FDD3670 — N-Channel PowerTrench MOSFET (Fairchild/ON Semiconductor)

Описание

FDD3670 — это N-канальный MOSFET (полевой транзистор) с изолированным затвором, выполненный по технологии PowerTrench® от Fairchild Semiconductor (ныне ON Semiconductor / onsemi). Транзистор предназначен для применения в качестве силового ключа в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, схемах защиты и коммутации нагрузки.

Корпус — TO-252AA (DPAK), поверхностного монтажа, с тремя выводами (G, D, S), где сток соединён с теплоотводящей площадкой для эффективного отвода тепла.

Технология PowerTrench обеспечивает низкое сопротивление канала в открытом состоянии (R_DS(on)) и низкий заряд затвора, что снижает потери проводимости и переключения.

Технические характеристики (при T_A = 25 °C, если не указано иное)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-канальный MOSFET (усилительный режим) | | Корпус | TO-252AA (DPAK), SMD | | Макс. напряжение сток–исток (V_DSS) | 100 В | | Макс. ток стока (I_D) непрерывный | 7.7 А (T_C=25 °C) / 3.7 А (T_A=25 °C) | | Импульсный ток стока (I_DM) | ~30 А | | R_DS(on) при V_GS = 10 В | 50 мОм (тип.) | | R_DS(on) при V_GS = 6 В | 75 мОм (макс.) | | Пороговое напряжение V_GS(th) | 2.5–4.0 В | | Макс. V_GS | ±20 В | | Общий заряд затвора Q_g | ~17 нКл (V_GS=10 В) | | Входная ёмкость C_iss | ~990 пФ | | Время включения / выключения | ~10 нс / ~20 нс (типовые) | | Макс. рассеиваемая мощность P_D | 3.8 Вт (T_A=25 °C), 50 Вт (T_C=25 °C) | | Рабочая температура кристалла T_J | −55…+175 °C | | Тепловое сопротивление R_θJA | ~40 °C/Вт | | Тепловое сопротивление R_θJC | ~3 °C/Вт | | Тип канала | Обогащённый (enhancement mode) |

Особенности:

• Полностью лавиноустойчив (100% tested UIS)
• Соответствует RoHS
• Низкий R_DS(on) — высокая эффективность
• Быстрое переключение
• Логический уровень управления (совместим с 5–10 В драйверами)

Парт-номера (Part Numbers / Ordering Codes)

| Парт-номер | Маркировка | Упаковка | |---|---|---| | FDD3670 | FDD3670 | Tape & Reel, 2500 шт. | | FDD3670-F085 | FDD3670 | Автомобильная квалификация AEC-Q101 | | FDD3670_NL | FDD3670 | Без свинца (lead-free), исторический код | | FDD3670Q | FDD3670 | Вариант упаковки |

Обозначение серии в целом: FDD — Fairchild Discrete DPAK. Аналог в другом корпусе — FDP3670 (TO-220).

Совместимые модели и аналоги

Прямые аналоги от других производителей (pin-to-pin, корпус DPAK, N-ch 100 В):

• IRFR120N (Infineon/IR) — 100 В, ~8 А
• IRLR120N (Infineon/IR)
• IRFR5305 / IRLR5305
• SiHFR120N (Vishay)
• STD12NF06L (STMicroelectronics)
• NTD5867NL (ON Semiconductor)
• AOI4180 (Alpha & Omega)
• AOD4184 (100 В, N-ch DPAK) — близкий по параметрам
• AOD4548, AOD4186
• FDD6530, FDD8447 — родственные от Fairchild (разные V_DSS/I_D)

Полные эквиваленты Fairchild/onsemi серии 3670:

• FDD3670 — DPAK (SMD)
• FDP3670 — TO-220 (THT)
• FDU3670 — I-PAK / TO-251 (THT)
• FDB3670 — TO-263 / D²PAK (SMD)

⚠️ При подборе аналога проверяйте напряжение, ток, R_DS(on), заряд затвора и цоколёвку DPAK — они могут различаться.

Если нужно — могу рассчитать режим работы (тепловой расчёт, потери коммутации) под конкретную вашу схему или подобрать наилучший аналог под имеющееся напряжение/ток.