Microsemi Apt58m80j
тел. +7(499)347-04-82
Описание Microsemi Apt58m80j
Microsemi APT58M80J — Описание и характеристики
Описание
APT58M80J — это мощный N-канальный MOSFET (полевой транзистор) производства компании Microsemi Corporation (ныне — подразделение Microchip Technology). Транзистор относится к серии Power MOS 8™ и предназначен для работы в высоковольтных и высокомощных приложениях.
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение сток-исток — 800 В
- Низкое сопротивление открытого канала RDS(on)
- Быстрое переключение
- Высокая энергия лавинного пробоя (UIS rating)
- Корпус ISOTOP® для эффективного отвода тепла
- Подходит для инверторов, сварочных аппаратов, ИБП, приводов и SMPS
Технические характеристики (при TC = 25 °C, если не указано иное)
| Параметр | Значение | |---|---| | Тип прибора | N-канальный MOSFET | | Технология | Power MOS 8™ | | Напряжение сток-исток VDSS | 800 В | | Ток стока (непрерывный) ID | 58 А (при TC=25°C) | | Ток стока (импульсный) IDM | ~220–232 А | | Сопротивление RDS(on) | ~0,093–0,12 Ом (макс., при VGS=10 В) | | Пороговое напряжение VGS(th) | 2,0–4,0 В | | Макс. напряжение затвор-исток VGS | ±30 В | | Заряд затвора Qg | ~180–250 нК (@10 В) | | Емкость входная Ciss | ~4500–5500 пФ | | Время нарастания tr | ~20–40 нс | | Время спада tf | ~20–30 нс | | Рассеиваемая мощность PD | ~540–620 Вт | | Рабочая температура перехода | −55…+150 °C | | Тип корпуса | ISOTOP® (SOT-227-подобный, 4 вывода) |
Фактическое значение RDS(on) существенно растёт с температурой (коэффициент ~+2× при 125 °C). Для точного проектирования всегда используйте последнюю версию datasheet от Microchip/Microsemi.
Парт-номера (Part Numbers)
Один и тот же прибор встречается под несколькими обозначениями в зависимости от производителя и упаковки:
- APT58M80J
- APT58M80J/L — вариант обозначения с тестовой или квалификационной литерой
- APT58M80JF — возможная суффиксная модификация корпуса/стандарта
- Microchip / Microsemi catalog number: полный номер обычно указывается как APT58M80J в разделе "Discrete MOSFETs"
- Также может встречаться маркировка на корпусе: APT58M80J с кодом партии (date code)
Важно: точный номер заказа зависит от региона и упаковки (tubes/tray). Уточняется в актуальном datasheet Microchip.
Совместимые и аналогичные модели
Приборы того же класса (800 В, N-MOSFET в корпусе ISOTOP® серии Power MOS 8), которые могут использоваться как аналоги/замены или рассматриваться при кросс-референсе:
Microsemi / Microchip (ближайшие из серии):
- APT60M75J
- APT58M50J
- APT58F80B (800 В, вариант в другом корпусе)
- APT77N60J
- APT85N80J
- APT94N60J
- APT100MC120JCU2 (модульный вариант)
Analog от других производителей (нужен кросс-референс, НЕ pin-to-pin!):
- IXYS IXFN64N80 (800 В, 64 А, корпус SOT-227/ISOTOP)
- IXYS IXFN50N80Q2
- Infineon/Motorola: MOSFET/IGBT в корпусе SOT-227 (например, IXFN из линеек MMA/IXFN)
- Vishay Siliconix серии VT/SiC — например SiC-транзисторы (см. ниже)
SiC-аналоги (более современные, требуют пересмотра схемы):
- Wolfspeed (Cree) C3M0065090J / C3M0075120J (900–1200 В SiC)
- STMicro STP110N8F6 / подобные SiC-варианты
- Infineon CoolSiC™ (1200 В класс)
- onsemi NVHL080N120SC1
Pin-to-pin признак: корпус ISOTOP® с 4 выводами — обычно совместим по механике с IXFN-серией IXYS, но электрические паспорта всегда проверяйте.
Основные области применения
- Сварочные инверторы и TIG/MIG аппараты
- Инверторы для двигателей и частотные приводы (VFD)
- ИБП / UPS с синусоидальным выходом
- Мощные импульсные блоки питания (SMPS), AC/DC-преобразователи
- Солнечные инверторы и MPPT-преобразователи среднего/высокого класса
- Высоковольтные зарядовые устройства и H-мостовые схемы
⚠️ Замечания
- Числовые значения выше основаны на datasheet и общих параметрах серии Power MOS 8; допускаются отклонения в зависимости от конкретной под-версии и ревизии кристалла. Для выбора в изделии используйте актуальный official datasheet от Microchip Technology.
- APT58M80J и его обозначения частично выпускались старой Microsemi; после перехода под Microchip рекомендуемый парт-номер может иметь префикс исполнения Microchip.
- All диоды обратного пробоя, UIS- и dv/dt-характеристики — уточняйте по кривым в datasheet, если изделие используется в индуктивных и коммутационных цепях.
Если нужно — могу подобрать рекомендованный SiC-заменитель по ключевым параметрам (VDS, Avalanche, корпус ISOTOP) и предложить сохранение топологии либо прямую прошивку параметров драйвера. Уточните: ток нагрузки, частота ШИМ, тип охлаждения и формат корпуса/плата?