STW18NK80Z — Описание и характеристики

📋 Описание

STW18NK80Z — это высоковольтный N-канальный MOSFET (полевой транзистор) с изолированным затвором, произведённый компанией STMicroelectronics. Транзистор выполнен по технологии SuperMESH™ и предназначен для работы в импульсных источниках питания, схемах коррекции коэффициента мощности (PFC) и других приложениях с высоким напряжением.

Транзистор имеет Zener-диод между затвором и истоком (Gate-Source Zener protection), что обеспечивает защиту от перенапряжений на затворе.

Корпус: TO-247 (пакет TO-247-3)

⚡ Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Технология | SuperMESH™ | | Напряжение сток-исток (V_DS) | 800 В | | Ток стока (I_D) при 25°C | 18 А | | Ток стока (I_D) при 100°C | ~11.4 А | | Сопротивление открытого канала R_DS(on) | 0.45 Ом (при V_GS=10В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS max) | ±30 В | | Заряд затвора Q_g | ~105 нКл | | Входная ёмкость C_iss | ~3370 пФ | | Выходная ёмкость C_oss | ~330 пФ | | Пороговое напряжение V_GS(th) | 3.0 – 5.0 В | | Рассеиваемая мощность P_D | 240 Вт (при T_C = 25°C) | | Рабочая температура перехода | -55…+150°C | | Тип защиты затвора | Встроенный Zener (Gate-Source) | | Корпус | TO-247 | | Pinout | G-D-S (стандартный) |

Графические данные

• Тепловое сопротивление R_th(j-c): 0.58 °C/Вт
• Время включения t_on: ~25 нс
• Время выключения t_off: ~55 нс
• Ёмкость обратной передачи C_rss: ~75 пФ

🔖 Парт-номера (Part Numbers) и замена маркировки

| Артикул / Part Number | Описание | |---|---| | STW18NK80Z | Координатное обозначение серии | | STW18NK80Z-1 | Аналогичный прибор (возможные различия по корпусу/упаковке) | | STP18NK80Z | Версия в корпусе TO-220 (если доступна) | | STB18NK80Z | Версия в корпусе D²PAK (если доступна) |

Примечание: полный парт-номер может включать суффиксы упаковки (например, "-E" для ленточной намотки или "-S" для версии с улучшенными параметрами).

Выявленные версии: В некоторых каталогах встречается STW18NK80Z в TO-247, а также возможна версия STW20NK80Z (20А) как более мощный аналог.

🔧 Совместимые модели (аналоги и близкие заменители)

Прямые аналоги от STMicroelectronics:

• STW20NK80Z — 800В, 20А (более мощный аналог)
• STW15NK80Z — 800В, 15А
• STW12NK80Z — 800В, 12А
• STP18NK80ZFP — версия в другом корпусе
• STW18NM80Z — серия NM (если предусмотрена)

Совместимые аналоги других производителей:

| Производитель | Модель | Примечание | |---|---|---| | Infineon | SPW20N80C3 | Аналог (CoolMOS) | | Infineon | SPP20N80C3 | Корпус TO-220 | | Vishay | SiHF18N80E | Close match | | ON Semiconductor | FQH18N80C | Аналог | | Toshiba | TK18A80D | Совместимые параметры | | IXYS | IXTH18N80 | High voltage MOSFET | | Fuji | FMH18N80E | Аналогичный высоковольтный MOSFET |

Применения (где используется):

• Импульсные источники питания (SMPS) — AC/DC преобразователи мощностью 100…1000 Вт
• Корректоры коэффициента мощности (PFC) — активный PFC
• Инверторы для сварочных аппаратов, приводов
• LED-драйверы высокого напряжения
• Зарядные устройства для EV и промышленные зарядки
• Мощные DC-DC преобразователи

Эквивалент для замены в существующих схемах:

Если STW18NK80Z недоступен, как эквивалент можно использовать:

• STW20NK80Z (с улучшенными характеристиками тока и R_DS(on)) — наиболее близкая замена от ST
• SPW20N80C3 от Infineon — полная замена с инженерной точки зрения
• FQH18N80C от ON Semi / Fairchild

⚠️ Внимание: обязательно проверяйте напряжение питание схемы (V_DS не менее 800В), заряды затвора и тепловой режим при замене транзистора в SMPS/FPC.

📦 Маркировка

На корпусе транзистора указывается:

============================
        STW18NK80Z
        █  (логотип ST по фирменной вариации)
============================

С указанием даты выпуска (Date Code) и партии.

Если требуется подбор для конкретной схемы, дайте знать топологию/частоту коммутации, чтобы точнее подобрать аналог по dv/dt, Q_g и E_oss.