IGBT 2MBI450U4E-120

IGBT 2MBI450U4E-120
Артикул: 295539

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT 2MBI450U4E-120

Описание IGBT-модуля 2MBI450U4E-120

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT-модуль (двухключевой, NPT-IGBT)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, системы управления электродвигателями, промышленные источники питания.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC) | 450 A |
| Максимальный импульсный ток (ICP) | 900 A |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 2400 W |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.0 V (при IC = 450 A) |
| Время включения (ton) | 0.25 мкс |
| Время выключения (toff) | 0.8 мкс |
| Температура корпуса (Tc) | от -40°C до +150°C |
| Тип корпуса | 2-in-1 модуль (два IGBT с антипараллельными диодами) |
| Изоляция корпуса | Да (2500 V AC, 1 мин) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

  • Mitsubishi Electric:
    • 2MBI450U4H-120 (более новая версия)
    • 2MBI450U4A-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
  • Infineon: FF450R12ME4
  • Fuji Electric: 2MBI450U4-120
  • SEMIKRON: SKM450GB12T4

Совместимые модули (по характеристикам):

  • 2MBI300U4E-120 (300 А, 1200 В)
  • 2MBI600U4E-120 (600 А, 1200 В)

Особенности и применение

  • Высокий КПД за счет технологии NPT-IGBT.
  • Встроенные свободные диоды с низким VF.
  • Подходит для высокочастотных инверторов и промышленных приводов.

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения, укажите сферу применения (например, для ЧПУ, сварочных инверторов и т. д.).

Товары из этой же категории