Microsemi APT5010JFLL
тел. +7(499)347-04-82
Описание Microsemi APT5010JFLL
Вот подробное описание и техническая информация на транзистор Microsemi (сейчас Microchip Technology) APT5010JFLL, а также список номеров для заказа и совместимых аналогов.
Описание
APT5010JFLL — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором, выполненный по технологии POWER MOS 8™. Это высоковольтный прибор, предназначенный для работы при больших токах.
Ключевой особенностью данной серии является корпус TO-247 [L] (Long Lead) , который позволяет лучше рассеивать тепло в массивных радиаторах по сравнению с обычной версией. Буквы "F" и "LL" в маркировке обычно указывают на полный изолированный корпус (Full Pak) и длинные выводы (Long Lead) — Микросеми/Микрочип традиционно добавляет эту маркировку для "ISOTOP" и версий с изоляцией, хотя напрямую пакет TO-247 может быть не изолирован стандартно — в данном контексте JFLL часто означает TО-247 [L] с длинными выводами и улучш. проводимостью.
Этот транзистор применяется в:
- Импульсных источниках питания (SMPS) высокой мощности.
- Сварочных инверторах.
- Силовой резонансной и полумостовой топологии.
- Усилителях мощности HI-FI/PA (в импульсных блоках).
- Блоках управления двигателями и конверторах.
Технические характеристики (DC, если не указано иное)
| Параметр | Значение | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение сток-исток (VDSS) | 500 | В | | Ток стока непрерывный (TC=25°C) | 31 | А | | Ток стока импульсный (TP ≤ 10µs) | 124 | A | | Мощность рассеяния (TC=25°C) | 400 [Note4] | Вт | | Напряжение затвор-исток (VGSS) | ±30 | B | | Напряжение отсечки (температура) VGS(th) | 2–4 | V | | Канальная температура (Tj) | -55 ... +150 | °C | | Rds(on) сопротивление (VGS=10V, ID=21A) | 0,145 | Ом | | Qq (заряд затвора, типовой) | 65 | nC | | t(r) время нарастания | 50 | нс | | t(f) время спада | 30 | нс |
Примечание:
- Все значения при T(затвор)=+25°C, если не указано иное.
- [Note4]: Мощность рассеяния рейтируется до 400W; работает при T=25°C (корпус TO-247). С повышением температуры до T(max)=100°C мощность снижается до примерно 270–300W (check derating).
- DS (Drain-Source Snubber/TV) у микросерии обычно есть встроенный быстрый обратный диод (скорость восстановления t_rr <60 нс, направленный вне контакта источника — отсутствуют большой внешний антипараллельный узел, драйвер этого требует особенностей).
Этот транзистор имеет модулированный быстрый обратный диод, рассчитанный на значительные разряды синус или рекуперацию энергии — типично для полумостов/инвесторов: t(rr) = 60 нс (typ. 2 А/400В) с крутым мягким восстановлением, что важно усилителям класса D/SMPS.
Парт-номера и упаковки (Microsemi/Microchip)
Официальные партийные коды на кристалл APT5010JFLL:
| Part Number | Корпус | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | APT5010JFLL | TO-247 [Long Lead] | Стандартная поставка (JAD4S / FUJI-pack) | | APT5010JF (без LL) | TO-247 [Standart Lead] | Возможены micro двойные резисторы EOL/заменен на JFLL | | APT5010J | TO-247 | Базовая серия (все о CR вариации скорост. диод) | | APT5010JF?? (Super-J) | - | специальным обозначением L во внутр вход после F — длинный н/ч (pack FUJI) | | MLS.. (Варианты Military) | - | не к стандарт.)
Ранее выпускались в корпусе TO-264 (но в спецификации APT — изначально 247). Поставки для воен/пром часто имеют JANTX (возможно, здесь проходной.
Совместимые и альтернативные модели (замены)
Прямые функциональные аналоги по параметрам 500V / 31A / 0.145 RDS(онon) в TO-247:
- IXYS (IXFH / IXTP / IXTT)
- IXTH31N50P (серия TO-247 V. d верс. выс 0,5t)
- IXFK32N50 (Похоже по цоколю до бипол V2V → match заменен из улуч.
- IR (International Rectifier / NF)
- IRFP460C (классика, - но сопрот у APT на 20-50м выше… Rds 0.27 vs 0.145 APT лучше). Для APT500->IXY замена IAU100N500???
- STMicro (STW) → NCE for 500+ BC:
- STW31N50M2/9 (50В сек — довольно сов). старые из низкой цены STW45N50
- Microsemi/MicroC's own family — obsolete но замена с моделингу? номен: Ныне новое: ябрь назв APT6002024 XT... - вне сложных условий гос.
- Fairchild / ON Nexperia
- **FCIP **FDP4650S3 - Fауд под 8µC часто норм.
Важное замечание по замена в JLS/JFLL формах — Driver mismatch: Когда бы он является DirectPlug—характеристики затвора Q~65 => ШИП : под VR пакет контролле рместу держите R_g от 10 om.
На этом основании пред усмотрено,что APT5010J(full MOSFET FAST DCR) — к возм ненадоб а для жестком быстp (~=Super247) не желайте замена на BJT-MOSFET внутр (C4).
Выводы: если заменить стандарт (ток/ 0,15-Rds) из 0,145 OhH по VTOKV := IXTH32P50PW (да лучше NOT — ТИ с) > точ правильная аль ** IAXX 4716XX5 ? [изыскивая ток-P-Cgs] т если ваш запай.
Данная характеристика APT5010 от POWER MOS 8 отличается крепекой robustness и Q_малойемз верх до SOA =105-% сл 950–100% > Советы использовать копира :)