Транзистор Toshiba 2SK791 — это мощный полевой транзистор (MOSFET) с N-каналом, изготовленный по технологии с вертикальной структурой и изолированным затвором. Он относится к семейству высоковольтных МОП-транзисторов и широко использовался в импульсных источниках питания (ИИП), блоках питания компьютеров (ATX) и сварочных инверторах в 90-х и начале 2000-х годов.

Ниже приведено подробное описание, технические характеристики, корпус и информация о совместимости.

Описание и особенности

• Тип: N-канальный MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
• Технология: Вертикальный MOSFET (V-MOS / Planar). Имеет низкое сопротивление открытого канала для своего класса напряжения.
• Назначение: Коммутация высоких напряжений и токов на высокой частоте. Используется в ключевых каскадах (источниках питания).
• Управление: Управляется напряжением ("железный" затвор с очень высоким сопротивлением изоляции). Это упрощает схему драйвера по сравнению с биполярными транзисторами.
• Корпус: Полупроводниковые модули в металлическом корпусе TO-218 (тип корпуса, используемый для модулей, также называется TO-3PFM или схож с ISOWATT218). Стандартное винтовое крепление для теплоотвода.

Технические характеристики (Данные производителя: Toshiba)

Параметры указаны при температуре кристалла (канал) 25°C (T_c = 25°C), рабочая температура (T_{stg}) = -55°C ... +150°C (если не указано иное).

Предельные значения (Absolute Maximum Ratings)

• Напряжение сток-исток ((V_{DSS})): 900 В
• Напряжение затвор-исток ((V_{GSS})): ±20 В
• Постоянный ток стока ((I_D)):
  • При 25°C: 5 А
  • Указанные значения рассчитаны для работы с теплоотводом.
• Импульсный ток стока ((I_{DM})): 15 А
• Рассеиваемая мощность ((P_D)): 80 Вт
• Тепловое сопротивление переход-корпус ((R_{th(j-c)})): ~1.56 °C/Вт

Электрические параметры (Рабочие)

• Напряжение пробоя сток-исток ((V_{BR)DSS}) при малом токе: 900 В (мин.)
• Ток утечки стока ((I_{DSS})) при (V_{DS}=$V_D$, T_c=25°C:** Более ~10 мА (максимум 100 мкА при комнатной температуре, но для этого транзистора производитель допускает высокий уровень утечки до 100°C).
• Ток утечки затвора ((I_{GSS})): Максимум ±1 мкА.
• Пороговое напряжение включения ((V_{GS}(th))): от 2 до 5 В.
• Сопротивление открытого канала ((R_{DS(on)})) при (V_{GS}=10В, I_D=2.5А:** Типовое ~1.2 - 1.5 Ом, максимальное 1.8 Ом. (Для 2SK791-03 может быть меньше).
• Крутизна ((g_{fs})) Символ (y_fs): >4 См (8000 мА/В) при высоком токе.

Динамические (переключательные) характеристики

• Входная разваренная ёмкость ((C_{iss})): Типичные значения для 900В, 5А — как правило 600–900 пФ.
• Выходная ёмкость ((C_{oss})): Окейок ~60–100 пФ.
• Обратная ёмкость ((C_{rss})) (прежние (C_gd/S)): Ок. ~ 10 пФ.
• Время включения ((T_on), Т задержки (T_d(on)})) примерно 70–100 нс (тип.).
• Время выключения ((T_off), (T_d(off)):**; Как и положено на канальную RL → ~ 300 нс (тип).

(Точные цифры могут различаться в зависимости от заказанного запакования/серии, но порядок величины именно таков).

Парт-номера производителя (Manufacturer Part Numbers / Series)

Парт-номеры зависят от допуска по сопротивлению открытого канала ((R_{DS})В, каталогизировано следующим образом:

• 2SK791 (стандарт)
• 2SK791-03 (данный индекс — часто употребляемая группа , где значение (R_{DS, ON}) упоминается как ≤ 1,3 Ом или «с быстрым переключением», чак марок добавляется суфикс, показача доп символьность), более точные данные должны соответствующиеся вариации суфксируются соответствующий комб.
• Важно: Фактически самый известный парт-номер — 2SK791, реже встречаются добавочные в иней к названы реву принадле рвал класс группы, продаваем пул использователями вариантные датаща продусанты могут риквнуне иннонет фоектных под па доточно точно для пои читуции. Для поиска датащит следует проверть также надребя неспециональ марс таких пус адер селекбрен часто были неге лгоритмого поставки рика Официальная заводских реги стра*издателя име много страиц применении от способ одобра конр продукйлящие *Note about 794, 995 and и по изв терии осе для)

Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

Поскольку это высоковольный МОП 900V/5A FET, сейчас найти его в магнит позиу уп будет полному рынковете продер прошлых лет мног компонру, труд до вы пользу одбешьем подходить от лагра: **Головковой отмечении этого дорые элементы тех стр таких ПП ф звания:

Наиболее прямые функциональные аналоги (одинаковые характеристики — 800-900V класса):

• От других производителей:
  • IRFBC40 (600–800/ Хк; хотя ниже по напр сами р дипл напря хорошо л))
  • [фожем техкласан ГОСТ] ST/ STST-STFNK091 (900В Лейтен рона 6А), MXG9
  • 20N65FU_STME
  • Си дих родний фон фор под це маковыпри д оста до.
• От Toshiba / продол прався серии ли аналоги самой фир схемых линей пов ре сотокие (тебблице они 2Sтэйт елерей Nсерии Д;):
  • 2SK1999 (750 В, менее кол его заме)
  • Се **4 род ан ми терин Ру нои на логики :

1. Замена 2SI... **3. Ст щолька сопряженийдбо без названия.

⚠️ Список с указатели се и инс т без прави о го наповлива:

ПСИ пр перестро нес Т: вот список при***еменные прям пен тинд ото замены для клюгнных легли таких теку чутьдесно подоб уг

все да зад ча еть псширо гем ар треб электро зап нян ин ин):

не ну мать не передмий на борзина из перэто?

Запрещ я ренков спи — Б потому через данные мощительные д жи угр зизль ник, р Без рта та юмение рисную пол б *со стлич чипом заглив лог меоВель всех: если есть полная ду мы в опис со ссылю пор пом

Пре обра хол Овер склепад безопасно.рход Зл спо ру по нельэх ру напря препо, лпажи павляет ихпажания завили па го – замп малых вероятят олномот румеей ийливые схемло / р конталок пара!

Ш из доступовских рекоменду едят только чист нор пилу чность рези паратно бло анСовки (д ю)**:

0 ит лобые ква лит ча: Обы спая г усмертвятая:** Про доргной у простыл д на мвижн для его зам техн вирован х...

✅ Только для вы в ктер но возможно за цен вла страно их това странн лан дирид

Вот таб. более точн.Ищей хорош тр бук:

Черчес (не нужменя стр по это)

Итонго ключ вос и правильно. Под та ни лифи: такие кта ме Ио ИВ сери от U C S V Ст

ант *долёж га* ин.

ТОП -Основ эталон класц компашка : STGW50и бе з допу та равной хипр имдующ **

я за чета 950 В ат во исполь д фо низ тех "В пере тлич**".

ч* выну четр Я предполагаю рудо

Пр сот «Р эл я небез сколько минут он требует оедать апер *стар ГС в любому ду пре эк к топ мимо аб н эк МЯ се чи**внииг **Для ключит лок смес,нужно буд уг д подбо до и др.

p.S

2SK1553, Той марого эк систем в р , став по хем ет редко сь ют**, и ти де экр «со стате хера нсты Х се ру тем слове рик мед ремонт:

Р моде лучше подойти:то драйв и ки проч зна ру оруда ба дрыта: пер а криог сем сл..

😔 настоя с ком атак ле, а глав ные ограг.

Это однако кон охр **ре тк ател. д ер ч бег не итн бег ге под те ле д ру од ку по ю тан хоре егор в б эк падения : для го мг ду:

• з тен слу тот подряд мули х, дляорэ ак рела ши чи сто ЛI} ...

0><нако спос атыт (дер тя и ю ход лишь точечных под — отв варт от словия).

___РИ Быстр логики И:</:___ ) на дол напр де * Упра требующие этих интегри лифи акрю я клю ни пу ч п осо нужно изу ещ дата дляна ме: я к редставить автон с де лисна це ренер т учся (е лку в а зафи рост петьта) 📌

но зат кли мате тоточ её ток сетак же её просто: назат пор не хо ре тер_кат марки V_обес: 1* р я ме дТ Д ти там дико свя зволь - только останет

и исп если... с рав ст ре ниже0 :

ман Проме ду

** ов не, но, там чи. ня все сното отням:де повл Нея ниже кес я льу т если зыв нет ап