Sanken SI-1125HDP — Описание и характеристики

Описание

Sanken SI-1125HDP — мощный биполярный транзистор NPN структуры, производства японской компании Sanken Electric. Применяется в импульсных источниках питания, строчной развертке телевизоров и мониторах, inverter-схемах, сварочных аппаратах и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока.

Транзистор выполнен в корпусе TO-3P (также обозначается как TO-247-подобный, 3 вывода), с высокой рассеиваемой мощностью и устойчивостью к лавинному пробою.

Отличительные особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 1500 В)
• Большой ток коллектора (до 10 А, импульсный — до 15 А)
• Встроенный диод коллектор-эмиттер (damper diode)
• Устойчивость к обратному напряжению базы
• Рабочая температура до +150 °C

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | NPN | | Материал | Кремний | | Корпус | TO-3P (ISO-3P) | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1500 В | | Напряжение коллектор-база (VCBO) | 1500 В | | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 В | | Постоянный ток коллектора (IC) | 10 А | | Импульсный ток коллектора (ICM) | 15 А | | Постоянный ток коллектора (пик. Icp) | ок. 15 А | | Рассеиваемая мощность (PC, при Tc = 25 °C) | 150 Вт | | Коэффициент усиления (hFE) | 8 – 40 (тип. ~15–25) | | Граничная частота (fT) | ~ 3 МГц (тип. 2.5 МГц) | | Напряжение насыщения кол-эмит (VCE(sat)) | ≤ 2.5 В (при IC = 8 А) | | Напряжение насыщения база-эмит (VBE(sat)) | ≤ 1.5 В | | Время включения (ton) | ~ 1 мкс | | Время выключения (toff) | ~ 3 мкс | | Тепловое сопротивление (Rθjc) | 0.83 °C/Вт | | Рабочая температура | от –55 °C до +150 °C |

Примечание. Значения могут незначительно отличаться в зависимости от даташита (rev.). Токовые и мощностные параметры нормируются при температуре корпуса 25 °C; при нагреве применяется derating.

Партномера

У данного транзистора встречаются следующие маркировки/партномера:

• SI-1125HDP
• SI1125HDP
• Иногда поставляется под кодовым обозначением: SANKEN SI-1125HDP
• Аналоги от Sanken: SI-1125HD (без встроенного демпферного диода)
• Заменители (не партномера, а функциональные аналоги):
  • 2SC3722
  • 2SC4117
  • 2SC5144
  • 2SC5244
  • MJE13009 (близкие IGBT/switch примен.)
  • 2SD1554, 2SD1710 (для ТВ-строчной развертки)

Для точных парт-номеров рекомендуется ссылаться на маркировку на корпусе и datasheet Sanken (кодировка: SI-1125HDP, SI1125HDP-K, возможные варианты упаковки — bulk).

Совместимые / применяемые модели (устройства)

Sanken SI-1125HDP встречается в:

Телевизоры:

• Sharp, Sony, Panasonic (CTV-шасси конца 1990-х — 2000-х)
• LG, Samsung CRT TV
• JVC, Toshiba CRT

Мониторы:

• CRT-мониторы LG, Samsung, Philips

Импульсные блоки питания и inverter-схемы:

• БП сварочных инверторов
• Импульсные источники питания источников бесперебойника (UPS)
• X-ray/строчная развертка промышленного оборудования
• Балласты для люминесцентных ламп и схемы инвертирования DVD/Blue-ray проигрывателей

Прямые кросс-референсы (функциональные аналоги):

• 2SC5144 (более высокая частота)
• 2SC4117
• 2SD1710 (с встроенным диодом)
• FJL6920 (Fairchild/onsemi, IGBT — только для аналогичных задач)
• ST2003DHI и подобные CRT-транзисторы

Важно: перед заменой проверяйте, критичен ли встроенный демпферный диод (в SI-1125HDP он есть). Если в схеме требуется такой транзистор, замена на вариант без диода (например, SI-1125HD) может потребовать внешнего диодного включения.

Если нужен конкретный datasheet (с графиками SOA, кривыми насыщения и т.п.) или подбор замены под конкретную схему — напишите модель устройства, помогу точнее.