Microsemi TO247AD

Microsemi TO247AD — это не отдельная микросхема, а тип корпуса (package type), который компания Microsemi (ныне Microchip Technology) использовала для своих мощных полупроводниковых приборов: MOSFET, IGBT, диодов Шоттки, быстрых диодов и SiC-приборов.

Ниже — подробное описание.

1. Описание корпуса TO-247AD

TO-247AD (также обозначается как TO-247-3, TO-247AC в разных вариантах) — это стандартный промышленный корпус для мощных дискретных полупроводников, рассчитанный на монтаж через отверстие (through-hole) или на радиатор.

Конструктивные особенности:

• Пластиковый изолированный корпус с металлической задней площадкой (обычно соединена с коллектором/стоком/катодом).
• 3 вывода (в отличие от TO-247-4 у некоторых SiC-приборов).
• Широкий металлический фланец для крепления к радиатору болтом M3.
• Выводы гибкие, рассчитаны либо на пайку в плату, либо на винтовое соединение (в вариантах с отверстиями).
• Расширенный температурный диапазон: обычно −55 °C … +150 °C (junction).

Отличия от близких корпусов:

| Корпус | Выводы | Изоляция фланца | Примечание | |---|---|---|---| | TO-247AD | 3 | Нет (фланец = активный вывод) | Классика для MOSFET/IGBT | | TO-247-4L | 4 | Нет | Есть Kelvin-source для SiC | | TO-220 | 3 | Нет | Меньшая мощность | | TO-264 | 3 | Нет | Более мощный, шире | | SOT-227 | 4 | Да (изолирован) | Модульный монтаж |

Под «TO-247AD» в каталогах Microsemi/Microchip чаще всего подразумевается именно 3-выводной вариант с неизолированным фланцем.

2. Технические характеристики (типовые для приборов в этом корпусе)

Значения зависят от конкретного прибора, но рамки такие:

| Параметр | Типичный диапазон | |---|---| | Макс. напряжение VDS / VCE / VR | 100 В … 1700 В (SiC — до 1700 В) | | Макс. ток ID / IC | 20 А … 240 А (импульсный — до 400+ А) | | RDS(on) (MOSFET) | 1,5 мОм … 2 Ом | | VF (диоды) | 0,5 … 1,8 В | | Рассеиваемая мощность Pc | 150 Вт … 500 Вт (при 25 °C) | | Rth(j-c) | 0,25 … 1,2 °C/Вт | | Tj max | 150 °C (Si), 175 °C (SiC) | | Монтаж | Through-hole, болт M3 | | Выводы | 3 pin (G/D/S или B/C/E или A/K) |

3. Парт-номера (примеры приборов Microsemi в TO-247AD)

Microsemi выпускала в TO-247AD несколько линеек. Наиболее известные:

MOSFET (Si)

• APT10M25B2LL — 100 В, N-канал
• APT20M35B2LL
• APT30M60B2LL
• APT50M50B2LL
• APT60M75B2LL
• APT80M60B2LL
• APT100M50L
• APT120M50L

Часть из них шла в TO-247 "B2LL" (с изолированным фланцем), часть — в классическом AD.

MOSFET / SiC

• APT40SM120B — SiC MOSFET 1200 В, ~40 мОм
• APT30SM120B
• APT50SM120B
• MSC080SMA120B (после ребрендинга в Microchip)
• MSC025SMA120B

IGBT

• APT75GT120JU3
• APT50GT120JU3
• APT40GT60BRG (часто TO-247)

Быстрые диоды (FRED)

• APT60DQ60B
• APT60DQ120B
• APT2X60DQ60J (в D3-корпусе, не AD — но встречались аналоги)

Диоды Шоттки

• APT30S20BG
• APT60S20B
• APT100S20B

Буква B в конце парт-номера у Microsemi традиционно означает пластиковый TO-клип-корпус (TO-247 / TO-268); иногда конкретизируется как B2 (TO-247-3), BG (с стеклянным изолятором) и т.д.

4. Совместимые модели (кросс-референс)

Корпус TO-247AD стандартизован, поэтому физически/электрически в него монтируются приборы от разных производителей, и они взаимозаменяемы по геометрии и схеме:

Совместимые по форме / аналоги по применению:

• Infineon — серии CoolMOS IPW60R…, IKW…, IKW40N… (IGBT)
• ST — STW…N…, STGW…, STPSC…
• Vishay — SiHG…, VS-…
• ON Semi — FCH…, FGH…, NTH…
• Wolfspeed (Cree) — C3M… (SiC, часть — TO-247-3)
• Rohm — SCT… (SiC)
• Toshiba — TK…, GT…
• IXYS / Littelfuse — IXTH…, IXGH…
• Microchip (Microsemi) — MSC…, APT…

Прямые функциональные замены между линиями Microsemi и другими вендорами подбираются по параметрам:

1. VDSS / VCES / HR
2. RDS(on) или VF
3. Qg / trr
4. Rth(j-c)
5. Полярность корпуса (пин-аут: G-D-S у MOSFET и B-C-E у IGBT одинаковы в TO-247 практически у всех).

5. Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы для моторов и солнечных панелей
• Сварка, индукционный нагрев
• Приводы (motor drives)
• Зарядные станции EV
• UPS

6. На что обратить внимание при замене

1. Пин-аут в TO-247 унифицирован у большинства: слева-направо, вид спереди — затвор/база/анод? — руп/коллектор, исток/эмиттер/катод (для N-канальных MOSFET и IGBT); проверять именно даташит.
2. Изоляция фланца — TO-247AD обычно неизолирован, прокладка и втулка обязательны.
3. Тепловое сопротивление Rth(j-c) — критично для замены по нагреву.
4. У SiC-версий может быть 4-й вывод Kelvin в том же габарите (TO-247-4L) — он не совпадает пин-в-пин с 3-выводным.

Если вы имели в виду конкретный прибор (например, APT60M75B2LL, MSC080SMA120B или IGBT), напишите парт-номер — дам точные параметры и кросс-референс по конкретной модели.