IGBT 100B120RH

Описание IGBT модуля 100B120RH

100B120RH – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с номинальным током 100 А и напряжением 1200 В. Модуль предназначен для применения в мощных силовых электронных устройствах, таких как:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и простоту монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT с диодом обратного восстановления |
| Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 100 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 200 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | ~40 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Диод обратного восстановления | встроенный (FRD) |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.25 °C/Вт |
| Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C |
| Корпус | Стандартный модульный (например, 62 мм) |
| Вес | ~150 г (зависит от производителя) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12RT4, FF100R12KT3
• Mitsubishi: CM100DY-12H
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI100U2B-120
• ON Semiconductor: NGTB100N120SC

Совместимые замены (по характеристикам):

• 100B120RU (более ранняя версия)
• 100B120RH-E (улучшенный вариант)
• 100B120RN (с другим корпусом)

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнять распиновку и схему подключения, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции.

Если вам нужна более точная информация по конкретному производителю (например, Mitsubishi или Infineon), уточните бренд – характеристики могут незначительно отличаться.