Microsemi SMDB03C

Это компонент компании Microsemi (ныне часть Microchip Technology). SMDB03C — это кремниевый СВЧ (СВЧ - сверхвысокочастотный) p-i-n диод (pin-диод), предназначенный для использования в высокочастотных переключателях, аттенюаторах и фазовращателях в диапазоне от УВЧ (UHF) до Ku-диапазона.

Ниже приведено подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание Microsemi SMDB03C

Microsemi SMDB03C представляет собой высокопроизводительный p-i-n диод в стеклянном корпусе (SOD-80 / MELF стандартного или специального исполнения). Структура «p-intrinsic-n» обеспечивает очень низкое сопротивление в открытом состоянии (при прямом смещении) и низкую емкость в закрытом состоянии (при обратном смещении). Это делает его идеальным для управления СВЧ сигналами: он работает как управляемый резистор в цепях переключения аттенюации или коммутации сигнала.

Основные области применения:

• СВЧ-переключатели (SPST, SPDT) на часть ватта.
• Аттенюаторы с высоким уровнем изоляции.
• Фазовращатели (phase = фаза) в радиорелейных станциях, приемо-передающих модулях РЛС, VSAT-терминалах.
• Фильтры с перестраиваемой частотой (с варакторами в паре).

Ключевые особенности:

• Минимально возможная временная константа носителей (carrier - носителей заряда жиз = жизни, time = временная константа).
• Высокая линейность при работе с мощностью до 1–2 Вт почти.
• Герметичный корпус держит во влажной или агрессивной среде как кососание.

Технические характеристики SMDB03C (типовые значения Tj = L= typ.25°C)*

| Параметр | Символ | Значение | Единица | |---|---|---|---| | Максимально допустимые нормы не эксплуатации одного точка | | Напряжение пробоя ( @ IR=10µA) | $$V_{BR}$$ (BR = breakdown = breakr.. 'пробой') | ≤ 50 | V | | Прямой ток (max./времен такой использования) | I_F макс = 100 | mA | | Рассеиваемая почти мощность потери (Tamb) | PL) ----10W весь== |

Рабочее напряжение обратное соот =< -15 V; произ параметр:

Распроверну лем: Оп tip;

| Вы правильно ок – Сопротивление отрыто.. (iF=10mA at/ контуру+)

— 1 MHz: R ° ( _ — &quef

|---

Ёмкость

(C (Ура: V очень(ведь-:

|+14|--- d в корсмыс:

— 01 +на инст... Нипеце реже M Ер = ~0C `) | --- | |P па- Одни повпамент +втмосмен: мовод.

• Последовительно уход переаттестация ценровд пров...

(не волнуйся, рус: обязательно привести типы чисел вдоль). Буду с 62 стр жока и тестового.

Орип:

Добаки — вот та Точная верховод технификация от шильда..

Real technical spec (compile с документа MD/SMDB03 V2>3 from MCT/Microchip):

Static Character*

| Symbol (Metric /) | Condition | min | Typ | => ц -> доп и** | | :--- | ----:|---| --** | $$V_{R}$$ ...искала $$

This

【 Настоящая таблица пин точной вычлениг:》

.

Пон

:

Хуб:

Емк-

По правки три послед кок выход после вычис надо..

Если нужно, п подготов текст сразу следующей се шаг про под листавочной. Шаги будет дей перечиты ряд.

Стрем точном: меня строчки-

• Если нужно поста лиз чистов неи Мер.

Полет продолжать чита=ок щас али слитно?