Microsemi APT47N60BC3G — Описание и характеристики

Общее описание

APT47N60BC3G — это N-канальный MOSFET (полевой транзистор) производства Microsemi Corporation (ныне подразделение Microchip Technology), выполненный по технологии Power MOS 8™. Транзистор предназначен для работы в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, драйверах двигателей и других силовых приложениях с высоким напряжением и током.

Корпус — TO-247 (BC3G — вариант исполнения с изолированным/неизолированным фланцем, в зависимости от партии). Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, высокой скоростью переключения и повышенной лавинной стойкостью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип прибора | N-канальный MOSFET (обогащённый) | | Технология | Power MOS 8™ | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В | | Ток стока (I_D) при 25 °C | 47 А | | Ток стока (I_D) при 100 °C | ~30 А | | Сопротивление сток-исток в открытом состоянии R_DS(on) | 0.07 Ом (типовое, при V_GS = 10 В, I_D = 23.5 А) | | Пороговое напряжение затвора V_GS(th) | 3…5 В | | Максимальное напряжение затвор-исток V_GS | ±30 В | | Заряд затвора Q_g | ~ 175 нКл (тип.) | | Входная ёмкость C_iss | ~ 5250 пФ | | Выходная ёмкость C_oss | ~ 700 пФ | | Проходная ёмкость C_rss | ~ 65 пФ | | Время нарастания t_r | ~ 18 нс | | Время спада t_f | ~ 12 нс | | Время задержки включения t_d(on) | ~ 22 нс | | Время задержки выключения t_d(off) | ~ 60 нс | | Рассеиваемая мощность P_D (25 °C) | 543 Вт | | Рабочая температура кристалла T_j | −55…+150 °C | | Тепловое сопротивление R_thJC | 0.23 °C/Вт | | Корпус | TO-247 |

Парт-номера (Ordering Information)

Основные варианты маркировки и заказа:

• APT47N60BC3G — базовый парт-номер, корпус TO-247
• APT47N60BC3G-Mod — модифицированные/отбракованные варианты
• APT47N60B2C3G — вариант в корпусе TO-247 (удлинённые выводы)
• APT47N60SC3G — в корпусе TO-268 (D3PAK) — поверхностный монтаж
• APT47N60JC3G — в корпусе SOT-227 (ISOTOP)
• APT47N60LC3G — в корпусе TO-264

Примечание: суффиксы C3G, B2C3G и т.п. обозначают тип корпуса и версию технологии Power MOS 8. Перед заказом рекомендуется сверяться с актуальным datasheet на сайте Microchip.

Совместимые (аналогичные/заменяемые) модели

Прямые аналоги по параметрам (600 В, ~45–50 А, R_DS(on) ≈ 0.07 Ом, TO-247):

• APT47N60B / APT47N60BC3 — предыдущее поколение
• STW45NM60 (STMicroelectronics)
• IXFH50N60P3 (IXYS/Littelfuse)
• SPW47N60C3 (Infineon) — очень близкий аналог
• SPW47N60CFD (Infineon, с быстрым диодом)
• FCH47N60F (ON Semiconductor / Fairchild)
• FCA47N60 (ON Semiconductor)
• IRFP460 — более слабый (500 В, 20 А), применяется как «грубый» аналог в низконагруженных схемах
• R6047ANX (Rohm)
• TK50E60U (Toshiba)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS, PFC)
• Инверторы для солнечной энергетики
• Сварочные аппараты
• Приводы и драйверы двигателей
• Управление лампами (HID-балласты)
• Зарядные устройства и DC-DC преобразователи

Примечание

Приведённые параметры — типовые по datasheet. Для точных значений (например, температурных зависимостей R_DS(on), графиков SOA, лавинной энергии E_AS) следует обращаться к официальному документу Microsemi/Microchip APT47N60BC3G Datasheet.

Если нужно — могу отдельно расписать цоколёвку (pinout) TO-247, рекомендации по драйверу затвора или схему защиты от выбросов.