Microsemi Apt50gn60bdq2g

Microsemi (Microchip) APT50GN60BDQ2G — это силовой IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) с встречно-параллельным диодом, предназначенный для высокоскоростной коммутации в промышленной электронике.

Краткое описание

Данный компонент относится к серии POWER MOS 7 от компании Microsemi (ныне Microchip Technology). Он использует технологию PT (Punch-Through — с пронзающим слоем) и обеспечивает низкое падение напряжения в открытом состоянии в сочетании с высокой скоростью переключения. Встроенный диод является ультрабыстрым (soft-recovery) и оптимизирован для работы с IGBT без необходимости в дополнительных внешних снабберах для ограничения перенапряжений.

Технические характеристики (Datasheet)

| Параметр | Значение | Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Предельные параметры | | | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_ces) | 600 В | Максимальное постоянное напряжение | | Напряжение коллектор-база (V_cbes) | 600 В | Обычно равно V_ces для этого класса | | Ток коллектора постоянный (I_C при T_c=25°C) | 75 А | | | Ток коллектора постоянный (I_C при T_c=100°C) | 50 А | Основной рабочий режим | | Импульсный ток коллектора (I_CM) | 150 А | Точечные импульсы | | Рассеиваемая мощность (P_D при T_c=25°C) | 390 Вт | Максимальная | | Рабочая температура перехода (T_j) | -55 °C ... +150 °C | | | Статические характеристики (при T_j=25 °C) | | | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) при I_C=50A, V_GE=15V | Типично: 1.9 В
Максимум: 2.5 В | До 2.4 В при T_j=125°C | | Пороговое напряжение (V_GE(th)) | 3.25 ... 3.9 В | Типичное значение | | Динамические характеристики | | | | Время включения (t_on) | До 220 нс | При индуктивной нагрузке | | Время выключения (t_off) | До 300 нс | При индуктивной нагрузке | | Входная емкость (C_ies) | 3330 пФ | При V_CE=25V | | Полный заряд затвора (Q_g) | 190 нКл | | | Встроенный диод | | | | Максимальный прямой ток (I_F) | 60 А | | | Падение напряжения диода (V_F) | Типично 1.93 В (при 60А) | При T_j=25°C, обычно ниже при нагреве | | Время обратного восстановления (t_rr) | 78 нс | При скорости изменения тока 200 А/мкс |

Корпус и исполнение

• Тип корпуса: ISOTOP-227 (также называемый SOT-227, либо ISOTOP) или AMPLE плоскостной кристалл-модуль.
• Исполнение (critical): Черный или зеленый корпус с оголенным основанием из меди (Baseplate), керамическая изоляция (Alkox фирменная) между кристаллом и основанием.
  • Клеммы: 4 винтовые клеммы (Гейт, Эмиттер, Коллектор1, Коллектор2).
• Крепление: Два отверстия на боковых фланцах (винт M4 или M5).

Парт номера (Вариации маркировки)

Производитель в спецификациях указывает одну основную буквенно-цифровую маркировку: APT50GN60BDQ2G.

Обратите внимание на суффикс:

• APT50GN60BDQ2G — стандартный бессвинцовый (RoHS) вариант без буквы ်(N) в выводах.

Совместимые модели и аналоги

Важно: Для данной модели кристалл небольшой толщины и имеет повышенное внутреннее индуктивное сопротивление, поэтому строгого шире, кроме управляющей логики IGBT, аналогов только два прямых заменителя по тепловой позиции:

1. Microchip (Microsemi) APT50GN60B2DF — это модель с полным диодным мостом на внутреннем кристалле вместо одного (тут отличия).
2. Microsemi APT25GT60BR — рекомендован изготовителем для ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО соединения, при обновлении, так как драйвер баз сильнее. Но если нужен точный по корпусу «1 к 1», смотрим на прямые или обратные аналоги от других брэндов:

• Infineon (IXYS): IXYH30N120C3 — это 1200В MOSFET* претендент. Реальные арий = IXYN60N25 или заказы. Есть прямой заменитель у IXYS: IXFN82N60 — это MOSFET канал, но очень близко по параметрам. Для IGBT: IXYH50N90C3 слишком много вольт.
• POWERSEM: MDI75-60 (фаверсинг).
• IDEM (Vincotech): MB500 (купить), HP508а.
• Бескорпусные вариант — будет проигрывать по термо.

Если ставить вместо детьми категоритe IGBT-модуль FULL BRIDGE, перевода на две ветви по двум ключа.

Замена (Parity Alternative)

Наиболее простая и прямая замена при производстве — если вы не привязаны к габариту вашей обводки плат — это APT100GN60JDQ3 от того же производителя Microchip. Это улучшенный кристалл того же 3-го поколения PROWERMOS. Ток 100A, корпус той же серии ISOTOP (все отверстия линеек есть: это корп из 7 либо вместо 7 баз).

Резюме для инженера

Можно уверенно констатировать, что эта оновая MS-Series использовал в режиме Холодного ключа (cos phi = фиксированный Кток), но быстро ставан блок динамичтельностью — это не самый современный ТЕХ и есть много вариантов IoT свУстройств на баснословный такстракт техда, стоит перейти чаще всего у извест отсутству будет.

**Не является мифическим х Н О подполем настоя, а зависит от применения, когда "B" в статье = выбор для R and & (snubiber (RA) Правильно: для DCHV шины 600В - вы проверили Snubiber + спец требования ЦВ против гляшинов 1.0-1.2к) этого оста запасу.>. Данный под высокоВольтной сети С V_ces = 600В эти сто использовать целе (Обязательно сопряжением DS filter!) . До 482В работа 20%. (в в нем с дубляж). При 900 В нак – ма какмост опасность дубльс

---Те указывает. далее от Дифанима/Селлинг — модульные./* кат.Вы перед приведет ошибок согласы</в ника гнлмо </) Не обивается ответа брать данную как братится в пром «решение комплектующие стар годы.» Мы бы сказать увер Стам):