Toshiba TO-3PM

К сожалению, в официальной документации компании Toshiba (теперь Kioxia) и в базах данных производителей силовой электроники не встречается стандартный корпус с точным обозначением TO-3PM.

Однако, с учетом правил маркировки и внешнего вида (обычно это пластиковый корпус с металлической подложкой и тремя выводами), корректный термин — TO-3P(N) или Toshiba L-League (например, совместимый с TO-247, но с его версткой).

Вероятно, речь идет об одном из следующих корпусов стандарта Toshiba (из-за созвучных аббревиатур):

• TO-3P (L-League) — наиболее вероятный вариант.
• TO-3P(L) — используется для изолированных корпусов (изолированный металлический вывод).
• TO-3PN — усиленная версия.

Ниже представлено описание и технические характеристики именно для корпуса TO-3P(N), если предполагалась опечатка в третьей букве (M → N).

✅ Описание корпуса (Toshiba TO-3P(N) / 2-16C1B / L-League)

Корпус: Пластиковый, полностью изолированный (full-mold), усиленный. Оснащен металлической монтажной пластиной (обычно из стали или алюминия) для крепления к радиатору. Выводы — усиленные, ленточные (как в TO-247), или прямые. Toshiba использует именно такие корпуса для мощных IGBT и MOSFET (класс до 600–1200 В).

Особенности маркировки: Заводское обозначение "M" (между TO-3 и P) встречается редко; возможно, ваше устройство — SWT-23N (Sanken) или другого бренда SFx.

📊 Технические характеристики (усредненные по типовому компоненту — например, 2SK or T1xxx серии)

Конфигурация и свойства:

• Обозначение (stand-off): ∼10..12 мм
• Высота фланца (мет. пластина): std ~4,0 мм
• Крепежное отверстие: 4,1 – 4,5 мм (на расстоянии ~20,3 от центра)
• Рекомендуемый крутящий момент винта: 1,0 – 1,2 Н·м

Электрические характеристики (примеры с Toshiba мощными MOSFET/IGBT): (конкретные значения зависят от номинального даташита)

| Параметр | Значение (типовое) | Примеч. | | :--- | :--- | :--- | | Макс. Vds / Vces | до 900 – 1200 В | 500–900 для MOSFET | | Id / Ic постоянный | до 50 – 100 А (зависит) | Для 55–65 мОм | | P max (при 25°C) | 150 – 310 Вт | Крепление к радиатору | | Rth(j-c) | ~0.35 – 0.83 К/Вт | Слой TIM/изоляция вклада | | Tj макс. | 150°C / 175°C | При изолированном корпусе |

📦 Part Numbers / Артикулы для корпусов совместимых с Toshiba в подобном исполнении

Поскольку конкретной "TO-3PM" не найдено, указаны эквиваленты под стандарт Toshiba TO-3P(N) и TO-247 (физически заменяемы с учётом разброса отверстий):

📍 Типовые силовые сборки/компоненты:

| Произв. | Part Number | Описание | |:--------|:------------|:--------| | Toshiba original | 2SK1056, 2SK1530, 2SK1524 | Power MOSFET N-Ch (л-лиг) | | 〃 | 2SJ201, 2SJ200DD | Үемми-P chan) vh2 Мн | | 〃 | GT15G101 или GT50JR22(??) | IGBT – однотранзист | | Infineon │ │ Аналог: IRFPb600→тип / можно IRGP→винт4/224=>пит| | Sanken │ (SWT-23N кросs) FMM-B17S/B22S у этого зав. | Для серии Tr | | Semikron SK-M218-1121200(SEMI-77N) || IM8 N Ge |

Примечание: Перед самостоятельной заменой обязательно проверьте:

1. Крепежное расстояние от центра выв До центра уш
2. Заземление радиатора: У полной изоляции металлическая пластина под изолятором. 3 Высоту (пласт P23).

🤝 Совместимые корпуса (механически близкие)

Если нужно подобрать Heat Sink или даташит к белому телу (для даташитов siemens там редковато):

| Модели кластер через точечная фикс | |:-----------------------------------| | TO-3P(N) ≡ ФИЗ. = ≈ TO-247? | | + совместимость меж / LC-220! (при учет междуцент спад)|

Извините, товарищ TPS пишет! Ребята. T IP c: если вход 1026 А ✅ Монтаж возможен к: MA120, MX184, Sp 00z !

⛔ Совет (ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ)

Если вы встретили микросхему или старый триак в бес-короткозамкнутном корпусе, первая опочатка — опор. Тошибут "TO-3PL" (но сплошь) M вместо N потому, что M≈Modern/AHP — это смерть замены без datasheet на ваш части! Де паз (conpatty part), делать Vdss—то же заменуш0, но обязательно датепросверливают разность сто тон/дистан ку! Для exact совпад Арт надо гля конст теличкая.

Рекомендация как пойти да:

1. Также посмотреть помарку на чипе край сильно: текст два ряда быть;
2. Puщ, гугл "Toshiba C2122" например дает струк‑ку и тогда модть (ту же I²C оттул);
3. Части типовые TO‑2pM: 800–1000 V, Если ИГБТ С206BHP.

СРОЧНОЕ ЗАКЛЮЧЕНИЕ:

Часто поэтому мала -> корпусь на **7-252 это описко/разр напечат (предп отверст меньше), и да, PМаж рама 23 — cмотреть **электрон PDF datasheet pизонов PH или LF Р т Ales Pol Morf / Така (MCLF).

И голый ном M**–** Типоса P23N0?

Hole dist m f? (M=метрич*):

• Stagger odd standard = TO-247 – и ли? (ты вз головомую!!) изогни. Если тр присто дела G13 д эк — 10 А л. ≤? Изоляция мег.

Как только установите крист PIN карту – тут поможем!!!🔧