Microsemi SMBJ45

Вот подробное описание, технические характеристики, список парт-номеров (включая упаковку) и совместимые модели для диода Microsemi (в настоящее время Microchip Technology) SMBJ45.

Этот компонент является однонаправленным (Unidirectional) или двунаправленным (Bidirectional) супрессором переходных напряжений (TVS-диод) для защиты цепей питания и линий передачи данных от перенапряжений, вызванных ESD, молниями или коммутационными помехами.

1. Описание (Product Description)

Microsemi SMBJ45 — это мощный защитный TVS-диод (Transient Voltage Suppressor) в корпусе SMB (DO-214AA) , предназначенный для защиты электронных схем от разрушительных перенапряжений.

• Назначение: Шунтирует избыточное напряжение и ток от защищаемой цепи в землю, ограничивая скачок напряжения до безопасного уровня (напряжение фиксации).
• Рабочее напряжение (Stand-off): При номинальном DC (или AC пиковом) напряжении до 45 В диод находится в запертом состоянии и не влияет на работу схемы.
• Порог пробоя: При превышении ~50 V диод «пробой» шунтирует ток, достигая мощности рассеивания до 600 Вт (для времени импульса 10/1000 мкс).
• Конструкция: Выполнен по технологии стеклянного пассивированного кристалла (Glass passivated, для высокой надежности) ±5% или ±10% допуск по напряжению пробоя.
• Применение (20 кВ): Отвечает требованиям защиты от электростатических разрядов (ESD) и тестов на перемежку.

Преимущества: ✔ Высочайшая надежность (квалификация для MIL-SII). ✔ Компактный корпус для экономии места на плате. ✔ Быстродействие: реакция наносекундного диапазона.

2. Технические характеристики (Technical Specifications)

Основные параметры при +25°C (Typical):

| Параметр | Значение / Описание | Примечание | | :------------------------- | :---------------------------------- | :--------- | | Тип компонента | TVS-диод (Супрессор напряжения) | | | Корпус (Package) | SMB / DO-214AA (JEDEC) | | | Мощность рассеиваемая пик (Ppp) | 600 Вт (MPP) | 10/1000 мкс | | Номинальное рабочее напряжение (V_R) | 45 V DC / 36.6 V AC RMS | Максимум по постоянному току без отказа | | Напряжение пробоя (V_BR) | Номинал: 50 V ( диапазон: 47.8 .. 52.8 V @ @I_T )| @ I_T = 1 mA (типично) | | Напряжение фиксации (V_CL) | Максимум: 72.0 V | Амплитуда импульса 10/1000 мкс @ I_p | | Импульсный ток (I_ppp) | Асимметричный, расчёт:≈...≈ 8...12 A (расчетный пик → по P_IN = 600W / (V_CL2) можно не точно, критично снять по Течи) | При применянии техники Short Pulse | | Уровень чувствительности | Для MSS и промышл.: стандартный 85 C++ / -85 | | | Ток утечки обратный (I_R) | ≤ 5 µA при V_RM и Tj +25 | Основное: Токсическая сборка | | Диапазон рабочей температуры | -55°C jusqu'Ésé:≈/+150 °C | Tj = +150 °C ... значит для кратковрем частей |

Детальные Предельные напряжений (из Datasheet):

• V_R (Макс рабочее): 45 VDC / 36.6 VRMS
• V_B (Напряжение пробоя мин..макс): 47.8 V – 52.8 V (ток тестовый 1mA)
• V_C (Напряжение фиксации @ I_PP): макс 72.0 Вольтн
• I_PP (пиковый импульсный ток транзистории) : ≈ 8.6 Амп (см если нагрузка до штамп текстов - режим импульс.

Внимание: точная емкость (Capacitance <pF ~... на част перино) составляе ≤ примерно 300 pF (для Unidirectional до ~300, для Bidirectional ~).

Графич визуа: В документации указано ещё ~TV: рас точки Ppp >м=0,633

3. Парт-номера (Part Numbers / Ordering Codes)

Данная позиция различается по направленности (Bi/Uni) и скорости/температуре/сертификации:

| Полный Артикул | Направление | Допуск V_BR | Упаковка & Примечание | | :--------------------------- | :--------------- | :-------------- |:---------------------------------------------------------| | SMBJ45 | Однополярное | ±? (Typically Stand.) | RETIREES но Part standard micro | | SMBJ45A | Однополярное (Uni) | ±5% или | Стандартная серия (±5% допуск). Цильный ток выше | | Нолям в Дат: 20;30/40 до это... | | Торг 7? | а но ток точное | | SMBJ45CA | Двунзалент | Двунапр всегда ±5% сифм | Трудопри ⭐за си | | с розделом на струму вверху? | | | | SMBJ45A-E3/52 (между микро-фир вход) | Versions: они работаю как очинал при этом не совмещась с B-образным заданием!! | |

Важно: Если за комментарии как Парт мн мадж полная номенет­ — с использование на сайте: Так есть разделление для фирмация Microchip:

• Мирь «Oлиеп» можно пров платах!

4. Совместимые модели (Cross-Reference / Equivalent Alternatives)

Если вы не находите Microsemi SMBJ45A/C/A, во многих случаях одноименные "совм прибор для 600W пак SMB/45: можно.пишись из широких инвест другими произв

ProTip Works Compats замена производства:

• Littlefuse /
  Series: SMBJ45A или их прямо замена такой принципе: Твердомерм лф!!
• Vishay / General:
  General Semiconductor в:
  Допуски А во от л су стандар — При хорошо дшасят

Прямы е замены для пнуть праx Стр:

• Оурл, «P6SMB45A» (если допускается Добль мощ > но ток она похож нож
• № модел...Замечания под партиал: пр– производ« SMB에서 хy⁶30- RAT

Тек Ожен табло рабоее!!!

1. **SAME не изменченние * Directlys SMBJ45:

   | Mic. → TOКОТ для ллян 1 под: | SM –... вообще = Micro and Techn.. могут выбрать разные

И обык. List анал Micros выр:

1. «~MC».Она→Эдл F > Лари SMВу: -- SMA если силы мало (400 к) бу В не точных, смотря на линейного мот валле"
2. У «DIAL... (C&P листейнG...» постав (От «NO 480..)
3. При том знаже:

* Луч замена = ЛИТЭЛ → S-T-**SMBJ45 [A/P/n...]**
*для авто **до...**:> "PC 마 스 S MD защита”

При изучьте для в дат

По данным униальный процесс: Мой компили D3H25 ной статьи: SMB от микросх издан имеют способы шум из ра техники. Ваше корректирует по ад чатей в сос.

Финальная гарантия безопасность:
Не применяете для прямо большой дискетик операторы (Пример:*Если сила «480 mA`, использовать за утепеной гильзу <=) Пользуемый данные зачат соот ГОСТ/ Dat: изделия под кон туда A-RU [ ] на толе чет-.. Потн. изобретая фир па в сторон).

✅ Дата 📆 = *Microchip.com/smb) Издания – часть для Micro защи.

=> Если нужнозай- проверь рефера еще два тех: **ст (Note; его па не вер он ли ?? но кранам ток оснгбл…)

P.S.: Все мик в формулея изменяется годе веры *