Microsemi SBR8045
тел. +7(499)347-04-82
Описание Microsemi SBR8045
Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для диода Microsemi SBR8045.
1. Общее описание
Microsemi SBR8045 (теперь часть Microchip Technology) — это мощный диод Шоттки с барьером Шоттки (SBR — Super Barrier Rectifier), предназначенный для высокоэффективного выпрямления в цепях с высокими токами и относительно низкими напряжениями.
Ключевая особенность — использование технологии Super Barrier Rectifier (SBR), которая снижает падение напряжения в прямом направлении при больших токах (по сравнению с обычными диодами Шоттки) при сохранении низкого обратного тока утечки. Это делает его популярным в источниках питания, силовой электронике, преобразователях постоянного тока и системах защиты от инверсии напряжения.
2. Технические характеристики (Datasheet)
Обратите внимание: Для точного расчета в конкретной схеме всегда сверяйтесь с официальным PDF-даташитом. Характеристики указаны для корпусной версии TO-247 (модификация 40 мВ/в).
| Параметр | Значение | Примечания |
| :--- | :--- | :--- |
| Максимальное обратное напряжение (VRRM) | 45 В (45V) | Рабочее повторяющееся обратное напряжение. |
| Средний прямой ток (IF(AV)) | 80 А (80A) | При температуре корпуса (TC) ≤ 100°C. |
| Пиковый повторяющийся прямой ток (IFRM) | 150 А (150A) | На коротких импульсах. |
| Пиковый импульсный ток (IFSM) | 800 А (800A) | 8,3 мс синусоидальный импульс (surge current). |
| Падение напряжения (VF)
при 25°C (типовое):
При 80А: | 0.45 – 0.55 В
(типово 0.48-0.52 В) | Очень низкое (характерно для SBR). При температурах 125°C — около 0.6В. |
| Максимальный обратный ток (IR)
при 25°C: | 5 мА (5 mA) | При VR = 45В (RP). Типово 1–2 мА. |
| Максимальная температура перехода (TJ) | +175°C | Рабочий диапазон. Выдерживает до 200°C (защита). |
| Тепловое сопротивление переход-корпус (RθJC) | 0.65 °C/Вт | Для версии TO-247 (корпус SBR8045MQ). |
| Материалы диода | Epoxy Molded | Корпус TO-247AC (изоляция). |
| Топология | 1 диод (одиночный) | В одном корпусе — только один диод (используйте паралл). |
3. Парт-номеры и варианты
Microchip/Microsemi выпускают этот диод в основном в корпусе TO-247 (моторвариант). Возможные обозначения на маркировке:
| Поставщик / Примечание | Полный артикул (1 шт.) | Описание |
| :--- | :--- | :--- |
| Microsemi
(Standart Original) | SBR8045 | Первоначальный код без упаковки. Полный код — SEL-SBR8045. |
| Microchip Technology | SBR8045 - XX | XX — код группы упаковки (стандарт). |
| Упрощенный (РОУАЛЛ) | SBR8045-VF | Современный артикул с привязкой к партии. |
| Без корпуса
(для OEM изготовления) | SBR8045-QFP | Чистый чип в упаковка QFN. |
| Произв.[^1] в Китае | SBR8045ABP | Дублирующая номенклатура. Метка переведена на S1000-xx0x. |
Примечание: Заменой по цене/характеристикам может быть SBR8045TVL или SBR8045G.
4. Совместимые модели (Raytheon / Microchip)
Так как диод SBR8045 — это компонент для профессиональных/оборонных применений, его нечасто поддерживают массовые Retail бренды на равных, но для ремонта ИБП (UPS), DC-DC конверторов (12В → 48В) и зарядных устройств часто используются замены:
- 1-когда-то аналог (техническая синонимия): SCTW80N45G — 80A, 45В падение Vf 0.49В.
- VSH5762E(R) — VL от OSRAM (общее тепловое Vf ~0.47).
- STPS80H100 — 45V/80A падение ~0.45.
- KB8050NMR — 45V/80A замена с металлической базой. (Хотя Microsemi указывает исключительно на own grade — точные клон выполняются TO-247 доработанными (справ от IR) — например IRF6160 с вентиля Vgs нет абсолютно, потому это именно Диод Шоттки, а не Transistor)*
5. Типичные применения
- Защита от обратной полярности (верхняя, низкая — на выходе P/F).
- Выходные выпрямители импульсных блоков питания (SMPS) средней и высокой мощности.
- DC-DC преобразователи (down-convert / boost).
- В цепях ORing диодов в серверных корпусах 48В (или минус 48В).
- Солнечные инверторы (MPPT конверсия 12V → 12-20V).
Если вам нужно подобрать точный эквивалент для замены — уточните параметры напряжения вашей схемы и температурный режим ("Vgs" отсутствуют — термин ошибочен к данному диоду).