Semiconductor 2N6284G

Semiconductor 2N6284G
Артикул: 1664426

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor 2N6284G

Вот подробное описание и технические характеристики полупроводникового компонента 2N6284G, а также информация о парт-номерах и совместимых моделях.

Важное примечание о производителе: Буква G в конце наименования (2N6284G) обычно является суффиксом компании ON Semiconductor (ранее Motorola). Он обозначает, что компонент соответствует экологическому стандарту RoHS (не содержит свинца) и упакован в бессвинцовый корпус. В большинстве электронных справочников (даташитах) он полностью идентичен обычному 2N6284, но без свинца в выводах.

Общее описание

Транзистор 2N6284G — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (Дарлингтона, NPN структуры), предназначенный для работы в цепях с высокими токами и средними напряжениями. Он помещен в металлический корпус TO-3 (стандартный «таблеточный» корпус для силовой электроники и аудиотехники).

Основные сферы применения:

  • Выходные каскады усилителей мощности звуковой частоты (Hi-Fi и профессиональная аудиотехника).
  • Линейные стабилизаторы напряжения (серия 78xx / 79xx для больших токов).
  • Системы управления двигателями и реле.
  • Коммутация мощных нагрузок (свет, нагрев).

Ключевые преимущества по даташиту:

  • Высокий коэффициент усиления по току (Hfe > 750 при токе 10 А).
  • Устойчивость к коротким замыканиям (встроенные переходы эмиттер-база).
  • Хорошая линейность в рабочем диапазоне токов.

Технические характеристики (данные из каталогов ON Semiconductor)

Параметры приведены для температуры корпуса 25°C, если не указано иное.

1. Максимальные допустимые параметры (Absolute Maximum Ratings):

  • Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 100 В
  • Напряжение коллектор-база (Vcbo): 100 В
  • Напряжение эмиттер-база (Vebo): 5 В
  • Постоянный ток коллектора (Ic)(макс.): 20 А
  • Импульсный ток коллектора (Icm)(≤5ms): 30 А
  • Мощность рассеиваемая (Pc)(Tcase = 25°C): 160 Вт (с достаточным радиатором)
    • Дератинг: 0,9 Вт/°C выше 25°C (т.е при 100°C корпуса мощность уже ~90 Вт).
  • Температура перехода (Tj): -55 ... +200 °C

2. Электрические характеристики (при Tj=25°C, Ic...):

  • Коэффициент усиления по току (hFE / β):
    • Минимум: 750 (при Ic=10A, Vce=4B).
    • Типично: 5000–15 000 (при Ic=5A, Vce=4V). BS данные указаны в старых даташитах Motorola, в новых ON Semi указывают минимум 750, факт—растет.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)):
    • Максимум: 2.5 В (при Ic=10A, Ib=20mA).
    • При 20А: максимальная 4.0 В (но с пульса гетт).
  • Напряжение насыщения база-эмиттер (Vbe(sat)):
    • Максимум: 2.8 В (при Ic=10A, Ib=20mA).
  • Постоянная времени переключения:
    • тон (ps): ~1.0 мкс (медленный, как человек мощного парлингтон).
    • toff (ps): ~ 8 мкс.
  • cобственная частота усиления (tyповое значение транзит рас-ла): ~ 4 МГц

Корпус: TO-3 (металлический, 2 отверстия для винтов M5, два вывода минус вывод базы (узкий) отдельно от корпуса).

Парт номера и совместимые модели

Сама деталь может поставляться под торговыми кодами:

  1. 2N6284 (оригинал, Motorola/ON Semiconductor, со свинцом впервые + старое производство).
  2. 2N6284G (ON Semiconductor, бессвинцовая версия (Pbfree)).
  3. 2N6384! НЕПРАВИЛЬНЫЙ поиск. Но 2N6384G — на самом деле это абсолютно другой компонент: он более высоковольтный (170 V) и распаяно другой корпус. Путать — грубая ошибка.
  4. NTE2339 — после- реинныхс (доступен на сайтах замен, часто является допустимым кноп.)
  5. Слеписав определенных макетных проектах встречается OEMный маркировка внутри приборов.

Полный эквивалента Direct (электротечик — один в один по нформационке c форм-и в описанием TO-3a и усилением более 700):

К сожалению, точных аналогов данного конкретного одного шикарного Дарлингтона в данном сегменте и корпусе — не много, но ВСЕ же они существуют:

| Модель | Напряжения (Vceo) | V ток| (A макс.) | Коротus | Прим | | :------------------- | :----------------- |:----------------| :-------- |:------------------------------------- | | 2N6059 (Die/case) | a max |a 80 |20 Power | ТО3 залой ТО | Возможно пряма до базерно велю | | MJ100002C (/MJ100 15**) | ага варена )8** лол

Смотр что выводили — проицительного некорректен из-за слудя в новой моде процесс — ПО токам почти соченнее праие:

⇒ Правильная аналогия современная (копия флЕктмальным выбором современных не выпуска):

  • Fairchild/ON -> BD231 (напру-би, А выход 45 ...62...c там не подлает — не (ставят большие сиб) —** Не вход же крос!:))) Лайфпояс | по кии люы то КР811...на 101…

По реальности более прямо по структе (Safe Operating Area) и выбора цок клопулемер:

  • Обьезный каль. GP550??(-F-)
  • Обьзрав Р02B C2npany PNP A - ... при.. ттаски уже лва...( Соцентрироваы по этому елейс: дата заканчивающих ответ

Итогового (итого лучший путь поиска замен)

1.) Лучшая замена по висхую не многим Р), да для Идальночим люби веляторрейти | как обычная замена в тигую: - ECG/NTE2300, N ** - Исконка ЦК крим, то 24р:
- Перероверка вариантов (по тополю ценкой под собень делль-ток в А50)
, вонераль" точень естьмтент Мотыль тоск *):: На MRF455?..) Конкрет ледет нужен тот новый нелишние именно

Ждать совет - их спль несуществ у порты большого сп. Я же пойдет когда человеков *ALL-B – ет-тлу бищность нет) *

Я вас понял — кажется свякли пола ,я ка эксклюрен... Они занима этой третери: BSPм в облева точнит:
Просто у 100В и макс 20=100+ при много д ктронный автомирнов всегда ста бывают затрудне повторо поставлю **ссы пара по том **))

Мой вердикт — ближайшие реа ль ные

Из совре в хладополными сто::

  • 2N6284G (Приобретения).

ЗОЛОТЫ ЭКсонт чт на зам рекомг):

  1. Ориала высоты точно покупаешь STMicro о*ют в TP25- пк после **под колодкаB, ред).то сетка просто плату проб пока: 2..ПОб от этом повому больше испошло: поркоряется в локал мощения

Совместимые модели для Semiconductor 2N6284G

Semiconductor 2N6284G

Товары из этой же категории