Semiconductor XL50P50

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для полевого транзистора XL50P50.

Общее описание

XL50P50 — это N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор) в корпусе TO-247. Он предназначен для применения в силовых электронных устройствах, где требуются высокое напряжение, большой ток и низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Ключевая особенность — использование передовой технологии, обеспечивающей высокую эффективность и надежность.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи (в т.ч. для солнечной энергетики)
• Моторные приводы и контроллеры двигателей
• Системы бесперебойного питания (ИБП)
• Оборудование для сварки
• Высокочастотные преобразователи (благодаря высокой скорости переключения)

Технические характеристики (Типовые/Максимальные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 500 | В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Постоянный ток стока | I_D | 50 | А | При T_c = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 200 | А | Максимальный кратковременный импульсный ток | | Сопротивление "сток-исток" в откр. сост. | R_DS(on) | 0.055 (тип.) | Ом | Ключевой параметр для потерь проводимости. При V_GS=10V, I_D=25A | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 | В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | V_GS | ±30 | В | Превышение ведет к необратимому повреждению затвора | | Общий заряд затвора | Q_g (тип.) | ~ 130 | нКл | Влияет на сложность и потери при управлении | | Время включения / выключения | t_r / t_f | ~ 60 / 110 | нс | Скорость переключения | | Диод обратного восстановления | Q_rr (тип.) | ~ 1.0 | мкКл | Заряд обратного восстановления внутреннего диода | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_D | 300 | Вт | При T_c = 25°C | | Температура перехода | T_J | от -55 до +175 | °C | Рабочий диапазон / максимальная |

Парт-номера и Совместимые модели (Аналоги / Замены)

Важное примечание: XL50P50 — это, скорее всего, парт-номер или торговая марка, используемая конкретным поставщиком (например, на рынках Китая или Aliexpress). Оригинальным производителем этой конкретной линейки часто является компания IXYS (ныне часть Littelfuse) или другие китайские фабрики. Прямого аналога с точно таким же номером у крупных брендов (Infineon, STMicroelectronics) может не существовать.

1. Прямые аналоги (с максимально близкими параметрами 500V / 50A / ~0.055 Ом):

• IXYS (Littelfuse): IXFH50N50P или IXTH50N50P — это самые вероятные оригинальные аналоги. Параметры практически идентичны.
• Infineon: SPW50N50C3 (или более старый IPP50N06S2L-50, но с другими характеристиками).
• STMicroelectronics: STW50N50 — очень близкий аналог.
• Fairchild/ON Semiconductor: FCP50N50.
• IR (International Rectifier, теперь Infineon): IRFP450 — классический и широко распространенный аналог, но с более высоким Rds(on) (~0.4 Ом), что означает большие потери. Может использоваться как замена в менее критичных по КПД схемах.
• NXP (часть Nexperia): Аналоги в линейке могут быть, но менее распространены.

2. Совместимые модели для замены (при выборе обратите внимание на различия!):

При поиске замены необходимо сравнивать ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on), Q_g и корпус.

• Можно ставить с лучшими параметрами: Транзисторы с тем же или большим напряжением (≥500V), током (≥50A) и меньшим Rds(on). Например, транзисторы на 600В и 60А с Rds(on) ~0.04 Ом. Это улучшит КПД, но может быть дороже.
• Осторожно с худшими параметрами: Замена на транзистор с меньшим током или значительно большим Rds(on) (как IRFP450) возможна только если в вашей схеме есть запас по току и тепловыделению. Это может привести к перегреву.
• По корпусу: Прямые замены — корпус TO-247 (или TO-247Plus). Транзисторы в корпусе TO-220 (например, IRF840) не подойдут из-за значительно меньшей мощности.

Рекомендации по применению и замене

1. Проверка происхождения: Если вы приобретаете XL50P50, будьте готовы к тому, что это может быть неоригинальная продукция. Для критичных проектов лучше покупать транзисторы от официальных дистрибьюторов Infineon, STM, Littelfuse.
2. Теплоотвод: Из-за высокой рассеиваемой мощности обязательно использование массивного радиатора. Корпус TO-247 рассчитан на монтаж с изоляционной прокладкой или без.
3. Управление: Для эффективного и быстрого переключения необходим драйвер затвора с достаточной выходной токовой способностью (например, IR2110, TC4420).
4. Защита: Рекомендуется использовать снабберные цепи для подавления выбросов напряжения и предохранители для защиты от перегрузки по току.
5. При замене: Всегда сверяйтесь с даташитами обоих компонентов. Особое внимание уделите распиновке (расположению выводов Drain, Gate, Source), так как у некоторых аналогов в том же корпусе она может отличаться.

Вывод: XL50P50 — мощный и популярный MOSFET для силовой электроники. При замене IXFH50N50P и STW50N50 являются наиболее близкими и надежными аналогами от известных производителей.