Microsemi CM150DY-12HE
тел. +7(499)347-04-82
Описание Microsemi CM150DY-12HE
Microsemi (Mitsubishi) CM150DY-12HE — IGBT-модуль
Описание
CM150DY-12HE — силовой IGBT-модуль (двухтранзисторная сборка по схеме «двойка» / dual switch), произведённый компанией Mitsubishi Electric (в дальнейшем линейка поддерживалась и поставлялась под брендом Microsemi, ныне Microchip Technology). Модуль построен на IGBT-чипах n-канального типа с технологией, обеспечивающей низкие потери проводимости и переключения.
Ключевые особенности:
- Конфигурация: два IGBT-транзистора по схеме «полумост / dual switch» + встречно-параллельные быстровосстанавливающиеся диоды (FWD)
- Изолированный медный базовый радиатор (изоляция 2500 В AC/мин)
- Низкое значение VCE(sat) — типично для IGBT 2-го/3-го поколения Mitsubishi серии HE
- Высокая скорость переключения (для применений с ШИМ до ~15–20 кГц)
- Применения: инверторы, сварочные аппараты, ИБП (UPS), приводы двигателей, источники питания, системы солнечной энергетики, тяговые преобразователи
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | IGBT-модуль, двойной (dual switch / half-bridge) | | Напряжение коллектор-эмиттер Vces | 600 В | | Ток коллектора Iс (Tc = 25 °C) | 150 А | | Ток коллектора Iс (Tc = 80 °C, номинал) | ~100–110 А | | Импульсный ток коллектора Icm | ~300 А (при 1 ms) | | Напряжение насыщения VCE(sat), типично | ~1.8 В при Ic=150A, Vge=15V | | Пороговое напряжение VGE(th) | 5.0–7.5 В | | Напряжение изоляции VISO | 2500 В AC / 1 мин | | Ток обратного диода IF | 150 А | | Быстровосстанавливающий диод trr | ~150–250 нс | | Тепловое сопротивление RthJC (IGBT) | ~0.12 °C/Вт | | Тепловое сопротивление RthJC (диод) | ~0.20 °C/Вт | | Рабочая температура Tj | –40…+150 °C | | Температура хранения | –40…+125 °C | | Монтаж | силовые клеммы M5, выводы управления M4 | | Корпус | 2-модульный, ~94 × 48 × 30 мм (серия Mitsubishi DIP-IPM/модуль HE) | | Электрическая прочность изоляции | 2500 VAC |
Обозначение: CM150 = 150 A серия; DY = dual switch с FWD; 12 = 600 В класс; HE = серия High Efficiency (2-й gen обычных IGBT с улучшенной скоростью).
Парт-номера (эквиваленты и заместители)
- CM150DY-12HE (Mitsubishi Electric)
- CM150DY-12H — родственная версия, часто взаимозаменяема
- CM200DY-12H / CM150DY-12NF / CM200DY-12NF — соседи по линейке (иногда используются как апгрейд)
- Microsemi APTGT150A60 / APTGT150H60 — продукция уже Microsemi, аналог по току, но другое исполнение и класс 600 В
- Microchip MSCGLQ150H60 / MSCMG150H60 — аналоги серии Microsemi после поглощения
- Аналоги других вендоров: Fuji 2MBI150U4A-120-50, Infineon FF150R12ME4, Semikron SKM150GB12T4
⚠️ Полностью прямое pin-to-pin замещение требует сверки распиновки силовых и управляющих выводов и коммутационных параметров.
Совместимые / взаимозаменяемые модели (внутри линейки Mitsubishi–Microsemi)
Обычно совместимы при той же посадочной колодке (серия «HE/DY» и им подобные):
- CM150DY-12H
- CM150DY-12E
- CM100DY-12H (меньший ток)
- CM200DY-12H (больший ток, требуется запас по радиатору)
- CM300DY-12H (делает смысл только если есть запас по корпусу — это уже другая серия по габаритам)
- CM150DY-24H / CM150DY-24HE (то же, но 1200 В класс — НЕ электросовместим, но часто проверяют при доработке привода)
Совместимость с PCB и башмаками выводов на практике чаще всего наблюдается у линейки одного производителя одного типового ряда из-за стандартизованных корпусов.
Область применения
Рекомендуется использовать модуль в:
- Инверторах двигателей, приводных преобразователях (VVVF)
- Сварочных аппаратах DC/AC
- Бесперебойниках (UPS)
- Промышленных источниках питания и DC/DC
- Аппарате индукционного нагрева
- Тяговом оборудовании вспомогательного назначения
Если нужно — могу составить более подробную таблицу распиновки, временны́е-параметры субиберта переключения (Eon, Eoff, Qg, Qrr) или помочь подобрать замену конкретно по вашей схемотехнике (частоты ШИМ, температура среды, требуемый запас).