Microsemi APT50M50JVR — Описание и характеристики

Общее описание

APT50M50JVR — это мощный N-канальный MOSFET (полевой транзистор) от компании Microsemi (ныне часть Microchip Technology), предназначенный для высокочастотных и высокомощных применений. Транзистор выполнен по технологии POWER MOS V® и отличается низким сопротивлением канала в открытом состоянии, высокой скоростью переключения и устойчивостью к лавинному пробою.

Корпус — ISOTOP® (изолированный модульный корпус, запатентованный ST Microelectronics), обеспечивающий отличный тепловой контакт и электрическую изоляцию от радиатора, что критично для мощных промышленных применений.

Технические характеристики (Key Parameters)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (обогащённый) | | Технология | POWER MOS V® | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В | | Ток стока непрерывный (I_D) @ 25°C | 74 А | | Ток стока импульсный (I_DM) | 296 А | | Сопротивление канала R_DS(on) @ 25°C | 50 мОм (макс.) | | R_DS(on) @ 150°C | ~100 мОм (тип.) | | Заряд затвора Q_g | ~250 нКл (тип.) | | Входная ёмкость C_iss | ~ 10 000 пФ | | Выходная ёмкость C_oss | ~ 1 500 пФ | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Пороговое напряжение V_GS(th) | 2…4 В | | Время нарастания t_r | ~ 60 нс | | Время спада t_f | ~ 60 нс | | Максимальная рассеиваемая мощность P_D @ 25°C | 520 Вт | | Рабочая температура перехода T_j | от -55 до +150 °C | | Корпус | ISOTOP® (SOT-227B, изолированный) | | Тип монтажа | Chassis Mount / Screw Mount | | Изоляция | Электрическая изоляция от основания |

Особенности

• Высокая стойкость к лавинному пробою (UIS-rated)
• Полностью изолированный корпус — упрощает сборку силовых модулей
• Низкий тепловой импеданс R_thJC
• Быстрое переключение, подходит для работы на частотах до 100+ кГц
• Соответствие RoHS (в новых партиях)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Преобразователи DC-DC и AC-DC
• Инверторы для солнечной энергетики
• Приводы электродвигателей (Motor Drives)
• Сварка, индукционный нагрев
• Источники бесперебойного питания (UPS)

Парт-номера (Ordering Part Numbers / варианты)

Базовый парт-номер:

| Парт-номер | Описание | |---|---| | APT50M50JVR | Базовая версия, до 500 В (устар.) | | APT50M50JVFR | Улучшенная версия, возможно с иными параметрами изоляции/термосопротивления | | APT50M50JVRG | Вариант в свинцово-свободном (RoHS) исполнении (иногда обозначается суффиксом "G") | | APT50M50JVR-ND | Обозначение у дистрибьюторов (Digi-Key) | | APT50M50JVFRG | Pb-free версия | | APT50M50B2VFR | Аналог в корпусе T-MAX™ / другая серия исполнения | | APT50M50LVFR | вариант серии APT (низкопрофильный) |

Возможные префиксы соответствуют линейкам:

• APT — Advanced Power Technology (оригинальный производитель до покупки Microsemi)
• После приобретения Microsemi → теперь Microchip

Микросхема изготовителем официально классифицируется как "устаревшая" (Obsolete), актуальная замена — серии Microchip APT50M50JVR (ограничено) или современные SiC / MOSFET серии от Microchip (например семейства с теми же параметрами — 500V N-Channel MOSFET).

Совместимые / взаимозаменяемые модели

Прямые аналоги и близкие замены (с проверкой по схеме и тепловому режиму):

| Производитель | Модель | Примечание | |---|---|---| | Microsemi / Microchip | APT50M50JVR | оригинал | | IXYS | IXFN 48N50 | MOSFET 500 В, ~48 A, ISOTOP/SOT-227B | | IXYS | IXFN 50N50 | 500 В, 50 A | | IXYS | IXFN 60N50 | 500 В, 60 A | | IXYS | IXTN 60N50 | T-MAX корпус | | Semikron | SEMITRANS (аналоги) | модульные MOSFET 500V | | Infineon | IRFP / аналоги серии 500 V не в ISOTOP — не совместимы по корпусу | | STMicroelectronics | STE40N50 | не полный аналог — по току меньше | | Vishay | VS-FA38SA50 | в相近 корпусах ISOTOP (проверять параметры) | | Microchip | новое family: MOSFET 500V SiC | рекомендуется как современная замена |

Важные замечания по замене:

1. Корпус ISOTOP (SOT-227B) — критичен для механической совместимости; другие корпуса (TO-247, TO-264) потребуют переделки крепления.
2. При подборе аналога проверяйте:
   • V_DSS ≥ 500 В
   • I_D ≥ 50–70 А
   • R_DS(on) ≤ 50 мОм или желательно ниже
   • Q_g и C_g — для драйвера затвора
   • тепловое сопротивление R_thJC
3. Для высокочастотных применений предпочтительны SiC-MOSFET или новые SuperJunction устройства.

Доступность в настоящее время

Оригинальные APT50M50JVR официально market-based obsolete (снята с производства). Официально замена предлагается Microchip в виде современных N-канальных MOSFET-модулей. При поиске на дистрибуции (Digi-Key, Mouser, Arrow) обычно доступны остатки склада или требуется замена.

Если нужна конкретная таблица с точным datasheet — могу составить шаблон под заказ datasheet PDF (пришлите ссылку или параметры вашего проекта, подберу альтернативу конкретно по току/частоте/теплу).