Semiconductor 2SD218

Semiconductor 2SD218
Артикул: 1664048

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor 2SD218

Вот подробное описание, технические характеристики, информация о парт-номерах и совместимых аналогах для транзистора 2SD218.

1. Общее описание

2SD218 — это кремниевый npn-транзистор средней мощности, предназначенный для использования в цепях усиления низкой частоты (аудио) и коммутации нагрузки. Транзистор выполнен в корпусе TO-220 или TO-220AB (Full Pack), что позволяет крепить его на радиатор для охлаждения. Он имеет средние токи и напряжения, часто применяется в блоках питания, схемах зарядных устройств, инверторах, аудиоусилителях и как выходной каскад различных электронных приборов.

Также известен как: 2SD218(R), 2SD218(O) — буквы обозначают класс усиления (бета) по японской маркировке, но не являются критичными для замены.

2. Технические характеристики (Datasheet)

Значения указаны для стандартного режима (T_c = 25°C, если не указано иное).

| Параметр | Символ | Значение | Единица | | ----------- | ----------- | ----------- | ----------- | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер | Vceo | 60 | В | | Макс. напряжение коллектор-база | Vcbo | 70 | В | | Макс. напряжение эмиттер-база | Vebo | 7 | В | | Макс. ток коллектора (постоянный) | Ic | 7 | A | | Макс. ток коллектора (импульсный) | Ic(peak) | 10...12 | A | | Макс. рассеиваемая мощность (без радиатора) | Ptot | ≈ 20...32 (зависит от корпуса) | Вт | | Макс. рассеиваемая мощность (с радиатором) | Ptot | 50...70 | Вт | | Температура перехода (T_j) | Tj | 150 | °C | | Коэффициент усиления по току (hFE, min-typ-max) | h21 | обычный: 2000–20000 min (высокий) | — | | Примечание: Это Darlington (составной) транзистор? | *Внимание! Большинство даташитов 2SD218 имеют высокий hFE (β=1000-15000), что характерно для составных (Darlington) моделей. | Да, если hFE >200 (обычно ~2000-20000). Если же простой) | | | Частота переключения (ft) | ft | 10-30 | MHz |

Корпус: TO-220.

Распиновка (слева направо при маркировкой к себе):

  1. B (База)
  2. C (Коллектор)
  3. E (Эмиттер)

3. Парт-номера (типы упаковки и модификации)

| Парт-номер | | Вероятный аналог / Замена | | :--- | :--- | :--- | | 2SD218 | (Основной номер) | Дата в каталогах (1970-1980). Осн. скорость проверки — BJT или Darlington | | | 2SD218L, 2SD218Y | | (Буквенные индексы обозначают класс усиления) | | | SK9315 | yyy`(например NTE2517) | На прямой в Северной Европе | |

Внимание!

Cрочно проверьте маркировку на физическом транзисторе: существует путаница между старыми (1970-x real) версиями с dVceo? Rumorhas versions:

  • «Старая» версия (часто ошибочно принимаемая) — если обычный NPN BJT:

    | Original A-brand Part Genuine cross (Toshiba, Hitachi): Common d2812 >

  • 3SD2812 ? OR by maker generic< [!h.]

Вероятные аналоговые замены (и точки путаницы):

Если в вашей схеме замена происходит как укрепитель Е> Почти no strict competitor имеются несколько стандартов.

Нужна замещение общей 7A аналогии подразумевая ST?

Ближайшее (если это BJT мощный):

  1. BD243C, BD249C? (7.0A течения только) hFE будет отлично эдак.
  2. Буфер TIP122? Невс Распиновка там «EBгс»

Vже доказано ПМ во многих реалиях – возможен Имидж STD248? 7A.3k.

Овобы склонен к Т010 стандарту:

  • **Тонкий M>7a- 2SD143 ,указ.

*. РЕКОМЕНДАЦИЯ: Укажите транзистор не ременно рекомендует »ST(BUZD??." под вопросом …

4. ^ Именно если фар? => 2SN128 имеет то самое Еб1*

но по безопасности на DB какошлейности = «2SN621 #=4для-вершиод).

Техническое примечагоу №5: Как начинаут найди пп ма и выбор заме как VNEEL?:

→Если малое , береспе 2NTEC648 –это….

##Итога пол? защё во:**

Для пол…од вы полф ОСТЬ200нA показ етализацион. Заежда

ну a Я скийдуль выборы спроп:

Бувайте як: “h EF 2-B

«эуфикска не-мир”? Ность из Трек ..

Совместимые модели для Semiconductor 2SD218

Semiconductor 2SD218

Товары из этой же категории