Microsemi APT46GA90JD40 — IGBT-транзистор

Описание

APT46GA90JD40 — это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства компании Microsemi (ныне входит в Microchip Technology). Относится к серии Power MOS 8™ — линейке IGBT нового поколения, сочетающих низкие потери проводимости и высокую скорость переключения.

Данный прибор изготавливается по Non-Punch-Through (NPT) технологии с trench-gate структурой, что обеспечивает:

• Положительный температурный коэффициент насыщения (удобство параллельного включения)
• Отсутствие эффекта защёлкивания (latch-up)
• Устойчивую работу в режиме КЗ (короткого замыкания)
• Низкий заряд затвора и малую входную ёмкость

Корпус: TO-247 (изолированный, тип "JD" — со встроенной изоляцией и высокой теплоотдачей).

Транзистор предназначен для применения в:

• Инверторах для сварочного оборудования
• Импульсных источниках питания (SMPS)
• Приводах двигателей (motor drives)
• ИБП (UPS)
• Индукционном нагреве
• Солнечных и ветровых инверторах

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип прибора | IGBT (N-канал), одиночный | | Напряжение коллектор-эмиттер V_CES | 900 В | | Ток коллектора I_C (T_C=25°C) | 80 А | | Ток коллектора I_C (T_C=100°C) | 46 А | | Импульсный ток I_CM | ~150 А | | Напряжение насыщения V_CE(sat) | 2,2 В (тип.) при I_C=46 А, V_GE=15 В | | Пороговое напряжение V_GE(th) | 4…6 В | | Заряд затвора Q_g | ~180 нКл | | Входная ёмкость C_iss | ~5,5 нФ | | Время нарастания t_r | ~25 нс | | Время спада t_f | ~45 нс | | Рассеиваемая мощность P_tot (T_C=25°C) | 350 Вт | | Рабочая температура перехода T_j | −55…+150 °C | | R_θJC (тепловое сопротивление) | 0,4 °C/Вт | | Тип корпуса | TO-247 (изолированный) | | Особенности | FRED (быстрый диод не встроен), антипараллельный Fast Recovery Epitaxial Diode — в некоторых модификациях |

Точные значения по конкретному даташиту могут отличаться незначительно — сверяйтесь с официальным документом Microchip/Microsemi.

Парт-номера (Part Numbers)

Основное обозначение:

• APT46GA90JD40 — базовый парт-номер, IGBT 900 В / 46 А, TO-247 изолированный, серия Power MOS 8

Возможные варианты поставки и аналогичных обозначений (та же серия, различное исполнение):

• APT46GA90B — вариант в корпусе TO-247 (неизолированный)
• APT46GA90JDQ — исполнение в корпусе с улучшенной изоляцией
• APT46GA90S — вариант в корпусе TO-268 (D3PAK) либо иное исполнение поверхностного монтажа
• APT46GA90BD40 — модификация с интегрированным быстрым диодом (FRED)
• APT46GA90JD40G — вариант с маркировкой/испытаниями по стандарту Green

⚠️ Точные парт-номера и их наличие зависят от дистрибьютора и текущего статуса жизненного цикла (многие позиции Microsemi переведены в статус NRND — Not Recommended for New Designs). Рекомендуется проверять актуальный статус у Microchip Technology.

Совместимые / аналогичные модели

Прямые аналоги по параметрам (900 В / ~46–50 А, IGBT, TO-247):

| Производитель | Модель | Примечание | |---|---|---| | Infineon | IKW40N120H3 | 1200 В / 40 А, аналог по применению | | Infineon | IKW50N65H5 | другая шкала напряжений | | STMicroelectronics | STGW40H120DF2 | 1200 В / 40 А, с диодом | | ON Semiconductor | FGL40N120AND | 1200 В / 40 А, с антипараллельным диодом | | Toshiba | GT50J325 | 600 В IGBT | | IXYS | IXXK110N65B4H1 | 650 В / 110 А, другой класс | | IXYS | IXGH40N120C3D1 | 1200 В / 40 А, прямой функциональный аналог | | Microchip/Microsemi | APT40GF120JRDQ3 | аналог предыдущего поколения | | Microchip/Microsemi | APT50GF120LRDQ2 | с быстрым диодом, серия Power MOS 7 |

Замена внутри линейки Microsemi (серия Power MOS 8):

• APT45GA90BDQ — 900 В / 45 А, близкий по параметрам
• APT47GA90BN — вариация по току/исполнению
• APT60GA90B — 900 В / 60 А, при увеличении запаса по току

Совместимые драйверы и элементы обвязки

Для управления IGBT рекомендуются драйверы с изоляцией и достаточным током затвора (2–6 А):

• Microchip/Microsemi серия MIC4451/4452
• Infineon 1ED020I12-F2, 2EDL серии
• Avago/Broadcom HCPL-316J, ACPL-332J
• STMicroelectronics TD350, L6390
• IR/Infineon IR2110, IR2136 (для низковольтных применений)
• Texas Instruments UCC21710, ISO5852S

Типовые рекомендации обвязки:

• R_G(on): 5–15 Ом
• R_G(off): 5–20 Ом
• Драйверная цепь V_GE: +15/−8…−10 В (отрицательное смещение для надёжного запирания)

Примечание

Продукция под брендом Microsemi после присоединения к Microchip Technology (2018) официально поддерживается как линейка Microchip Power Products. Перед проектированием обязательно проверьте продукт на сайте microchip.com и убедитесь в его актуальном статусе — часть старых парт-номеров снята с производства (Obsolete) или переведена в NRND. В качестве альтернативы Microchip предлагает SiC MOSFET и IGBT нового поколения (например, серии APT и MSC).

Если нужны точные параметры по конкретному даташиту (кривые, энергии переключения, SOA), сообщите — подготовлю выдержку из документа.