IGBT 2MBI450U4E-120

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI450U4E-120
Описание IGBT-модуля 2MBI450U4E-120
Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT-модуль (двухключевой, NPT-IGBT)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, системы управления электродвигателями, промышленные источники питания.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC) | 450 A |
| Максимальный импульсный ток (ICP) | 900 A |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 2400 W |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.0 V (при IC = 450 A) |
| Время включения (ton) | 0.25 мкс |
| Время выключения (toff) | 0.8 мкс |
| Температура корпуса (Tc) | от -40°C до +150°C |
| Тип корпуса | 2-in-1 модуль (два IGBT с антипараллельными диодами) |
| Изоляция корпуса | Да (2500 V AC, 1 мин) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Mitsubishi Electric:
- 2MBI450U4H-120 (более новая версия)
- 2MBI450U4A-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
- Infineon: FF450R12ME4
- Fuji Electric: 2MBI450U4-120
- SEMIKRON: SKM450GB12T4
Совместимые модули (по характеристикам):
- 2MBI300U4E-120 (300 А, 1200 В)
- 2MBI600U4E-120 (600 А, 1200 В)
Особенности и применение
- Высокий КПД за счет технологии NPT-IGBT.
- Встроенные свободные диоды с низким VF.
- Подходит для высокочастотных инверторов и промышленных приводов.
Если нужны дополнительные аналоги или уточнения, укажите сферу применения (например, для ЧПУ, сварочных инверторов и т. д.).