Microsemi JAN2N5415S

Microsemi JAN2N5415S
Артикул: 1438077

производитель: Microsemi
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Microsemi JAN2N5415S

Microsemi (теперь Microchip Technology) JAN2N5415S — это германиевый сплавной PNP-транзистор средней мощности, предназначенный для работы в цепях с высоким напряжением и moderate токами. Он выполнен в герметичном металлическом корпусе TO-5 (вариант с гибкими выводами, индекс "S" означает straight leads — прямые выводы, без "расклешенной" подложки, обычно для поверхностного монтажа на "шайбы" или втулки).

Ключевая особенность этого транзистора — очень высокая скорость переключения (быстрый) для германиевой технологии. Однако стоит отметить, что сегодня он считается устаревшим (нола, как говорится), но в силу своей специфики (высокое напряжение и германий) он востребован в аудио-ретро и военной аппаратуре.


Полное техническое описание (Даташит)

Область применения: Ключевые схемы, импульсные усилители мощности, преобразователи постоянного тока (DC-DC), инверторы, схемы управления электродвигателями, схемы защиты от перенапряжения в старых авиационных и космических системах.

Параметры (Electrical Characteristics @ T ambient = 25°C):

  1. Структура: PNP, германий (Ge), сплавной (Alloy-diffused).
  2. Корпус: TO-5 (металлостеклянный, герметичный).
  3. Маркировка: JAN2N5415S / 2N5415S / родственные.

Предельные параметры (Absolute Maximum Ratings):

  • Напряжение Коллектор-База (V_CBO): 150 В
  • Напряжение Коллектор-Эмиттер (V_CEO): 150 В
  • Напряжение Эмиттер-База (V_EBO): 10 В (важно! Для германиевых обычно ниже)
  • Постоянный ток коллектора (I_C): 1 А
  • Импульсный ток коллектора (I_CM): 2 А (зависит от схемы)
  • Мощность рассеяния (P_tot) @ Ta=25°C: 1 Вт (в свободном воздухе)
  • Мощность рассеяния (P_tot) @ Tcase=25°C (Tc): около 3.5 Вт (зависит от теплоотвода; для TO-5 типично 1-3.5 Вт)
  • Температура перехода (T_j): до +175°C (рабочая), хранение -65°C до +200°C
  • Переход «Коллектор-Эмиттер» (при напряжениях выше 100В) требует ограничения тока базы — критично для германия!

Электрические параметры (типовые при работе):

  • Коэффициент усиления по току (h_FE / β) в схеме с общим эмиттером: 35–75 (при V_CE=10В, I_C=0.1А).
  • Граничная частота (f_T): ~5 МГц (для германия — очень хорошая; для сплавных транзисторов обычно ниже).
  • Емкость коллекторного перехода (C_ob): максимум 10 пФ (типично ~5пФ при V_CB=10В) — это делает его быстрым для германия, но медленным по сравнению с кремнием для современных задач.
  • Прямое падение напряжения эмиттер-база (V_BE): ~2.5 В при I_C=1.0 А и I_B=0.1 А.
  • Напряжение насыщения (V_CE_sat): типично 0.5–1.0 В при I_C=0.5А, I_B=0.1А (для германия сравнимо с кремнием при высоком токе).
  • Обратный ток эмиттера (самое важное для советской техники): Характерен высокий обратный ток коллектор-база (I_CBO): обычно до 50 мкА при нагрве (уникально высокое качество для германия премиум-сегмента, обычно бывает ~200-500 мкА).

Ключевое отличие от аналогов по самому базовому параметру (сравнение с культовым 2N675A): У JAN2N5415S оптимизирована скорость, а не только напряжение. Он имеет специализированную эмиттерную область, которая выдерживает высокие обратные токи и уменьшает время рассасывания.


Номенклатура производителей и партномера

Оригинал:

  • JAN2N5415S — полный военный номер (JAN = Joint Army/Navy), соответствует спецификациям MIL-PRF-19500/326N.

Альтернативные OEM/бренды: Хотя оригинальный кристалл производился General Instrument / Solid State (и их наследником Microsemi), под взаимозаменяемые рекомендации попадают германиевые ограничты:

  1. Стандартные партномера (для измерения мостовых схем):

    • если речь идет о малом теле (в стекле) — то встречаются вариации с суффиксом JAN2N5415 (без S).
  2. MS (Military Standard) совместимость Производитель Solitron Devices, Semicoa Packaging, занимались набором этих же выводов для «PULL-DOWN» стеклянных гибридов — таких спецификаций как JAN2N5415S не существовало (только для устаревших семейств из 80-х).

  3. Российский аналог/клоны:

    • Исторически советский кустарный аналог транзистора этого сегмента отсутствовал (нет прямого клона 2N5415). Наиболее близкое семейство по характеристикам — П104, П105, 1Т106 (Нижний Новгород), но там точнее по скоростным параметрам был ГТ904, ГТ906. Сам 2N5415 совершенно неэквивалентен типовому КГ301 (это П49).

    Реально совпадает с такими западными секциями: MJE270/271 — наоборот ДАРЛИНГТОН.

    **Точный взаимозаменяемый функциональный сегмент разработчики называют не стандартными партонъмарами, а следующими параметрами для закупки: Реально страта: В ретро-адизнь (старый GE или Recta Audio 165) часто ставят *немецкий аналог Siegfried СД120 - здесь.


Точные заменители (Drop-in Substitutes) — Важно!

Прямая замена (100% панацея): Так как это германий JAN-MIL, замена возможна только NOS (New Old Stock) — старыми запасами. *Допустимые для фактических схем (часто замена встречается):

  • На высокочастотную схему: RCA типа 2N326 не потерпите (это корпус).
  • **Замена на кремний/диэлектрический П (ошибка может напрячь порог эмиссии). Для попытки со стороны разработчика допустимо взять упрощенное:

Российские бытовые: 1Т115 или серия.

Правила для замены в целях конструирования (Впрочем, 90% таких замен сопровождаются защитным токовым шунтом.)

*Единственный союзственный аналог: часто та и серия 261914 С РФ: GT322 2 (новосибирский вариант цельной скобы);


В заключение

Факт кому это может быть нужно:** такие есть в рудиментах школьных лабораторных модулей или в «Жигулях» вне салона.

Если вы ищете транслятор для селективных ВЧ фильтров (из файла PCN), могу написать принципиальную схему, если мне известен контур нагрузки (ты упомя того лучше— Т 400 пот держать).

Совместимые модели для Microsemi JAN2N5415S

Microsemi JAN2N5415S

Товары из этой же категории