IGBT 1DI150E-055

Описание IGBT модуля 1DI150E-055

1DI150E-055 – это IGBT-модуль, разработанный для мощных импульсных и силовых электронных устройств. Он применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных приложениях.

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и надежной конструкцией, что делает его подходящим для работы в жестких условиях эксплуатации.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумост или другой вариант) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 550 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при определенных условиях) | | Ток короткого замыкания (I_SC) | Уточняется по даташиту | | Мощность рассеивания (P_tot) | Зависит от условий охлаждения | | Температура хранения/работы | -40°C ... +150°C (T_j) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.5–2.5 В (уточнить по datasheet) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | Наносекундный диапазон | | Тип корпуса | Стандартный (например, SEMiX, EconoPACK) | | Вес | ~100–200 г (зависит от конструкции) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены (альтернативные модели)

• Infineon: FF150R05KE3, FF150R06KE3
• Mitsubishi: CM150DY-24S
• Fuji Electric: 2MBI150U4A-055
• SEMIKRON: SKM150GB063D

Совместимые модули в линейке производителя

• 1DI100E-055 (100 А)
• 1DI200E-055 (200 А)
• 1DI300E-055 (300 А)

Примечание

Для точных параметров следует обратиться к официальному datasheet производителя (например, Infineon, SEMIKRON или другой компании). Некоторые характеристики могут отличаться в зависимости от производителя и модификации.

Если вам нужен точный аналог, укажите производителя оригинального модуля или требуемые параметры замены.