IGBT 2SD300C17A0

Описание IGBT 2SD300C17A0

IGBT 2SD300C17A0 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных силовых электронных устройствах, таких как:

• Промышленные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Преобразователи частоты

Устройство обладает высокой эффективностью, низкими динамическими потерями и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | NPT IGBT (Non-Punch Through) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Ток коллектора (I_C) | 300 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | До 600 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~1000 Вт (зависит от охлаждения) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (рекомендуется ±15 В) |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.05 °C/Вт |
| Корпус | TO-264 или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• Infineon: FF300R17KE4
• Mitsubishi: CM300DY-24A
• Semikron: SKM300GB17D
• Fuji Electric: 2MBI300U4A-170

Частично совместимые модели (с проверкой параметров):

• IXYS: IXGN300N170
• Toshiba: MG300Q1US41
• STMicroelectronics: STGW300H170D

Альтернативы с близкими характеристиками:

• IR (Infineon): IRG4PH50UD (меньший ток, но схожее напряжение)
• APT (Microsemi): APTGF300A170T3G

Примечание по замене

При выборе аналога важно учитывать:

• Напряжение и ток (V_CES и I_C)
• Тип корпуса (TO-264, модульные варианты)
• Временные параметры переключения

Рекомендуется проверять datasheet перед установкой замены.

Если нужны дополнительные параметры или уточнения, укажите – предоставлю более детальную информацию.