высокая скорость переключения: Диоды Шоттки не имеют накопления неосновных носителей заряда, поэтому обладают очень малым временем восстановления. Это делает их идеальными для импульсных источников питания (SMPS), DC-DC преобразователей, цепей свободного хода (flyback) и цепей обратной полярности.
• Основные применения: Выходные выпрямители в блоках питания компьютеров и серверов, низковольтные силовые преобразователи, солнечные панели, системы управления батареями, а также в качестве защитных диодов.

Технические характеристики (Типовые / Максимальные)

Приведены данные для типичных условий, если не указано иное. Всегда сверяйтесь с официальным даташитом для критичных применений.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Максимальный постоянный прямой ток | I_F(AV) | 15 А | — | | Пиковый повторяющийся импульсный ток | I_FRM | 150 А | Длительность 10 мс, синусоидальная волна | | Максимальное обратное напряжение | V_RRM | 40 В | — | | Прямое падение напряжения | V_F | 0.55 В (макс. 0.7 В) | При I_F = 8 А, T_J = 25°C | | Обратный ток утечки | I_R | 1.0 мА (макс.) | При V_R = 40 В, T_J = 25°C | | Максимальная температура перехода | T_J | 150 °C | — | | Температура хранения | T_STG | от -65 °C до +150 °C | — | | Тип корпуса | — | DO-201AD (ранее DO-27) | Осевой выводной корпус для монтажа на плату или в клеммник. |

Важное примечание: Диоды Шоттки характеризуются повышенным обратным током утечки (I_R), который сильно возрастает с повышением температуры. Это необходимо учитывать при проектировании систем с высокими рабочими температурами.

Парт-номера и Совместимые модели

Диод 1N5809 является стандартизированным изделием, и его производят множество производителей кроме Microsemi (ныне часть Microchip). Модели с тем же номером 1N5809 от других брендов являются прямыми аналогами.

Прямые аналоги (1 к 1 замены):

• ON Semiconductor (ныне тоже часть onsemi) — 1N5809
• Vishay — 1N5809
• Diodes Incorporated — 1N5809
• STMicroelectronics — 1N5809
• Comchip Technology — 1N5809
• GeneSiC Semiconductor — 1N5809

Функционально совместимые модели (схожие параметры):

При замене необходимо проверять распиновку и характеристики, особенно V_RRM и I_F(AV).

• Серия SB15xx (ON Semiconductor, Diodes Inc. и др.): Например, SB1540 (15А, 40В). Часто используется в SMD-корпусах, но есть и в DO-201AD.
• SK15xx (Vishay, SEMIKRON): Например, SK1540 (15А, 40В).
• MBR15xx (International Rectifier, Vishay): Например, MBR1540 (15А, 40В). Это также популярная серия диодов Шоттки.
• 1N581x серия: Более распространенная серия, но с меньшим током (1N5819 — 1А, 40В). Не является заменой по току! 1N5809 значительно мощнее.
• 1N582x серия: Ближе по току (1N5822 — 3А, 40В), но все равно уступает 1N5809 (15А).

Ключевые параметры для поиска аналога:

Если 1N5809 недоступен, ищите диод Шоттки со следующими характеристиками:

• V_RRM: 40 В (можно брать с запасом, например, 45В, 60В, но не ниже).
• I_F(AV): 15 А.
• Корпус: DO-201AD (DO-27) или его SMD-эквивалент с учетом теплоотвода (например, D²PAK, TO-220).
• Тип: Выпрямительный диод Шоттки (Schottky Barrier Rectifier).

Рекомендация: Всегда проверяйте актуальный даташит (datasheet) конкретного производителя перед заменой в критичном применении, так как некоторые параметры (например, зависимость Vf от температуры, точное значение I_R) могут незначительно отличаться.