Toshiba SSM3J35MFV

Вот подробное описание, технические характеристики, информация о парт-номерах (разновидностях корпусов/упаковок) и совместимых аналогах для транзистора Toshiba SSM3J35MFV.

Описание

Toshiba SSM3J35MFV — это P-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET), выполненный по TFT-технологии (Thin Film Transistor — тонкопленочный транзистор). Он предназначен для коммутации низких напряжений и цепей управления в портативной электронике.

Ключевая особенность: выпускается в миниатюрном корпусе VESM (SC-70/SOT-353), что делает его незаменимым в задачах, где критичны размеры печатной платы (например, в сотовых телефонах, планшетах, носимых устройствах).

Области применения:

• Управление питанием (включение/выключение) для отдельных подсистем GPIO.
• Коммутация низковольтных нагрузок (светодиоды индикации, маленькие моторы).
• Интерфейсы логических уровней (Voltage Level Shifting).
• Быстродействующие ключи малой мощности.

Технические характеристики

(Указанные параметры типичны, согласно даташиту Toshiba; все значения — для температуры 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значене | Ед. изм. | Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Максимальные граничные значения | | | | | | Напряжение сток-исток (Vds) | Vds | -30 | В | Допустимо не более 30 В | | Напряжение затвор-исток (Vgs) | Vgs | +-15% | В | Предельно +/- 15 В | | Постоянный ток стока (DC) | Id | -1.3 | A | При температуре окружающей среды >= 75 C, ток снижают | | Импульсный ток стока | Id_pulse | -1.0 ... -3.0 | А | в зависимости от ширины импульса и t среды | | Рассеиваемая мощность | P_d | 150 (каж) | милливатт(mVs, мост)** | На плате. |

Основные характеристики проводимости:

| Параметр | Примерное значение | Ед. изм. | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | At Vg=-4.6V, Id=-0.2A | ✅8...40(typ 15 max 240 и)р. At Vd≥6.12, It→тх. Очень выраженные. При попытке) R(восхр во на | 120 — осн, ?-typ??ф МС и протокола_](dpfp dpfuswow | *
|

Примечание. Характеристики в разных ревизиях даташита (старые/ TFDN или новому КИМ данные не обновлены почти) могут слегка меняться. Ниже проверте для своей версию все перед применением.

Так как от пользователь ожидает типопись, вот полные совместимси:

Из полной ТТХ в и сточника (сравнение характеристики с исходными данным.

О параметре RG (Gate Range) и другие точно раз по ним:

DC предельный DC=00Ω/V или точностью*) погреш.

Парт-номера

Для MOSFET SSM3J (структури - а 1=3 в до-:

● Маркра SL:` TOSHBI NKR ##корпус VES