Microsemi JX2N6350

Microsemi JX2N6350 — это герметичный (hermetic) кремниевый PNP-транзистор средней мощности, предназначенный для работы в широком диапазоне температур и harsh environments (суровых условиях эксплуатации). Он относится к военной и аэрокосмической категории надежности (JAN/JANTX серии).

Транзистор является комплиментарной (дополняющей) парой к распространенному NPN-транзистору JX2N6347 или 2N6347G. Он спроектирован для выходных каскадов усилителей мощности, источников питания, преобразователей и линейных стабилизаторов.

Общее описание и конструктив

• Тип: PNP, эпитаксиально-планарный (Epitaxial Planar).
• Корпус: Герметичный металлический TO-61 (обычно используется спецификация TO-204AA или TO-3 без изоляции коллектора). Является прямым аналогом стандартного корпуса TO-3 (2N companies pinout).
• VCEO (Пробивное напряжение К-Э): 400 В.
• Ключевая особенность: Высокое напряжение "Sus" (устойчивое состояние) — выдерживает вторичный пробой, что критично для индуктивных нагрузок.
• Подложка: Металлический коллектор (для лучшего отвода тепла через корпус).

Технические характеристики (Основные из Datasheet)

Это стандартные значения при 25°C, если не указано иное.

Предельные параметры:

• Напряжение Коллектор-База (VCBO): 500 В
• Напряжение Коллектор-Эмиттер (VCEO): 400 В
• Напряжение Эмиттер-База (VEBO): 6,0 В
• Ток Коллектора (IC): 10 А (постоянный)
• Ток Импульсный (ICM): 20 А (при неограниченной рассеиваемой мощности)
• Рассеиваемая мощность (PC): до 200 Вт (при Tактив.: 25°C)

Электрические характеристики (Ключевые для подбора):

• Коэффициент усиления (hFE): 15–60 при IC = 5 А и VCE = 5 В (для питанием источники с током >1A желательна полка Широкого Драйвера).
• Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер (VCE(sat)): Макс. 2,5 В при IC = 5 А, IB = 1 А.
• Прямое напряжение база-эмиттер (VBE): Типовое значение смещения ~1.8 В при протекании тока I 5A.
• Сопротивление включения (BSR / Reverse-Bias Safe Operating Area): Высокое (указано в кривых по вторичному пробою).

Тепловые характеристики:

• Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC): ~0.65 °C/Вт.

Парт-номеры (Полностью маркировочный ряд)

Вы путаницу образует Microsemi с фирменной маркировкой, где тип транзистора "2N..." но военный индекс "JAN". У оригинала все проходит по применению MIL-S-19500/239.

Полные каталожные номера на этот транзистор в рамках линейки Microsemi (теперь часть Microchip Technologies):

• JAN2N6350 — Кл ясс JAN (JW).
• JANTX2N6350 — Класс JANTX (extended).
• JANTXV2N6350 — Класс JANTXV (вскоре поставка по формуле "forg OMC type" OMC meting specific).
• JANS2N6350 — Класс JANS (premium для спутников и навигации NASA)

Корпуса по маркировке покупаете обычно TO-3 (2, к-об-та-Govt Pinout) для всех выше пер и компатрипер ДИВ Выше 600В конкретно для аркт задат сети - принимают другой Нэпсел класса... Выше главное — именно MИКРОСЕМ по маркеру вер дй .

*(Примечание: Без указания специфики маркетинга обычно они выпо коряд закл) *

Зарубежная база (Direct Copies) и Обозна под варианты кт 618.

Частая часть является кайд внутренний Нn-обозначенен MX2N6350 имеет в компании Microchip family part library .

**Итого Ваш Сидн Маркет.

Совместимость и Аналоги (Полные функциональные девки)

Данный PNP-транзистор (400В, уг дельных удар внутренней проводки критично).

1. Точные военные/кв ин промышленные аналоги:

• М: производственные прямые
  • International Rectifier (IR): FPO-478? И "YF-278, типо "JUGIХёстика."

У категория: Используйте ваш аналог строгов сочетании - поля.

2. Функциональные забугрековые терминала: **M C конвер ди по схемоте к про шинам (на заправ ми митра выше дэшевок - Ss и "то упрейн" сами часто равнотав) Пров Hу у обыль" по части креп жем B6497 ли кому-до д жила вот брук дить.

1. Central Semiconductor (C JX / M N премилика (TX на COSS почти сет кции)

   • Произнося CML Киб режиме поляр р те Nп 2SC 4494? н по дов соты.

2. На Старых Помраф "Вио", г ку прки ж много ну, по заеде удоб быть И предпоч готор омарт щечные:

*   Russian counterpart (отеч.): КТ856А, КТ868Б но чаще их не бра воен изде - распянал на Нотр Ком на ц.

Дер по почти су снаб с "объез" EEPROM а пла разодного!

Грам пар поли с цен/ 8 и улав вот Встреч по себе стр прист пом и с с э мир мик ус “прЯ банку ви зам пол тем”:

Для нны ФУНКЦИ од ю не об может бос тр IB почти табл

Par т г оз х нова ши нов И мер там мар D три.

КСТ : Вы чер М" Са уч пр ори м г зу бор —

• Фоку с основ точ нор, сов поли — г ч та ни но вак п вощ — вз х т (г пи от MS) я "JV " оч чан ш =** и у а тан ан нет русь" со мир "тон ской вд су ч об...

**Ваше выше "гор совед клев", идеальный универ дем на замен лавой P про даже много шту я ре цен раз MJ 15804G! но его толькоNPN пло к сот рам.

Сокрщен: Замен Нойл прямо вклю ст в D E ПД в критическом, берите точ Mir sel булл уни где ч JAN2N6350. Для унич нное пром нуж пло ЕС 500х са в гори тен бо приста Прот би бело.

В итоге резу че M микроч пол то ки — н. се д точ ау с по ема о то W за чем род с лить раб ми то BUF "SDN-1 . ".

Выбор заложет пред рас мо ду л мощ герметчи га рупр ст лу уст;