Microsemi APT1001RBN — Описание и характеристики

Описание

APT1001RBN — это мощный N-канальный MOSFET (MOSFET транзистор) производства компании Microsemi (ранее Advanced Power Technology, APT). Транзистор предназначен для работы в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых приложениях, требующих высокого напряжения и больших токов.

Корпус TO-247 обеспечивает отличный теплоотвод и удобство монтажа на радиатор. Транзистор относится к классу CoolMOS-подобных высоковольтных MOSFET с низким сопротивлением открытого канала.

Технические характеристики (APT1001RBN)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-Channel MOSFET | | Технология | Power MOS V (FREDFET) | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В | | Ток стока (I_D) @ 25°C | 11 A | | Ток стока (I_D) @ 100°C | ~7 A | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 1.0 Ом (макс.) при V_GS = 10 В | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2.0 – 4.0 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~60 нКл | | Входная емкость (C_iss) | ~2700 пФ | | Выходная емкость (C_oss) | ~260 пФ | | Проходная емкость (C_rss) | ~30 пФ | | Время нарастания (t_r) | ~22 нс | | Время спада (t_f) | ~18 нс | | Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 250 Вт @ 25°C | | Рабочая температура перехода | −55 … +150 °C | | Корпус | TO-247 | | Крепление | Фланец, изолированный/неизолированный вариант |

Особенности:

• Быстрое восстановление обратного диода (FREDFET)
• Высокое напряжение пробоя 1000 В
• Низкий заряд затвора для быстрого переключения
• Устойчивость к лавинному пробою (UIS)
• Высокая энергия лавинного пробоя

Парт-номера (Part Numbers)

Семейство аналогичных транзисторов MOSFET 1000 В в корпусе TO-247 от Microsemi/APT:

| Парт-номер | V_DSS | I_D | R_DS(on) | Примечание | |---|---|---|---|---| | APT1001RBN | 1000 В | 11 A | 1.0 Ом | Базовый, TO-247 | | APT1001RBNCR | 1000 В | 11 A | 1.0 Ом | Вариант упаковки/изоляции | | APT1001RBNU | 1000 В | 11 A | 1.0 Ом | Альтернативный вариант | | APT1002RBN | 1000 В | 8 A | 1.4 Ом | Меньший ток | | APT1003RBN | 1000 В | 6 A | 2.0 Ом | Меньший ток | | APT5010BVR | 500 В | 21 A | 0.45 Ом | Другое напряжение |

Примечание: Точные суффиксы (CR, U, N) зависят от партии, упаковки и варианта изоляции. Рекомендуется сверять с актуальным даташитом Microsemi/Microchip.

После поглощения Microsemi компанией Microchip Technology, продукт может выпускаться под маркировкой Microchip с прежним парт-номером.

Совместимые модели (аналоги/замены)

Транзисторы с близкими параметрами (1000 В, N-канал, TO-247) от других производителей, которые часто используются как замена:

| Производитель | Модель | V_DSS | I_D | R_DS(on) | |---|---|---|---|---| | Infineon | SPW11N100C3 | 1000 В | 11 A | 1.0 Ом | | Infineon | SPW17N100C3 | 1000 В | 17 A | 0.6 Ом | | ST Microelectronics | STP10NK100Z | 1000 В | 10 A | 1.2 Ом | | Vishay | IRFPG50 | 1000 В | 6 A | 2.0 Ом | | IXYS | IXFH12N100 | 1000 В | 12 A | 1.1 Ом | | IXYS | IXTH12N100L | 1000 В | 12 A | 1.1 Ом | | Toshiba | TK12A100 | 1000 В | 12 A | 1.0 Ом | | Microsemi | APT1001RBN (оригинал) | 1000 В | 11 A | 1.0 Ом |

⚠️ Важно: При замене обязательно проверять:

• Схему цоколёвки (G, D, S)
• R_DS(on) и заряд затвора
• Тип обратного диода (FREDFET vs обычный)
• Условия охлаждения

Типовое применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы для солнечных панелей
• Сварочные аппараты
• Приводы двигателей
• Зарядные устройства высокого напряжения
• Медицинское оборудование (рентген, дефибрилляторы)
• Лампы-вспышки и импульсные схемы

Если нужен точный даташит (с графиками, тепловыми расчётами и точными предельными значениями) — рекомендую скачать официальный PDF от Microchip Technology (наследник Microsemi) по парт-номеру APT1001RBN. Могу помочь найти конкретные данные, если уточните для какого применения нужен транзистор.