Deskar TGF32R085

Транзистор Deskar TGF32R085 — это мощный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в высоковольтных импульсных источниках питания, блоках питания для светодиодного освещения, а также в схемах с активным корректором коэффициента мощности (PFC). Компания Deskar специализируется на производстве силовых полупроводников, и данная модель является функциональным аналогом популярных компонентов семейства CoolMOS (например, Infineon IPP60R099 или STMicroelectronics STP11NM60).

Описание продукта

TGF32R085 относится к классу полевых транзисторов с улучшенными характеристиками переключения. Благодаря использованию технологии «суперджанкшн» (Super Junction), он обеспечивает низкое сопротивление канала в открытом состоянии при высоком пробивном напряжении. Это позволяет снизить статические потери, а встроенный диод с быстрым восстановлением (FRD) уменьшает динамические потери при работе в схемах с индуктивной нагрузкой (в полномостовых и полумостовых топологиях).

Основное преимущество данной модели — оптимальное соотношение цены и производительности при замене оригинальных зарубежных компонентов в блоках питания средней мощности.

Технические характеристики

(Типовые значения при температуре 25°C, если не указано иное)

• Тип корпуса: TO-220AB (изолированный корпус не предусмотрен — транзистор коллекторного типа, необходима изоляционная прокладка при монтаже на радиатор).
• Конфигурация: N-канал, улучшенный (Enhanced Mode).
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 850 В (серия рассчитана на жесткие условия работы).
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±30 В.
• Постоянный ток стока (Id): 8.5 А (при 25°C), падение до ~5.5 А при 100°C.
• Импульсный ток стока (Idm): 22 А.
• Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)): 0.85 Ом (максимум), при Vgs = 10 В.
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): до 62 Вт (при Ta=50°C).
• Время нарастания (Tr): ~15 нс (зависит от схемы).
• Время спада (Tf): ~30 нс.
• Емкость входная (Ciss): ~ 1400 пФ.
• Емкость выходная (Coss): ~ 110 пФ.
• Заряд затвора (Qg): ~ 32 нКл.
• Тип подложки: Эпитаксиальный, технология компенсации заряда.

Партномера и маркировка

Так как это в основном OEM-продукция, важное значение имеет полная маркировка на корпусе:

• Основной номер: TGF32R085 (нанесена лазерная или краскоструйная маркировка на передней плоскости).
• Полный номер в каталоге: TGF32R085D (Для версии с быстрым антипараллельным диодом).

Расшифровка маркировки: TGF — семейство (Trench Gate FET), 32 — максимальный ток (декилитры до 850В варь), R085 — сопротивление в открытом состоянии (850 мОм).

Совместимость и замена (Cross-Reference)

Данный транзистор является прямой заменой (дроп-ин) для следующих популярных моделей, если соблюдены параметры по напряжению затвора и требованиям к снабберам:

Прямые функциональные аналоги:

1. Infineon (Siemens) SPW08N80C3 или IPP60R085 — идентичные параметры по Rds(on) и току.
2. STMicroelectronics SPP11N80 / PW11N80 (совпадение по габаритам и основным х-кам, отличается небольшим снижением тока).
3. Fuji 2SK3283 или Toshiba 2SK3399.
4. RU735WC — очень часто ставится как заводская альтернатива в блоки питания.

Применимость в схемах: Данный транзистор встречается в следующих устройствах (вы можете его найти в блоке питания): Многие компьютерные БП стандарта ATX производства Modecom, Logicpower. зарядные устройства для электромобилей (переменного тока Level 2). Инверторы для солнечных панелей гибридного типа мощностью 3–5 кВт.

Примечания по применению

• Для параллельного включения транзистор не рекомендуется из-за положительного температурного коэффициента сопротивления.
• При замене иностранного транзистора обязательно проверяйте наличие диода между истоком и корпусом — у TGF32R085 корпус электрически соединен со стоком (обычная середина ноги).

Важно: Перед установкой проверьте тип драйвера — для открывания TGF32R085 требуется напряжение 10–12 В затвора относительно истока.