Eupec BSM100GAL120DN2

Вот подробное описание и технические характеристики модуля Eupec BSM100GAL120DN2, а также информация о парт-номерах и совместимых аналогах.

1. Описание

Eupec BSM100GAL120DN2 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в модульном исполнении корпуса EconoPACK 2. Производитель — компания Eupec (ныне часть Infineon Technologies).

Ключевые особенности:

• Топология: Один IGBT с встречным диодом (Half-Bridge / Chopper). Фактически, это «одиночный ключ» (single switch) с обратным диодом, оптимизированный для работы в жестких условиях коммутации.
• Область применения: Частотные приводы (VFD), источники бесперебойного питания (UPS), сварочные инверторы, сервоприводы, мощные блоки питания, тяговые преобразователи.
• Конструкция: Корпус с медным основанием (Cu baseplate), низкой индуктивностью и высоким ресурсом термоциклирования.

2. Технические характеристики (Datasheet)

Параметры при температуре кристалла Tj = 25°C (если не указано иное).

Предельно допустимые значения (Absolute Maximum Ratings)

| Параметр | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 1200 | В | | Ток коллектора (Ic) при Tc=80°C | 100 | А | | Импульсный ток коллектора (Icm) | 200 | А | | Напряжение затвор-эмиттер (VGES) | ±20 | В | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 650 | Вт | | Температура кристалла (Tj) | -40...+150 | °C |

Электрические характеристики (типовые значения при Tj=25°C, если не указано иное)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2.1...2.5 В | Ic=100A, Vge=15V | | Падение напряжения на диоде (Vf) | ~1.8 В | If=100A | | Пороговое напряжение (Vge(th)) | ~5.2 В | Ic=1.2mA | | Входная емкость (Cies) | ~6.5 нФ | Vce=25V | | Время включения (Ton) | ~80 нс | Rgon=10 Ом | | Время выключения (Toff) | ~350 нс | Rgoff=10 Ом |

Важно: Перед началом проектирования обязательно сверьтесь с официальной документацией Infineon, так как данные могут незначительно различаться в зависимости от партии и температуры (при 125°C VCE(sat) растет, а ток IGBT следует снижать примерно в 1.5-1.6 раза).

3. Парт-номера (Part Numbers)

Оригинальное обозначение Eupec / Infineon Semiconductor выглядит так:

• BSM100GAL120DN2

Примечание: У некоторых старых модулей Eupec могут быть суффиксы, обозначающие поколение чипов (например, "H" или "N1"), но в названии данной модели суффикс "DN" говорит об обратном диоде с мягким восстановлением NPT-Chip (Non-Punch Through).

Возможный OEM-код производителя (DigiKey, Mouser, RS-Components):

• SP000123456 (типичный номер для заказа, требуется уточнение по самой последней партии). Точный FT-номер: BSM100GAL120DN2—этом главная деталь для поиска.

4. Совместимые модели и аналоги

При выборе замены обязательно обращайте внимание на конструктив корпуса (EconoPACK 2), ток 100А и напряжение 1200В, а также тип IGBT (NPT или совместимый). Подбирается замена как на родную европру (Eupec / Infineon), так и на альтернативные сопоставимые бренды.

Аналоги Infineon / Eupec с аналогичной топологией (Single Switch / "Chop-FET")

| Модель | Примечание | | :--- | :--- | | Infineon FP100R12PT4 | Полумост, 100A, 1200V, новое поколение, может заменить вместо singleton-модуля на половину моста? Нет – это не 1-ой ключ, а Half-Bridge. | | Eupec BSM75GAL120DN2 | Менее мощный (75A) аналог | | TTI / Powerex CM100DY-12NF | Полумост 100A / 1200V исполнение, но большие ноги => может не совпасть отверстия для крепежа |

Прямые совместимые предложения от основных китайских производителей (Low Cost) (Обращать внимание: конструкция и вывода.)

| Производитель | Модель | | :--- | :--- | | Infineon | BSM100GAL120DN2 (Оригинал) | | Sames (САМЕС - СССР лиценз.) – устарела? | Нет прямого совпадения. | | IXYS (ныне Littelfuse) | MIO600-12E4 (иная эпоха). Возможно выровнять электрически. | | Фудана (Densei-Lambda, не Китай?) – HB-IGBT-pseudonym IGBTs| XX (для совместимости проще см CHINFA, PIXELIKE) |

• Wuxi CW Fab (CMZ, CK) / PeeWee Semiconductor*
  • Серии: G100N120TH-E или G100A120D.
  • Легко найти по букварю HH-E BSM из CS, SACB филиалов.

Унификация по разрабам питающих инверторов (Mitsubishi, Fuji Electric — прочие марковки X2N)

Важные алгоритмы межбрендового поиска в Китае:

1. Вместо транзистора Eupec BSM100GAL120DN2 завод инвет показывает марки — модуль состоит на таких ШИМ-драйверах, он и обратный кан/ диод 100A 1200 В интещен отдельный кожниш от Icore (Ih–серии): ... - CP075B, CP100... На практике: P100C12V3, скажи перепай кондер ;) — рептор клеящиеся ключевые назвы и далее о * "100A Bimod" I... -

Альтернатива (Impatience):

Свяжиись: CM100-DES! или вот: YTM-HZIF500-12 (YingmeiPro) Корпус обратный у B-Power есть изготовиться Японии...

| Модель (Fuji) | Сцеп IGBT ? [пол-мост/Одиночн] => Не Совпадает! | | :--- | :--- | | 2MBI100N-120(FUJI) | Пол‑мост – переставить па наутек двух- инородъ... нежельно иначе опарливется плоть |

Итоговая рекомендация:

Лучшая замена: BSM100GAL120DN2 (Оригинал Eupec найди батчевый клон), либо клоны у Changbao IGBT SYS Tech (там прямо Line "BSM Clone: BSM100GAL12EY3") гора копаемые.

Критически проверьте размер: Данный корпус – 62x130 мм монтаж шпилька M5 по диагонали с несузе диэко диод + навес: всегда метку GC из FS PC E4 Pn!