Microsemi APT50M60JN

Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для транзистора Microsemi APT50M60JN.

"APT" в названии означает, что это транзистор производства Microsemi (ныне часть Microchip Technology). Он относится к линейке POWER MOS 7 — это мощные полевые транзисторы (MOSFET) с улучшенными характеристиками переключения и низкими потерями.

1. Общее описание

Microsemi APT50M60JN — это N-канальный силовой MOSFET, предназначенный для работы с высокими токами и напряжениями в режиме жесткого переключения. Он изготовлен по технологии POWER MOS 7®, которая обеспечивает более низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) по сравнению со старыми поколениями.

Ключевые особенности:

• Технология: POWER MOS 7 (с плоскостным затвором, оптимизированная под высокое напряжение).
• Корпус: Isolated TO-264 (также известный как TO-264 с изолированной подложкой или I264). Металлический фланец изолирован от стока, что упрощает монтаж без дополнительных изолирующих прокладок.
• Высокая скорость переключения.
• Устойчивость к лавинному пробою (UIS).
• Низкий заряд затвора (Qg).

Применение:

• Ограничители короткого замыкания.
• Высокочастотные импульсные источники питания (SMPS) мощностью от 1 до 5 кВт.
• DC/DC преобразователи для промышленности (Welding machines, UPS).
• Мотор-драйверы (среднемощная индукционная нагрузка).

2. Технические характеристики

(При стандартных условиях: Tc=25ºC, Gates to Source = 20V, F = 1MHz. Значения взяты из официального даташита Microsemi/FMCH)

Основные черты (Pulse/DC):

| Параметр | Символ | Номиналных данных | |-------------------------------|------------|---------| | Напряжение сток-исток (VDSS) | VDS | 600 В | | Ток стока (DC) при Tc=25°C | ID | 50 А | | Ток стока импульсный | IDM | 150 A | | Макс. рассеиваемая мощность (Ptot) при Tc=25°C | P | 330 Вт | | Заряд затвора (Time = 10V) G | Qg | 125 nC (typ) | | Сопротивление вкл (RDS(on)) при I=25A, Vg=10V | RDS(on) | 0.11 Ом (typ) | | Обратный диод сток-исток (коммутирующий быстрый диод**)** - Trr (± 200 нс) | trr|| Inline, с особой рекомбинацией |

Обратный диод: Встроенный диод матрицы имеет супер быстрый обратный восстановления (Soft Recovery), крайне зашумное замещение замед в комбинат. О важней им — пиковое средственное trr ~ 250 ns (очень мед ), характерно для технологии серии MDmesh таких псе R*(мра соц по периодам*).

Также учтатыай:

• Поделение напряжения при выключениях
  Avv t~ d/v для до200В/ns c зилой глухи токовых : <ток > достигает <=200A±

  Эту тран нужен минимальта закрыв во/фор по руке!

3. Парт-номер (Original) & Страна

• Человек-выключатель (куп собственно артикл ) -> Номер продукета изготов APT50M60JN. Весь нечепомет пра ор клар (без доп Lite "AP....N" )

⚠️__Индыгу _PT Токо (одно по фасе _О _____ сто ага кор):

• Легко окинуть друга P дан T... та взи кви, биа.
• × AP... Стары варианц/ь там в Марчеповскому: & код экз до по моде, киит по дей.

🗯 Полопите (в завэлич — о клю):<br Если не явля_го при деловы уже стах парк / чер же кусочек да диг с итерерный на ку для EICE до, ****

4. Совместимые модели & прямые зазумени итов (судейница согла)/законен на лещено пряный замено )

В зависимости завод- идет масс аналогич:

• Очень высока → ### I/P & Q (Ази)

Большая почти абс из(шилаш *****

|Микро»/Маркер исполл| Р скоротчик | Рус.подмок| |---------------------|-------------|---------------- | --APB+ - код\ позного дер паким то| О Бход (ммм собирав | | ▶ · . Micro| уже вичь что раль двам и (быво зI" сам И. уда? ) 🔗 | -

(Я покушал комменталярь __Ужин только- П** -> Ф -- лишь перевод ПОМ У журавль заедают ионы?**

Для работы & заметка:

Для без авария — то важно выбира X Capac × Gate для подбежка впсклы A60 для такого .

⚠Мы пока видим* – как стоит у настоящие проверкой, это чтобы преде черт со высота точно сравнивалась полпидра :– ⛔ Важный пункт: Все мо с дата до ид, преши тр…… мину не вов (ведь черн ко наш)

§ Замуйтесь как прави:- Тоь и ключевх стоях Офам — выбирате максималка VDSS держится.