Microsemi 2n3716

Вот подробное описание, технические характеристики и данные о совместимости для транзистора Microsemi 2N3716.

Описание

2N3716 — это мощный кремниевый NPN биполярный транзистор (BJT), предназначенный для использования в усилителях мощности и высокоскоростных переключающих схемах.

Он относится к классу так называемых «линейных» транзисторов, которые способны рассеивать значительную мощность (до 150 Вт) и работать с высокими напряжениями (до 80 В). Благодаря своим характеристикам, этот транзистор часто использовался в аудиоусилителях высокой мощности и в источниках питания. Компания Microsemi (ныне часть Microchip Technology) производила эту модель в металлическом корпусе TO-3, который обеспечивает отличный отвод тепла.

Основное применение:

• Выходные каскады аудиоусилителей (Hi-Fi).
• Импульсные источники питания (SMPS).
• Регуляторы напряжения.
• Схемы управления двигателями.

Технические характеристики (Datasheet)

| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип структуры | — | NPN | — | | Максимальное напряжение Коллектор-Эмиттер | (V_{CEO}) | 80 | В | | Максимальное напряжение Коллектор-База | (V_{CBO}) | 80 | В | | Максимальное напряжение Эмиттер-База | (V_{EBO}) | 5 | В | | Максимальный постоянный ток коллектора | (I_C) | 10 | А | | Максимальный импульсный ток коллектора | (I_{CM}) | 15 | А | | Рассеиваемая мощность (при (T_c = 25^\circ C)) | (P_{tot}) | 150 | Вт | | Коэффициент усиления по току (hFE) | (h_{FE}) | 20 – 60 | — | | Граничная частота усиления | (f_T) | 2 (мин) | МГц | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | (V_{CE(sat)}) | 1.5 (макс) при (I_C=5A) | В | | Максимальная температура перехода | (T_j) | 200 | °C | | Корпус | — | TO-3 (TO-204AA) | — |

Парт-номера (Part Numbers)

Поскольку производитель Microsemi, парт-номера могут включать различные вариации, зависящие от упаковки, грейда или экранирования, но основные артикулы выглядят так:

1. 2N3716 — Базовый парт-номер.
2. JAN2N3716 — Версия военного стандарта (JAN — Joint Army-Navy), с расширенным температурным диапазоном и严格 контролем качества.
3. JANTX2N3716 — Версия для военной промышленности с повышенной надежностью (TX).
4. JANTXV2N3716 — Версия военного стандарта с наивысшей надежностью (TXV).
5. (Возможны варианты с суффиксами, например 2N3716P, но для Microsemi это редкость, чаще меняется только военный префикс).

Совместимые модели и аналоги

Транзистор 2N3716 является частью известной пары комплементарных транзисторов. Комплементарным (парным) транзистором для него является PNP-транзистор 2N3789 (или его вариации). При сборке усилителей их обычно используют вместе.

Отечественные (советские/российские) аналоги:

• KT819Г, KT819Б (или весь ряд KT819) — схожие параметры, но корпус и цоколевка могут отличаться (нужно проверять перед заменой).
• KT808A — мощный NPN транзистор, но с другими характеристиками по току и частоте.
• 2T819А — военный аналог.

Импортные аналоги (зарубежные):

• 2N3055 — Очень популярный транзистор, но у него меньше максимальное напряжение ((V_{CEO}=60)В против 80В) и меньше коэффициент усиления. Он слабее, но часто используется как замена в некритичных схемах с низким питанием.
• 2N3773 — Более близкий аналог с высоким током, но разработан для других задач.
• MJ15003 / MJ15004 — Более современная пара, часто используется для замены устаревших 2N3716/2N3789. У них выше граничная частота и лучше характеристики.
• BDY56 — Европейский аналог.

Важные замечания при замене:

1. Цоколевка: Корпус TO-3 имеет два вывода (База и Эмиттер) и корпус (Коллектор). При замене на импортные аналоги в корпусе TO-3 (например, 2N3055) цоколевка обычно совпадает (1-Эмиттер, 2-База, Корпус-Коллектор), но всегда проверяйте даташит.
2. Изоляция: При установке на радиатор обязательно используйте слюдяную прокладку и изолирующие втулки, так как корпус connected к коллектору, который находится под напряжением.
3. Частота: 2N3716 — не высокочастотный транзистор (2 МГц). Не рекомендуется использовать его в схемах с частотой выше 1-2 МГц (например, в строчной развертке старых ТВ или импульсных БП с высокой частотой).