Microsemi APT30M85BVFR — N-канальный MOSFET

Описание

APT30M85BVFR — это N-канальный силовой MOSFET (полевой транзистор), производимый компанией Microsemi (ныне в составе Microchip Technology). Транзистор серии POWER MOS V® построен по технологии DMOS и предназначен для работы в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и других силовых приложениях с высоким быстродействием.

Корпус TO-247 (Variante "FR" — fast recovery / оптимизированный). Транзистор отличается низким сопротивлением открытого канала, высокой скоростью переключения и стойкостью к лавинному пробою.

Основное применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи
• Драйверы электродвигателей
• Сварка, индукционный нагрев
• Управление освещением и ШИМ-регуляторы

Технические характеристики (при Tj = 25 °C)

| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. | |---|---|---|---| | Тип канала | — | N-channel | — | | Напряжение сток-исток | V_DSS | 300 | В | | Ток стока (непрерывный) | I_D | 31 | А | | Ток стока (импульсный) | I_DM | 124 | А | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.085 | Ом | | Напряжение затвор-исток макс. | V_GS | ±30 | В | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 – 4.0 | В | | Крутизна | g_fs | 17 | См | | Заряд затвора (полный) | Q_g | 95 | нКл | | Емкость входная | C_iss | 4200 | пФ | | Емкость выходная | C_oss | 660 | пФ | | Емкость проходная | C_rss | 43 | пФ | | Время включения | t_on | 20 | нс | | Время выключения | t_off | 45 | нс | | Рассеиваемая мощность | P_D | 310 | Вт | | Рабочая температура перехода | T_j | -55 … +150 | °C | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_θJC | 0.4 | °C/Вт | | Корпус | — | TO-247 | — |

Парт номера (Part Numbers)

Оригинальные обозначения Microsemi/Microchip:

• APT30M85BVFR — базовый артикул (TO-247)
• APT30M85BVFRG — версия в корпусе TO-247 с улучшенными параметрами (RoHS)
• APT30M85BVR — аналог без индекса "F" (стандартный TO-247)
• APT30M85BNR — версия в корпусе TO-262 (I²PAK) / TO-263 (D²PAK) в зависимости от ревизии
• APT30M85JFLL — версия в изолированном корпусе ISOTOP (для некоторых линеек)
• APT30M85SVR — в корпусе D³PAK (TO-268)
• APT30M85KVFR — TO-220 (для младших моделей серии)

Точный список зависит от текущего каталога Microchip. Рекомендуется проверять по официальному сайту.

Совместимые аналоги и замены

Прямые аналоги Microsemi/Microchip:

• APT30M85BVR / APT30M85BVFRG — практически идентичные параметры
• APT30M90BVR — 300 В, 30 А, ~0.090 Ом (близкий)
• APT30M75BVR — 300 В, 32 А, ~0.075 Ом (лучше по R_DS(on))
• APT30M60BVR — 300 В, ~55 А, 0.060 Ом

Аналоги других производителей (300 В, N-ch, TO-247):

• IRFP450 / IRFP460 (Vishay / Infineon) — 500 В, аналогичный ток
• IXTH30N50 / IXTH34N50 (IXYS/Littelfuse) — близкая линейка
• STW30NM60N / STW34NM60N (STMicroelectronics)
• FQA32N50 / FQA40N50 (onsemi / Fairchild)
• SPW47N60C3 (Infineon) — более мощная замена при необходимости
• TK35E08K3 / TK39E65U (Toshiba)
• NTP30N45 / NVB30N45 (onsemi)

Критерии подбора замен:

1. V_DSS ≥ 300 В
2. I_D ≥ 30 А
3. R_DS(on) ≤ 0.100 Ом
4. Корпус TO-247 (или совместимый)
5. Проверить Q_g, C_rss для драйвера затвора

Рекомендации по использованию

• Драйвер затвора: используйте драйверы с током ≥ 1–2 А (например, TC4420, IRS2110, UCC27524) из-за высокого Q_g ≈ 95 нКл.
• Резистор затвора: 5–15 Ом для ограничения скорости нарастания dU/dt.
• Охлаждение: при непрерывной нагрузке >10 А обязателен радиатор (R_θJC = 0.4 °C/Вт).
• Защита: снабберы RC или TVS между стоком и истоком для подавления выбросов при переключении индуктивной нагрузки.
• Параллельное включение: возможно, но из-за разброса V_GS(th) желательно токовыравнивание (истоковые резисторы 0.1–0.5 Ом).

⚠️ Примечание: данные приведены по типовым datasheet-параметрам серии APT30M85. Для точных значений при разработке проекта всегда сверяйтесь с актуальной версией datasheet от Microchip Technology, т.к. параметры могут незначительно меняться от ревизии к ревизии.