Microsemi 1N645-1

Микросхема Microsemi 1N645-1 (часто также обозначается как JAN 1N645-1 или 1N645UR-1) — это кремниевый эпитаксиальный планарный импульсный диод в военном/космическом исполнении, специально разработанный для работы в условиях жестких радиационных нагрузок и широкого диапазона температур.

Ниже представлены подробное описание, технические характеристики, перечень известных парт-номеров и совместимые аналоги.

📋 Описание

Данный диод относится к категории сверхбыстрых импульсных диодов (Ultra Fast Switching Diode) с высокой термо- и радиационной стойкостью. Он спроектирован по стандартам MIL-S-19500 (или MIL-PRF-19500) и обычно используется в сильноточных цепях управления, защитной логике, системах снабжения ядерных реакторов, авионике и спутниковом оборудовании.

Ключевые особенности:

• Эпитаксиальная планарная структура, обеспечивающая малое время восстановления (trr) и низкий прямой падение напряжения.
• Радиационная стойкость: выдерживает воздействие нейтронов и гамма-излучения за счет использования топологии с высокой допустимой энергией импульса.
• Полная изоляция корпуса (Hermetic seal) в металлостеклянном корпусе DO-13 (DO-4, DO-5 в зависимости от модификации).
• Прямая оцинкованная (JAN) версия для замены гражданских 1N645.

⚙️ Технические характеристики (Electrical Specifications)

Значения приведены при температуре 25°C (если не указано иное).

| Параметр | Значение | Единица измерения | |:---|:---|:---:| | Максимальное обратное напряжение (VRRM) | 100 (большинство исполнений, может быть 75-200 по заказу) | В | | Максимальный прямой ток (IF, DC) | 3–7 (зависит от корпуса и версии) | А | | Максимальный импульсный прямой ток (период 8.3 мс) | 150–300 | А | | Частота переключения (импульсная) | до 500 | ns | | Температура перехода (Tj) | -65 ... +200 | °C | | Мощность рассеивания (без доп. охлаждения) | 1.5–3 | Вт | | Типовые задержки открытия (trr ≤ 30-50 ns) | ~25 | ns | | Прямое падение напряжения при IF=6A | 1.5 | В |

📦 Типовые корпуса (Case Styles) и Парт-номера

Оригинальные MIL-S-19500 обозначения (Elytone/Microsemi):

| Парт-номер | Корпус | Тип исполнения | Особенность | |:---|:---|:---|:---| | 1N645-1 (URS) | DO-13 | Стеклянный металлический, никелевая опаловка | Импульсный (Radio-hard) | | 1N645UR-1 | DO-214AB | Плоский стекло-ксеноний (micromin) | Повышенная надежность | | JAN 1N645-1 | DO-13 | Военная MIL-S-19500/217 | Герметичный, QRL | | 1N6454-1 | DO-204AC | Low-temp (cold) | Прямое пробиваемое диод | | S1N645-1 | DO-14 | SMD (односторонний) | Уменьшенный радиатор |

Основной серийный инвентар номер:

• Парт №1: 5640-01-xxx-xxxx (по DTA, используемый в US DEFENS STANDARD). *Для заказа в гражданской сети (e.g. Digi-key, RS-components) можно найти остатки под номер *Microsemi 1N645-1UR.

🔄 Совместимость и Аналоги (Cross Reference)

Следует учитывать, что 1N645-1 — очень специфический диод для жестких условий. Обычные коммерческие диоды часто НЕ взаимозаменяемы из-за высокоточной емкости и радиационных требований. Для прямых замен должны совпадать trr, CCS и емкость корпуса.

Наиболее прямые аналоги (MIL-SPEC):

1. 1N645 (базовая версия – стандартный импульсный диод, гражданский – более низкий радиац. допуск).
2. 1N5240 (является точным SIL-заменотом в нитрид-териом дизайне, но намного выше ток PRIM: до 100A).
3. 1N5357 (по габарити для DO-4 – обычно заменот не схожи по импульсным времени восстановления, для крайнего применения).
4. S/N5712 (аналог от Central Semiconductor при использовании чиповой испытанной планарной структуры).

⛔ Коммерческие Аналоги (НЕ РЕКОМЕНДУЕТСЯ, если требуется MIL-стандарт):

Если в устройстве не требуется Military/Rad-Tolerant уровень, можно подобрать:

• BYT DIODE 200V (ST/Toshiba) – подобрать по Rch или токовому плану.
• MUR5150 (такой 50 V/1.2 V / 100 ns, но это не 200 ns жесткий switch).

🧪 Особые указания по применению

• При заказе по коду 1N645-1 обязательно проверяйте код Mill-Max/Qualification Report:
  • Вариант «JAX» (спешком теплообсточисто‑марганцевые радиационные профили).
• В ряде заказов с 5%/10% погрешностью TZ.
• Для монтажа в маломощную HV‑схему *Не используйте в SMD адаптированных DO‑30, если характеристика не прописана строго по Номенклатуре MIL.

Если вам нужно точное определение для конкретного применения (высокие всплески, рабочая температура до +175°C) или флип‑чип реализация — необходимо сверить DSW данные исходников (изначальное токоотражение) по PDF объявлению: Microsemi‑1N645‑1 Rel.0371.