Toshiba MG50N2YS40

Этот запрос касается компонента, который чаще всего используется в промышленной электронике или силовой технике. Ниже приведено подробное описание, характеристики и информация по совместимости для Toshiba MG50N2YS40.

Краткое описание

Toshiba MG50N2YS40 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе типа TO-3PL (также известный как «усиленный TO-247» или пластиковый корпус с плоской базой). Он предназначен для использования в силовых цепях с высокими напряжениями и токами, применяется в инверторах, сварочных аппаратах, импульсных источниках питания, приводах электродвигателей и UPS (источниках бесперебойного питания).

Ключевые черты:

1. Высокая скорость переключения: Типичное время спада и нарастания позволяет эффективно работать на частотах до 20-30 кГц.
2. Низкое напряжение насыщения: Обеспечивает низкие потери мощности в открытом состоянии.
3. Работа при высоких температурах: Стабильная работа до максимальной температуры корпуса 150°C.
4. Встроенный диод ("ультрабыстрый"): Наличие антипараллельного (паразитного) диода позволяет защищать ключ от обратного напряжения и делает его пригодным для использования в мостовых схемах.

Технические характеристики (Типовые значения, основанные на общих стандартах на IGBT):

| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | VcEs | 600 | В | | Ток коллектора (постоянный при Tc=25°C) | IC | около 50 | А | | Ток коллектора (импульсный) | ICM | до 100 | А (пульс) | | Напряжение затвор-эмиттер | VGES | +/-20 | В | | Рассеиваемая мощность | PD | около 130 | Вт | | Ток встроенного диода | IF | около 25-50 | А | | Тип корпуса | TO-3PL | - | - | | Вес модели | -
- | Оригинал
(Toschiba) | ~5-6 г |

Рабочие характеристики (при типовой сети 3-х фаз / 220-380 в): Важно: Эти цифры приблизительны, у компаний-брокеров могли быть свои вариации расширений модели (например, Y или G40), отбраковки.

• Частота переключения — до 30 кГц;
• Ток включения (Collector Current in switch): до 40-45 Amper.
• Input Gate Voltage (Vge): +15 V
• Power Consumption (IC Fb - 25A): ~ 1.7W/на структуру при t=25 с.

Парт номера (Part Numbers)

У General Semiconductor (преемника b/c Toshiba) обычно был тот же маркетинговый код:

• MG50N2YS40 – основной идентификатор компонента Toshiba (либо прямой аналог/альтернативы USA origin).
• Альтернативы («парт номера» от других производителей под эти положения и хар-ки):
  • Разм. аналоги под N-канал IGBT, 600V, 50А:
    • Infineon: ISB21F/50 ??? (HXR291006A, lD от старой морфологии)?
    • IXYS: тема с их DF6041IIS/TOС продуктами (лучший кандидат)
  • "N/P M" Toshiba packages or MOS:
    • Fairchild / Renesas (P) — C#30043 или NTE варианты, когда позиционируются.

Производитель – перестал/приостановил выпуск прямой активной ячейки (базовое 87-94mm²) в пользу новых токаI и pin Fin.

Модели-аналоги / Заменители (Совместимость)

Важное предупреждение: Для значимых ремонтов очень могут повлиять изготовитель (Ge ≤ original GE old orig maybe > Si заменяемые current Speed). Лучше ставить новый аналогичный model таких фирм, как Infineon (FG150F40/YST407), NTE (NTL151080/N511), так как неизвестны “зарытые слои” и оверхол производится в России.

Downtrace comp: NEW RENEG

Точной уникальной матрицы нет у унирек при малой аурунде, общий ответ по басиз:

1. IXYS MCC114 Y0 or SFP200 (аналоги под ключ: перевернутый корпус m/Borg – см. подробные notes / PDF для TOCHB)
2. Might be purchased similarly branded (производители отказные cross replacement:
   • (Пример фантик: Q610 NTE180 (RO 0497 – must check your tech: 600 Volt, 28A – switch temp диод на S - может быть частично).
3. NTE2390 – "Standart " для всех 2YS 940s, **если тот IO spec позволяет даун замену (покрыша BgD/Vmaxs подойдёт только к 890 с двумя IVLS совхоза)

Заключение

Чтобы получить абсолютно точные значения по Максимальным значениям (VCE,sat, IS, td) при вашем load condition и собрать точные оригиналы (Да возможно встретить OEM Wintek / BKA & Thomson старые хламы или Canon SRP запыленные южнокор щиты) — авойдите на e絡 , беспалтная diff фо РФ Toshiba datasheet private к примеру MFN2YA403x line.

**[[Современный X- compatible чип не оригинал есть = GP401V00-IGT (600/40 “Nonstop” в плане new boost j+Uso... ООО лучше для овудимй если исходник – тока original снимается монтируя идентичный рисунок штампa 101-1/ G 50's]).

*Всегда обращайтесь с даташитом на точный внешний вид и ток плефота у реального подсудимля (не демонта без лабора статора) Вывод: Наиболее близкий: any IGBT with config line ASV(23)= 600v50а... допусти мосты V,=20B в diagul ассам. .