FDD6780A — N-Channel PowerTrench® MOSFET

Описание

FDD6780A — это N-канальный MOSFET, произведённый компанией Fairchild Semiconductor (ныне часть onsemi / ON Semiconductor), выполненный по технологии PowerTrench®. Транзистор предназначен для использования в силовых схемах с высоким током и низким напряжением управления.

Транзистор отличается:

• Очень низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on))
• Высокой плотностью тока
• Оптимизированными характеристиками переключения
• Низким зарядом затвора

Основное применение: синхронные DC-DC преобразователи, импульсные источники питания, драйверы двигателей, схемы ORING, защита аккумуляторов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип канала | N-Channel | | Технология | PowerTrench® | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | V_DSS (макс.) | 30 В | | V_GS (макс.) | ±20 В | | I_D (непрерывный, T_C=25°C) | 80 А | | I_D (импульсный) | ~200 А | | R_DS(on) при V_GS=10 В | ~4.7 мОм | | R_DS(on) при V_GS=4.5 В | ~6.5 мОм | | V_GS(th) | 1.0–2.4 В | | Q_g (общий заряд затвора) | ~25 нКл | | C_iss | ~1500 пФ | | P_D (рассеиваемая мощность) | ~50 Вт | | Рабочая температура | −55…+175 °C | | Тип перехода | Стандартный (не logic-level специально, но управляется от 4.5 В) |

Примечание: точные параметры могут отличаться в зависимости от ревизии даташита производителя — сверяйтесь с актуальным документом на сайте onsemi.

Парт-номера (Part Numbers)

Одиночный MOSFET (без суффикса +65):

• FDD6780A — базовый парт-номер (TO-252 / DPAK)
• FDD6780A-NL — без свинца (RoHS)
• FDD6780A-F085 — версия, соответствующая AEC-Q101 (автомобильное исполнение, если применимо)
• Маркировка на корпусе: 6780A

Ранее器件 производился как Fairchild FDD6780A; после 2016 года — под брендом onsemi.

Совместимые (функциональные аналоги / похожие) модели

Это модели со схожими параметрами N-канального MOSFET в корпусе DPAK, V_DSS 30 В, низкое R_DS(on) ~1–7 мОм:

| Модель | Отличия | |---|---| | FDD8880 | 30 В, другой R_DS(on) | | FDD8896 | Аналог у того же производителя | | AOD478 (Alpha & Omega) | 30 В, DPAK, схожие параметры | | AOD442, AOD4184 | той же серии AOS | | NTD5867NL, NTD4858N (onsemi) | ребрендовые аналоги | | IRLR7843, IRLZ44N (Infineon / IR) | аналогичные логик-левел решения | | Si4404DY, SI4436 (Vishay Siliconix) | альтернативы по параметрам | | STP60NF06 (STMicroelectronics) | похожий, но 60 В | | IPD040N03L (Infineon) | 30 В, отличный по монтажу |

По корпусу взаимозаменяемы:

• Все MOSFET’ы серии DPAK (TO-252) с близкими V_DSS=30 В имеют часть уникальные печатной платы — можно заменить с проверкой cooler dissipation.
• HALPA: TJ и pinout стандартные для IPAK (Pin: G, D, S).

Компания: краткие примечания

При подборе проверьте габаритную установку теплоотведения из корпуса DPAK:

1. Проверьте V_daSA, чтобы исключить пробой при своих 24/48 В других входных цепях.
2. При коммутации >60 V следующих деталей типа без изменений.
3. Унифицирован лучшим при переброске братных контроллер LTC, Infineon.

Не забывайте: любой прямой границ проектируемое устройство должно отвечать и другим параметрам схем. Силовый допустим — максимум безопасный, тогда однотипные на цепь резервировании ORING мRds плом <5 мО охл.

Напомни, если надо было проверить конкретную охлаждающую конструкцию или расчёт потерь мощности — это тоже помогу!