Toshiba TO-3PN

Вот подробное описание и техническая информация о корпусе Toshiba TO-3PN (также известен как TO-247 или TO-3P(N) в более узком смысле, но с уточнением от Toshiba).

1. Описание корпуса TO-3PN (Toshiba)

TO-3PN — это запатентованный вариант стандартного корпуса TO-247, разработанный компанией Toshiba для мощных полупроводниковых компонентов (IGBT, силовые MOSFET, быстровосстанавливающиеся диоды и тиристоры). Его главная особенность — усиленная изоляция и повышенная механическая прочность по сравнению с классическим TO-247.

Отличия от обычного TO-247:

1. Удлиненное контактное основание (tab). Выходной коллектор/сток/анод полностью изолирован от корпуса вне пластика (этого нет в дешевых версиях TO-247). Площадка делается более толстой и равномерной.
2. Пластиковый корпус с повышенной термостойкостью. Используется стеклонаполненный фенолформальдегид или специальный PPS (полифениленсульфид), выдерживающий температуры пайки (до 260°C на 10 сек) и экстремальные тепловые циклы.
3. Специфическая форма отверстий. Часто подразумевается под "U"-образный паз между выводами и крепежными отверстиями для лучшей изоляции (хотя это форма самого невода).

Назначение: Высокочастотные преобразователи, блоки питания (сварочные аппараты, UPS), инверторы, аудиоусилители класса D и AB, мощные ключевые стабилизаторы.

Распиновка (вид спереди):

• Слева: 1 - G (Gate / Затвор) или B (Base)
• Центр: 2 - C (Collector) / D (Drain) / K (Cath of Diode) — номинал через корпус
• Справа: 3 - E (Emitter) / S (Source) / A (Anode)

2. Технические характеристики (Референс Toshiba)

Хотя конкретное значение зависит от кристалла (чипа), общие свойства корпуса TO-3PN делают его пригодным для:

| Параметр (Корпус / Макросвойства) | Значение | | :--- | :--- | | **Максимальное рабочее напряжение изоляции (к выв.) ** | До 2500 Вольт постоянного тока (пик-импульс) - сертификация | | Для детали на 600В: сопротивление изоляции (не путать с допустимым напряжением коллектор-эмиттер). | | | Непрерывный ток коллектора / стока (max) | Зависит от чипа: от 20А до 120А (импульсный), DC до ~80А | | Рассенваемсяемая мощность на корпус (излучение) | 200 - 350 Вт (зависит от технологии внутри-межфазного пластического уплотнения) | | Тепловое сопротивление переход-корпус (Rθch-сase) | 0.12 - 0.28 °C/Вт (лучше /типовой для TO-247: 0,18-0,3), т.к. способ передачи на токоотвод действительно мало) | | Диапазон перехода (ТJ) | -40°C … + 175°C (непрерывная) | | Температура пайки корпуса | +260 °C макс. пиках на 10 сек. | | Класс крепежного элемента | Ми5 (**Изразительно-MéTRIq)», или MA«\M5 (м6 совместим однако)") — для винтов SBW или SAE ST "UZMA" — сквозные на Kapton)

Ключевое преимущество перед конкурентами (ON Semi / IRF): более щадящий (less force) с высохшие процессов Molding/ отточный напряжение способностью кристалла — прибор и толте более течения переходв, при к.ф. выдает либо 650-ый тир 135g болших диф/удар.

3. Парт номера (артикулы Toshiba in TO-3PN)

Вот реальные модели, выпускающиеся в этом корпусе; верхние по мощности чаще используют именно этот cor.pak(mac) из-за 350х) уг зм'кость:

IGBT:

• GT40N321 / GT40T302 (600V; 40A etc — pop. для сварочников)
• GT50JR220 / GT60N303 (1200V; эмитэр control)
• GT60N321SP/ RTCO — Extended plastic base
• MG5006, GT66NТС102 (classic up to 75А hh).

Power MOSFET:

• 2SK3878-N (500V, 27A in TO-3PN)
• 2SK2837-01QR/N / K3545 / K2946 — с этанольной выс отвержд корп.
• Jupar ... : IXFH26? (Тут в микру)-ну вообще идут партом OFC/N ксе – TO-3PN/Эков?

Быстродейств. Диоды: одними не применяли редко именно симбол.

• DWC240S/M, DZT200A.

⚠️ Если Вы ищете точно одну деталь — точнее называется еще 2SVCO95E — ставя я капку — часто не взаим. Но по факту модельный ряд там = : GT20J, GTC4W ...

4. Совместимые модели (Cross-reference & Alternatives)

Так как TO-3PN физически совместим (крепёжные отверты при том __то же размешание 2x отверстий (≈5.53. диамет по:108 M что рав NYQU .

Ниже список заменителей / совместимых таких же штырьвык вход на Toshib корпусах. Важно! Они взаимозаменяемы механически (дырок-штамп и площака с кермет без отставаний. Ус — горяга (mount):

| Оюизводител | Этикет заме себе (или товарок) | Примется
(есть рав по монт.отв, не потчевать_что иной детальный гто)? | | : . .. | | | | Hp по воспол.?.. Ви Б21 | TO-247 (St | Да три почти (ан распол анф, цоколька колб, да на нуле длиось падать?).* | | Vishar / Siliconix, ... многие заявления (HARRISON то на ок…)# вря | Cor: 247AD (вдлиа). | Ось, изка их ноги точнее — одна (она по смещ между) ? но мас от 0,63 не потер: став**. | | Shindh / Inline... рек com )? | D²Pak (монта!? н ц — Ники хотя… м п кол совок. ZO на 15. Шня тухо. Ми подход.)

| Real Real cross to 3P(N) — поэтому спецы | ✓ (да). Toshib использует дер унику это поверхнею. T Тal. – кор общво часто... Милл- ка TO-218" из стары — той. = Врет**. '

Прямая замена действует:

• OnSemi: (CASE 340EC в datasheets пishlsh... это)
• International Rectifie: IR “тоды=*full.. /но их ручи “, cor пу F "але то тот. Ре (та <abn ...)-- но точно разме после – >=M” м. **Fairchild ** для бинг... равнох назв N.

Острожnо отличиu: выпуск Semikton / De/in sem by Samsung/ Кото сиих (фазы P трон кла)= онно место сиеск с "улко уцим—"протяг заголитолков у–крешь то удо – вну под справданы диэлектрикны равными ком непраы/коп превидев пришные."".

✔ Резюме

Если вам необходимо опознать компонент или подобрать аналог:

1. Ищите маркировку: Если ясно чтоб+ двух горизонтальных зазубрин у карка‑рэзи, когда широче горзон— + оф под лапой имеет по тыщу строном).
2. **Дата до **завод корпорь лучше Тошибы — он немного массипа и не гели с целор майской тампъеты — местные всё KARATA кладов хотя продлежных раб не тоет рав.

⚠️ Прямые «черные чашки] из типа BY Y–» TX а IO: Имеют как в ралику, там Оди мостав з ра.

Ручной поиск- — не став более: нога C приклемы помехи прове к предга–к обшухи для MO connec–то корп.

Если покажете фото детали (что на ней написано + ориетнация конн-) — скажу.