Semiconductor 2N5815

Semiconductor 2N5815
Артикул: 1664441

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor 2N5815

2N5815 — Кремниевый n-p-n транзистор (Si NPN)

Описание

2N5815 — кремниевый планарный n-p-n биполярный транзистор средней мощности, предназначенный для усилительных и переключательных применений. Относится к серии 2N58xx (2N5812–2N5819), которая широко использовалась в бытовой и промышленной электронике 1970–1990-х годов. Транзистор выполнен в металлическом корпусе TO-39 (TO-205AD) и применялся в аудиотрактах, схемах управления, драйверах и импульсных каскадах.


Технические характеристики (типовые)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип структуры | NPN | | Материал | Кремний (Si) | | Корпус | TO-39 (TO-205AD), металлический | | Макс. напряжение коллектор–эмиттер (Vceo) | 60 В | | Макс. напряжение коллектор–база (Vcbo) | 80 В | | Макс. напряжение эмиттер–база (Vebo) | 6 В | | Макс. ток коллектора (Ic) | 1 А (импульсный до 2 А) | | Рассеиваемая мощность (Pc) | 1 Вт (при 25 °C; с радиатором — до 5 Вт) | | Коэффициент усиления (hFE) | 40–200 (типов. 90 при Ic = 150 мА) | | Граничная частота (fT) | ~50 МГц | | Напряжение насыщения Vce(sat) | ~0.5 В при Ic = 500 мА, Ib = 50 мА | | Емкость коллектор–база (Cc) | ~15 пФ | | Рабочая температура | от –65 °C до +175 °C | | Макс. температура перехода | +175 °C |

Pinout (TO-39):

  1. Эмиттер
  2. База
  3. Коллектор (соединён с корпусом)

Парт-номера и маркировка

  • 2N5815 — базовый парт-номер (Motorola, RCA, Texas Instruments, Fairchild и др.)
  • 2N5815A — улучшенный вариант
  • JAN2N5815 — военный стандарт (MIL-PRF-19500)
  • JANTX2N5815 / JANTXV2N5815 — расширенные военные классы
  • 2N5815LEAD-FREE — вариант без свинца (у некоторых производителей)
  • Аналоги: 2N2219, 2N2219A, 2N1711, BSY95 (близкие по параметрам)

Совместимые модели и аналоги

Прямые зарубежные аналоги

  • NTE128, NTE152 (заменители NTE)
  • ECG128 (Philips ECG)
  • SK3244 (RCA / Thomson)
  • 2N2219 / 2N2219A (близкий, чуть выше fT)

Советские / российские аналоги

  • КТ602А, КТ602Б — близкие по параметрам (60 В, 500 мА)
  • КТ603А — по току ближе (1 А)
  • КТ630А — аналог с большей мощностью
  • 2Т602А — военный аналог КТ602A

Техника, где применялся

  • Усилители звука (бытовые и промышленные)
  • Каскады строчной развёртки старых ТВ
  • Импульсные схемы питания (драйверы)
  • Промышленные контроллеры и схемы Schalt-управления
  • Радиостанции гражданского диапазона (CB) 1970–80-х

Особенности применения

  • При использовании в импульсных схемах обязательно ограничивать ток базы.
  • Требуется теплоотвод при длительной мощности >1 Вт.
  • hFE сильно падает при больших токах и низких температурах — учитывать при проектировании.
  • Не рекомендуется использовать в схемах с Vce > 50 В без запаса.

Если нужно, могу составить таблицу прямых взаимозамен с указанием отличий по параметрам или найти современный доступный аналог (например, из серии MJE или 2N2222A/2N3416).

Совместимые модели для Semiconductor 2N5815

Semiconductor 2N5815

Товары из этой же категории