IGBT 2MBI100VA-120

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 2MBI100VA-120

Общее описание

2MBI100VA-120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для использования в мощных преобразовательных устройствах, таких как:

• Промышленные инверторы
• Частотные приводы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Модуль выполнен в компактном корпусе с изолированным основанием, что обеспечивает эффективное охлаждение и простой монтаж.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (IC @ 80°C): 100 А
• Ток импульсный (ICM): 200 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (ton): ~0,3 мкс
• Время выключения (toff): ~1,0 мкс
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,25 °C/Вт

Температурные характеристики:

• Рабочая температура (Tj): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Габариты и монтаж:

• Корпус: модульный, изолированный
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~200 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi:
  • 2MBI100U4A-120
  • 2MBI100N-120
• Fuji Electric:
  • 2MBI100U4H-120
  • 2MBI100V-120
• Infineon:
  • FF100R12KT4
  • FF100R12KE3
• SEMIKRON:
  • SKM100GB12T4

Рекомендуемые драйверы:

• Mitsubishi: M57962L, M57120L
• Infineon: 1ED020I12-F2

Примечания по использованию

• Охлаждение: рекомендуется использование радиатора с теплопроводящей пастой.
• Защита: необходимы снабберные цепи для снижения перенапряжений.
• Замена: перед установкой аналога проверьте распиновку и параметры.

Если вам нужна дополнительная информация, уточните детали!