Microsemi APT100GT60JR — IGBT-транзистор

Описание

APT100GT60JR — это высоковольтный N-канальный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства компании Microsemi (ныне Microchip Technology). Относится к серии Thunderbolt IGBT с технологией Field Stop (FS), обеспечивающей низкие потери проводимости и переключения.

Транзистор предназначен для работы в высокочастотных силовых преобразователях: инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, приводах двигателей, в системах индукционного нагрева и солнечной энергетики. Корпус ISOTOP® обеспечивает отличный тепловой контакт с радиатором и низкую паразитную индуктивность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип прибора | N-канальный IGBT (одиночный) | | Технология | Field Stop (Trench FS) | | Напряжение коллектор–эмиттер (Vces) | 600 В | | Ток коллектора (Ic) при Tc=25°C | 100 А | | Ток коллектора (Ic) при Tc=80/100°C | ~75 А / ~55 А | | Напряжение насыщения Vce(sat) | ~1,7 В (тип. при Ic=100А, Vge=15В) | | Напряжение затвор–эмиттер (Vge) макс | ±20 В | | Пороговое напряжение Vge(th) | 4,5–6,5 В | | Время включения (ton) | ~90 нс | | Время выключения (toff) | ~250 нс | | Общий заряд затвора (Qg) | ~350 нКл | | Входная ёмкость (Cies) | ~12,6 нФ | | Рассеиваемая мощность (Ptot) при Tc=25°C | ~500 Вт | | Тепловое сопротивление Rth(j-c) | ~0,25 °C/Вт | | Рабочая температура перехода (Tj) | −55 … +150 °C | | Корпус | ISOTOP® (4 вывода, изолированное основание) | | Монтаж | Through-hole / на радиатор | | Изоляция | ~2500 В (RMS, 1 мин) |

Парт-номера и варианты поставки

• APT100GT60JR — базовый парт-номер (одиночный IGBT в ISOTOP)
• APT100GT60JRDL — версия с гальванической развязкой / специальной упаковкой (вариант)
• APT100GT60JR-Mod — модульная поставка Mod
• APT100GT60JRD — вариант упаковки (T/R, tube)

Также в составе префиксных серий встречаются кодовые обозначения:

• APT100GT60JR — Pb-free / RoHS-совместимый
• APT100GT60JR-G — в тубах
• APT100GT60JRTR — в лентах и катушках

Точные суффиксы зависят от партии/канала поставки; рекомендуется проверять у Microchip по actel/микрой указатель — часто указывается в формате APT100GT60JR и доп. поля Packaging.

Совместимые (аналоги / замены)

Прямых пин-в-пин аналогов мало из-за корпуса ISOTOP, но функционально/параметрически близкие приборы:

| Производитель | Модель | Примечание | |---|---|---| | Microsemi / Microchip | APT100GT60B2_ | вариант в TO-247 / ISOTOP | | Microsemi / Microchip | APT100GT60JU2 | 600В, ~100А, IGBT | | Microsemi / Microchip | APT100GT60JRDL | близкий вариант серии | | Infineon | IKW75N60T / IKW100N60T | 600В, 75–100А в TO-247 | | Infineon | IGW100N60H3 | 600В, 100А | | STMicroelectronics | STGW100N60K3 | 600В, 100А | | Fuji Electric | 1MBH100-060 | IGBT модуль | | IXYS | IXGK100N60 | 600В, ~100А | | Toshiba | GT100N60 | 600В, ~100А | | Semikron | SKM100GB063D | IGBT-модуль | | onsemi | FGL100N60SMD | IGBT аналогичного класса |

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы сварочных аппаратов
• Приводы двигателей (VFD)
• Индукционный нагрев
• Солнечные фотоэлектрические инверторы
• Системы PFC (коррекция коэффициента мощности)
• Бесперебойники (UPS)

⚠️ Примечание. Microsemi была приобретена Microchip Technology в 2018 году. Часть изделий серий IGBT снята с производства (NRND) — рекомендуется проверять статус жизненного цикла и замену (например, SiC MOSFET серии MSC или APT) на официальном сайте Microchip.com.

Если нужна спецификация конкретного параметра (графики SOA, ток короткого замыкания, тепловой расчёт) — скажите, распишу подробнее.