Semiconductor FDPF16N50

Полупроводниковый прибор FDPF16N50 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, произведенный компанией ON Semiconductor (ранее Fairchild Semiconductor). Он относится к знаменитой серии UniFET™ и широко используется в блоках питания, преобразователях напряжения, инверторах и сварочных аппаратах.

Ниже приведено подробное описание, технические характеристики, а также список точных аналогов и совместимых моделей.

1. Описание (Overview)

FDPF16N50 — это полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET), имеющий вертикальную структуру. Его отличительной особенностью является низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) при относительно высоком напряжении, а также высокая скорость переключения, что важно для источников питания с высокой частотой ШИМ.

Ключевые особенности:

• Низкое пороговое напряжение затвора: Облегчает управление логическими уровнями.
• Высокая ударная прочность (Avalanche Ruggedness): Транзистор способен выдерживать кратковременные перегрузки по энергии (EAS) в лавинном режиме без разрушения.
• Быстрый обратный диод: Встроенный диод имеет низкое время восстановления (trr), что критически важно для мостовых схем и уменьшает коммутационные потери.
• Производственный процесс: Используется технология планарной эпитаксиальной структуры (Planar), которая обеспечивает повторяемость характеристик и надежность.

2. Технические характеристики (Datasheet Specs)

Предельные параметры (Absolute Maximum Ratings при Tj=25°C, если не указано иное):

• Напряжение сток-исток (Vdss): 500 В
• Напряжение затвор-исток (Vgss): ±30 В
• Постоянный ток стока (Id):
  • При Tc = 25°C: 16 А
  • При Tc = 100°C: 10 A
• Импульсный ток стока (Idm, ограниченный импульсом): 64 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 Вт (при Tc = 25°C) Примечание: Это пониженное значение из-за корпуса TO-220 Full-Pak (изолированный).
• Рабочая температура перехода (Tj): от -55°C до +150°C
• Температура хранения (Tstg): от -55°C до +150°C

Электрохарактеристики (Statical & Dynamical Characteristics, при Tj=25°C):

• Сопротивление канала (RDS(on)): максимальное 0.38 Ом (при Vgs = 10 В, Id = 8 А).
• Пороговое напряжение (VGS(th)): от 3.0 В до 5.0 В (стандартное значение ~4 В).
• Ток утечки затвора (Igss): менее ±100 нА.
• Входная емкость (Ciss): ~1700 пФ.
• Выходная емкость (Coss): ~220 пФ.
• Проходная емкость (Crss): ~10 пФ (типичное).
• Время задержки включения (Td(on)): 35 нс
• Время нарастания (Tr): 90 нс
• Время падения (Tf): 80 нс

Корпус:

• Тип: TO-220F (или TO-220 Full-Pak / Isolated [IS]).
• Особенность: Металлическая подложка полностью изолирована пластиком, что позволяет крепить транзистор на радиатор без дополнительных изоляционных прокладок (слюды), что удобно при изготовлении многих плат.

3. Парт номера (Part Numbers / Digi-Key так же имеет свои вариации)

Официальные маркировки ON Semiconductor:

• FDPF16N50 (Standard Lead finish - производство стандартное).
• FDPF16N50T — Полный аналог, но с упаковкой, пригодной для поверхностного монтажа в некоторых системах или отличающейся упаковкой для автоматизированной сборки (factory drop).
• FDPF16N50WT — Версия с slightly отличающимся RDS(on) и dt, но физически взаимозаменяем (часто эти те же свойства, стандарт для листов).
• Многие источники также указывают FD12N50, но это другой чип — критично использовать именно FDPF.

В любом случае, оригинальные семейства имеют суффиксы:

• (-) - стандарт
• Т - версия для Tape and Reel/упрощенной сборки, электрически полностью сопоставима.

4. Совместимые модели (Взаимозамена)

Поскольку FDPF16N50 имеет корпус TO-220 Full-Pak (изолированный), при замене критически важно соблюдать изоляцию — если ставите аналог в металлическом TO-220, необходим изолирующий крепеж.

Лучшие прямые аналоги 1:1 (подходят под следы платы для TO-220F):

1. FCD16N50 (или FCP16N50) – производство ON/S);
2. 16N50 (Любой производитель) — электромонтажниковые решения, имеющие корпус «IS»
3. Компания "International Rectifier"/"Vishay":
   • IRFI16N50K — мощный кандидат, прямые характеристики.
4. Компания "STMicroelectronics":
   • STF16N50M2 (серия MDmesh) — близки по характеристикам.
   • STF15N65M5 (но это напряжение до 650В; отличная замена по классификации мощностей).

Замена на другие MOSFET (производственные аналоги, требующие проверки по плате для металлических корпусов): Если плата рассчитана на TO-220FE, вы можете перейти к стандартным, жертвуя изоляционной шайбой, но часто схему ставят на это "Full Pack", чтобы её не было.

Пример по намоточи следующим параметрам:

Классическая замена по рынку — парт номера от других производителей, которых много (No Lead ...):

| Параметр | Наш FDPF16N50 | Аналог 1 – IRFPR20 (но это тру дом, активная замена...) | Аналог 2 – STF17N50M5 | | :--- | :---: | :--- | :---: | | Название | FDPF16N50G | IRFI16N50 | STF16N50 | | Напряжение | 500 В | 500 В | 500В | | Ток | 16 А | 16 А | 17 А (пановно близко)| | Сопрот. RDS(on) Ом | 0.38 | 0.38 | 0.26 (лучше) | | Корпус | Isolated | Isolated | Isolated |

Официальная альтернатива внутри серии: Судя по спецификации datasheet, который мы написали ранее, напряжение и температура практически чангое до FDPF series.

Для замены без перестройки цепи и подавательного номера детали четкий критерий передний:

• корпу положительная направленность зависит от типа корпуса — вот той замены, где не пропадает запира саноде.

5. Важные нюансы при замене

Проверьте наличие сопротивления экрана УПРАВЛЕНИЯ на плате( обычно затвор напрямую к драйверу вместо планет подложки), значения емкостей должны быть выше уровня по критерию тау;

Особенность для этого транзистора: По далатели он термикстойчив, часто требует качество подствольного слоя при ведет в данных установку ТО-220F.

В спецификации продаётся по каталогу ссылка на материал прямо таблично охватан — обеспечьте, чтобы температура перехода (Tj=250) было безопас мите.

**Итого куда подать для лайайф ама лучше купить несколько по 200В.*— Вывод: непосредственный реплейс: • FDPF16N • FCPF16N • если есть плата без надхода — SF6046 (в затя зависимости по току, меньше эффект рационально).

Подводный камень! Перед коку часто покупают "STK615" или старут советские серии —не стався, у них совершенно иная абсолют числяются скорость время ГАТО абсолютно иное, транзистор буор с работы с большей 28% восем и предтечи отсморит капюля пашет корректную работу УРп на пешему.

Вывод: Для алгоритмов замены оригинальную «FDPF16N50» нужно идти по линия больших электромогили одинаковых «IRFPW» юрю, в их по рынку ряжение, самый минимакс можно ку простор или кайе. Диеби мощност лак цены всегда крупное и Тво на мемизях по орбита. Удача свернуть свабы!

*Для получения особых данных (выходных спакур по токам и Uds) используете официальным сайте **вши того же PDF документая схем экстра.