Semiconductor 2N3055

Semiconductor 2N3055
Артикул: 1664518

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor 2N3055

2N3055 — Мощный NPN-транзистор

Описание

2N3055 — кремниевый планарный NPN-транзистор средней/большой мощности, предназначенный для работы в усилителях мощности звуковой частоты, линейных стабилизаторах напряжения, импульсных схемах управления и схемах коммутации. Выпускается уже более 50 лет и стал одним из самых массовых мощных транзисторов в мире (наравне с комплементарным ему 2N2955 — PNP).

Корпус — металлический TO-3 (SOT-6/MICRO-3), коллектор соединён с корпусом. Существует также версия в изолированном корпусе TO-247 / TO-3P (маркируется как 2N3055G, MJE3055, TIP3055 и т.п.).

Технические характеристики (типовые)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | NPN | | Материал | Кремний (Si) | | Напряжение коллектор–эмиттер, Vceo | 60 В | | Напряжение коллектор–база, Vcbo | 100 В | | Напряжение эмиттер–база, Vebo | 7 В | | Постоянный ток коллектора, Ic | 15 А | | Пиковый ток коллектора, Icm | 20 А | | Рассеиваемая мощность, Pc (Tc = 25 °C) | 115 Вт | | Рассеиваемая мощность при T > 25°C | линейно снижается (0.657 Вт/°C) | | Коэффициент усиления по току hFe (Ic = 4 A) | 20 … 70 | | Граничная частота ft | ~2,5 МГц | | Ёмкость коллектор–эмиттер, Cce | ~ 250–400 пФ | | Напряжение насыщения Vce(sat), Ic = 4 A, Ib = 400 mA | ≤ 1,1 В | | Максимальная температура перехода | 200 °C | | Тепловое сопротивление переход–корпус | ~ 1,5 °C/Вт |

⚠️ У разных производителей (ST, ON Semi/Motorola, RCA, Toshiba, UTC и др.) параметры немного отличаются — значения Vceo, hFe, ft могут быть в диапазоне 60–100 В, 2–8 МГц.

Парт-номера и обозначения

Базовое обозначение:

  • 2N3055 (Pакет TO-3, металл)
  • 2N3055G (BB — Pb-free / Green), Motorola → ON Semiconductor
  • 2N3055A — улучшенный, Vceo = 100 В
  • 2N3055H — повышенное напряжение и др.

Аналоги и современные варианты:

  • TIP3055 — пластиковый TO-220, IC = 15 A, PC = 90 Вт, hFE = 20–70, Vceo = 60 В
  • MJE3055 / MJE3055T — TO-220, комплементарный — MJE2955
  • MJE13005 — высоковольтный переключающий (не прямой аналог)
  • BDX33 / BDX34 (дарлингтоны, не взаимозаменяемы напрямую)
  • BD181 / BD182 / BD183 — Vceo 60..100 В, идентичен по типу (используется в стабилизаторах)
  • KD503 / KD502 (производство бывшего СССР/Китай — клон)
  • KT819 (аналог по параметрам, например KT819ГМ)
  • 2N5684, 2N6541, 2N5038 — схожие, большей мощности

Обозначения совместимых серий (советские/российские):

  • КТ819А/Б/В/Г
  • КТ807, КТ903 (по схемам)

Кросс-референсы (часто используются как взаимозаменяемые на практике):

  • BDY20, BDY21
  • 2SC1116, 2SD233
  • 2SD1017, 2SD1138

Комплементарные (для двухтактных каскадов)

| NPN | PNP (пара) | |---|---| | 2N3055 | MJ2955 / 2N2955 | | TIP3055 | TIP2955 | | MJE3055 | MJE2955 | | TIP3055 | TIP2955 |

Совместимые/аналоговые модели

| Производитель | Аналог / партномер | |---|---| | ON Semiconductor (Motorola) | 2N3055, 2N3055G, MJE3055T | | STMicroelectronics | 2N3055, TIP3055 | | Texas Instruments | — почти не выпускает этот класс | | Toshiba | 2SD233, 2SD464 | | Central Semiconductor | 2N3055 PBFREE | | NTE Electronics | NTE130 | | SGS-Thomson | BDX/BD scheiss / MJE3055 | | NJS | 2N3055 |

Применение

  • УНЧ (оконечные каскады усилителей, квазикомплементLift-схемы)
  • Линейные источники питания (220 В AC → стабилизированные)
  • Ключи управления реле, лампами, двигателями
  • Инверторы, преобразователи DC-DC
  • Учебные/лабораторные схемы, широко до сих пор используются в ремонте усилителей.

Если нужно — могу составить эквивалентную таблицу конкретных китайских клонов (KTC3055, J6920 и т.п.) или полезную информацию по цепям защиты/выбору охладителя.

Совместимые модели для Semiconductor 2N3055

Semiconductor 2N3055

Товары из этой же категории