PHD13003C — Высоковольтный NPN транзистор

Описание

PHD13003C — это высоковольтный NPN биполярный транзистор средней мощности, производимый компанией Philips (ныне NXP Semiconductors). Транзистор предназначен для применения в импульсных источниках питания, электронных балластах люминесцентных ламп, а также в схемах строчной развёртки и других устройствах, требующих коммутации высокого напряжения.

Кристалл размещён в корпусе SOT-82 (полностью изолированный пластиковый корпус TO-126-подобного типа), что обеспечивает гальваническую изоляцию от радиатора и упрощает монтаж.

Основные технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. изм. | |---|---|---|---| | Тип | — | NPN | — | | Напряжение коллектор-эмиттер (пробой) | V_CEO | 700 | В | | Напряжение коллектор-эмиттер (смещение база-эмиттер) | V_CES | 700 | В | | Напряжение коллектор-база | V_CBO | 900 | В | | Напряжение эмиттер-база | V_EBO | 9 | В | | Постоянный ток коллектора | I_C | 1 | А | | Пиковый ток коллектора | I_CM | 1.5–2 | А | | Импульсный ток коллектора | I_C(pulse) | 2 | А | | Рассеиваемая мощность (T_case = 25 °C) | P_tot | 40 | Вт | | Рассеиваемая мощность (без радиатора, T_amb = 25 °C) | P_tot | 1.5–1.8 | Вт | | Коэффициент передачи (h_FE) при I_C = 0.5 A | h_FE | 5 (мин.) / 15 (тип.) | — | | Граничная частота | f_T | 4–8 | МГц | | Напряжение насыщения К-Э при I_C = 1 A | V_CE(sat) | 0.5–1.0 | В | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) | 3.1 | °C/Вт | | Диапазон рабочих температур перехода | T_j | −65…+150 | °C | | Корпус | — | SOT-82 (SOT82, TO-126F-подобный) | — |

Выводы (вид со стороны маркировки): 1 — База (B)
2 — Коллектор (C)
3 — Эмиттер (E)
(Вывод коллектора часто соединён с теплоотводящей пластиной/площадкой)

Парт-номера и варианты обозначения

Транзистор выпускался и маркировался несколькими производителями (Philips, NXP, ST Microelectronics и др.) под следующими номерами:

| Парт-номер / обозначение | Производитель / примечание | |---|---| | PHD13003C,112 | NXP / Philips (блистерная лента) | | PHD13003C,126 | NXP / Philips (насыпная/лента) | | PHD13003C | Philips / NXP — базовое обозначение | | 13003C (маркировка на корпусе) | Общепринятая краткая маркировка | | MJE13003 | Ближайший аналог (Motorola/ON Semi), но другой корпус TO-126/TO-220 | | BUT11A, BUT12AF | Функциональные аналоги | | STD13003 | ST Microelectronics (аналог) | | BUL38D, BUL45 | Более мощные аналоги для балластов | | MMJT13003 | ON Semi | | КТ8177, КТ8170А | Российские функциональные аналоги |

Важно: у разных производителей в номенклатуру могут входить приборы с индексом A/B/C, различающиеся напряжением и h_FE. Прямозаменимым по параметрам считается именно PHD13003C / вы 13003C серии.

Совместимые модели и применение

Типовая область применения:

• Импульсные блоки питания (SMPS) малой и средней мощности (до ~50–60 Вт)
• Электронные балласты для компактных люминесцентных ламп (CFL) и линейных люминесцентных ламп
• Транзисторные инверторы для низковольтных преобразователей
• Схемы драйверов реле, соленоидов и пр.
• Цепи строчной развёртки маломощных мониторов

Совместимые / взаимозаменяемые модели (аналоги и эквиваленты):

| Модель | Корпус | V_CEO, В | I_C, А | P_tot, Вт | Примечание | |---|---|---|---|---|---| | PHD13003C | SOT-82 | 700 | 1 | 40 | Прямой оригинал | | PH13003C | SOT-82 | 700 | 1 | 40 | Сокращённое обозначение | | ST13003 | SOT-32 / TO-126 | 700 | 1 | — | ST Micro, функциональный | | MJE13003 | TO-126 / TO-220 | 700 | 2 | 40 | Ближайший аналог | | 2SC3460 | TO-3 | —– | — | — | Как правило, стр. развёртка | | BUT11 / BUT11A | TO-126 / SOT-186 | 850 / 400 | 5 / 5 | 40 | Более мощные аналоги для SMPS | | BUL38D | TO-220 / DPAK | 800 | 5 | 40 | Для балластов, высокий hFE | | КТ8177А | — | — | — | — | Российский аналог |

Критерии выбора замены:

При подборе аналога/замены необходимо проверять минимум:

• V_CEO ≥ 700 В (для сетевых 220 В схем с запасом)
• I_C ≥ 1 А (постоянный; импульсный — кратно выше)
• P_tot ≥ 20–40 Вт с теплоотводом или соответствующей площадкой
• hFE должен быть не ниже оригинала вблизи рабочего тока базы
• Корпус и выводы: SOT-82 имеет свои размеры (площадка 4.6 → 3.75 мм — см. datasheet); при установке аналога возможно потребуется адаптация радиатора/ПП.
• Частотные свойства (f_T ≥ 4 МГц) для импульсных SMPS на 30–50 кГц.

Рекомендации при замене

1. Проверяйте полярность и цоколёвку аналогов — она может отличаться (например, вывод коллектора совмещён с тыльной площадкой, у TO-126 часто такое же, но у TO-220 вывод коллектора — второй / пластина).
2. Изоляционные прокладки при использовании неизолированного аналога (например, MJE13003 в TO-220) обязательны.
3. Снабберные цепи и защитные диоды остаются необходимыми, как в исходной схеме.
4. Ток управления базой критичен для больших токов: для 2 ампер петлевой ток может потребоваться ток базы ~0.5–1 А, лучше подбирать переход по h_FE.

Если нужно — могу подготовить таблицу для сравнения с конкретным аналогом (например, MJE13003 или BUT11A) по совпадению цоколёвки и возможность установки в посадочное место SOT-82.