Microsemi Apt94n60l2c3g

Microsemi (Microchip) APT94N60L2C3G — это высоковольтный N-канальный MOSFET, выполненный по технологии CoolMOS (аналог Super Junction), предназначенный для мощных импульсных источников питания, инверторов, сварочного оборудования и других применений с высоким напряжением и током.

Описание

APT94N60L2C3G — N-канальный MOSFET с изолированным затвором, рассчитанный на напряжение сток-исток 600 В и ток 94 А (при 25 °C). Транзистор выполнен в корпусе TO-264 (он же TO-264AA, «L2» в парт-номере указывает на этот тип корпуса). Благодаря низкому сопротивлению открытого канала (RDS(on) ≈ 35 мОм) и низкому заряду затвора, транзистор обеспечивает высокий КПД и малые потери переключения.

Основные применения:

• Импульсные источники питания (SMPS, AC-DC, DC-DC)
• Инверторы для солнечной энергетики и ИБП
• Сварочные аппараты и индукционный нагрев
• Приводы двигателей (motor drives)
• Корректоры коэффициента мощности (PFC)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип прибора | N-channel MOSFET (CoolMOS / Super Junction) | | Напряжение сток-исток VDS | 600 В | | Ток стока ID (Tc=25 °C) | 94 А | | Ток стока ID (Tc=100 °C) | ~59 А | | RDS(on) (max, при VGS=10 В) | 35 мОм (тип. ~31 мОм) | | VGS(th) (порог затвора) | 3,5 В (тип.), диапазон 2,5…4,5 В | | VGS max (предел) | ±30 В | | Qg (общий заряд затвора) | ~250 нКл (при VGS=10 В) | | Qgs | ~35 нКл | | Qgd | ~85 нКл | | Ciss (входная ёмкость) | ~ 11 000 пФ | | Coss | ~ 650 пФ | | Crss | ~ 40 пФ | | Eoss (энергия в Coss) | ~ 6 мкДж | | Мощность рассеяния PD (Tc=25 °C) | 625 Вт | | RthJC (тепловое сопротивление) | 0,2 °C/Вт | | Время нарастания tr | ~ 17 нс | | Время спада tf | ~ 12 нс | | Корпус | TO-264 (TO-264AA) | | Монтаж | Through-Hole |

Примечание: точные значения зависят от конкретной ревизии даташита производства Microsemi/Microchip. Некоторые параметры (RDS(on), Qg) могут незначительно отличаться между партиями. Рекомендуется всегда сверяться с актуальным даташитом Microchip.

Парт-номера и маркировка

• APT94N60L2C3G — базовый парт-номер (RoHS-совместимый, суффикс «G»).
• APT94N60L2C3 — версия без постфикса «G» (встречается как аналог, обычно соответствует расширенной/предыдущей маркировке).
• Маркировка на корпусе: APT94N60L2C3G
• Si-кристалл (die) часто обозначается как APT94N60L2C3 — в линейках Microsemi таких MOSFET-ов несколько, объединённых маркировкой APT...N60L2C3.

Дополнительные индексы могут включаться производителем для обозначений упаковки/точности. При заказе важно ориентироваться на полный номер с корпусом (L2) и опцией (C3) — это существенно для сортировки по ёмкости/сопротивлению.

Совместимые (близкие/аналогичные) модели

Прямого pin-to-pin full-equivalent от других брендов обычно не существует, но функционально близкими аналогами (N-ch, 600 В, ~90 А, TO-264) являются:

Microchip/Microsemi (одно семейство):

• APT94N60L2C3(G) — базовая
• APT94N60LC3 (аналогичная серия в других корпусах, напр. TO-247/TO-264 отличия)
• APT93N60L2
• APT100N60L2
• APT80N60B2 / APT85N60B2

Infineon (CoolMOS-аналоги для сравнения):

• IPW60R045CP (60 В… нет — 600 В, TO-247)
• IPW60R070C6
• IPW60R041C6
• IPP60R070C6

STMicroelectronics:

• STW70N60M2
• STW75NF60

Toshiba / ON Semi:

• TK62N60X (Toshiba)
• FCH070N60 / FCH104N60 (ON/FAIRCHILD)

Эти приборы имеют схожие VDS=600 В, диапазон ID 60–100 А и RDS(on) в пределах 35–70 мОм, но нужно проверять по цоколёвке (G/D/S), расположению вывода и допустимому RdsOn в конкретной схеме.

Особенности применения

• Очень низкий Qg позволяет работать с экономичными драйверами затвора.
• Требуется обязательная защита от перенапряжений при отключении (использовать снаббер-RC, трансил или демпфер, благодаря самой наносекундной геометрии Super Junction критичны к контуру и неизменности индуктивности).
• При использовании затвort VGS не превышать ±30 В, оптимальное управление VGS = 10…15 В.
• Не забывать про «Reverse Recovery» боди-диода — в полумостовых топологиях (мостовые преобразователи) это может вызывать потери и электромагнитные помехи, поэтому популярно применять параллельно диоды внешниемми быстрые SiC.

Если нужны минимальные параметры/кривые для расчёта радеатора/повторных расчётов, скажите: уточню даташитное обозначение, упаковочный формфактор или графики (SOA/capacitance vs. VDS).